１电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。
A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。
A U th≈0.525V，I S≈0.05pAB U th≈0.525V，I S≈0.2pAC U th≈0.475V，I S≈0.05pAD U th≈0.475V，I S≈0.2pA二、判断题1. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）2.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（）3.二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。
（）4.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。
（）5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）6.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。
（）三、填空题1.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。
2.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。
3.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
4.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。
5. PN结在时导通，时截止，这种特性称为。
6.光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
7.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。
10.半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
11.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。
12. PN结正偏是指P区电位N区电位。
13.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。
14.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
15.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。
16.纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
17.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。
18. PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。
19.发光二极管通以就会发光。
光电二极管的随光照强度的增加而上升。
20.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。
２３四、计算分析题1. 电路如图（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝4V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
(a)(b)(c)2. 已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝3mA ，最大值I ZM ＝20mA ，试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作，U O1和U O2各为多少伏。
(a)(b)3. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。
设二极管的导通压降为0.7V 。
o(c)(d)o4. 已知稳压管的稳定电压U Z = 6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA ，最大功耗P ZM =150mW 。
试求稳压管正常工作时电阻R 的取值范围。
+－O４5. 如图所示电路中，发光二极管导通电压U D ＝1V ，正常工作时要求正向电流为5～15mA 。
试问： （1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R 的取值范围是多少？+V DD R VS6. 二极管双向限幅电路如图所示，设tV u i ωsin 10=，二极管为理想器件，试画出输出u i 和u o 的波形。
7. 电路如图所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV ，试问二极管中流过的交流电流有效值是多少？Ci D8. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。
设二极管的导通压降为0.7V 。
５Vo(a)V(b)o9. 电路如图（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，设二极管导通电压可忽略。
试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。
V 2u ou I1u I2+5V（a ）u I1/V u I2/V 50.350.3tt（b ）10. 下图所示电路中，稳压管的稳定电压Uz = 12V ，图中电压表流过的电流忽略不计，试求：（1）当开关S 闭合时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少？ （2）当开关S 断开时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少？U i R 2ΩS11. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。
设二极管的正向压降为0.7V 。
500Ω2k V６12. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。
设二极管的正向压降为0.7V 。
R1R 2I DV +10V 3k Ω10k ΩR 32k Ω第二章 半导体三极管一、单选题1. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN 管和PNP 管B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管D. 三极管和二极管2. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。
A. 增强型PMOSB. 增强型NMOSC. 耗尽型PMOSD. 耗尽型NMOS4. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ） 状态。
A. 饱和B. 截止C. 放大D. 无法确定5. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
７A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定 6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。
A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定7. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
A. mA 10,V 3C CE ==I UB. mA 40,V 2C CE ==I UC. mA 20,V 6C CE ==I UD. mA 2,V 20C CE ==I U8. 下面的电路符号代表（ ）管。
A. 耗尽型PMOSB. 耗尽型NMOSC. 增强型PMOSD. 增强型NMOS9. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>10. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。
A.C B E I I I +=B. B C I I β≈C. CEO CBO I I )1(β+=D. βααβ=+11. （ ）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。
A. 正弦小信号B. 低频大信号C. 低频小信号D. 高频小信号12. 场效应管本质上是一个（ ）。
A 、电流控制电流源器件B 、电流控制电压源器件C 、电压控制电流源器件D 、电压控制电压源器件二、判断题1. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。
８2. I DSS 表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS =0时的漏极电流。
3. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
4. 三极管工作在放大区时，若i B 为常数，则u CE 增大时，i C 几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
5. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H 参数小信号模型替代。
6. 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。
7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
8. 双极型三极管由两个PN 结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。
9. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。
10. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。