中文摘要本文主要通过光耦隔离放大电路，对光电耦合器4N25及放大电路和电压跟随器中的放大器件TL084的特性进行简要描述和分析。
光耦隔离放大电路主要由电压串联负反馈放大电路光电耦合器和电压跟随器三部分组成。
其中光电耦合器是本次设计的关键。
光耦的工作原理包括：光的发射、光的接收及信号放大三个环节。
输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。
这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。
由于光耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。
又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件，因而具有很强的共模抑制能力。
所以，它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比，光耦合器的主要优点是：信号单向传输，输入端与输出端完全实现了电气隔离隔离，输出信号对输入端无影响，抗干扰能力强，工作稳定，无触点，使用寿命长，传输效率高。
在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。
在放大电路中采用电压串联负反馈电路，对输入的信号进行比例放大输出，并且由于采用负反馈，这样就可以使电路具有较好的恒压输出特性。
在整个电路的输出端与电压更随器连接，以进一步使电路达到良好稳压输出效果。
关键词隔离放大器光耦电压放大电路电压跟随器目录课程设计任务书................................................................................................错误!未定义书签。
隔离放大电路的设计........................................................................................错误!未定义书签。
模拟电子技术课程设计成绩评定表............................................................错误!未定义书签。
中文摘要. (I)目录 (1)1.设计任务描述 (2)1.1 设计题目: (2)1.2 设计要求： (2)1.2.1 设计目的： (2)1.2.2 基本要求： (2)1.2.3发挥部分： (2)2.设计思路 (3)3.基本框架 (4)4.模块细节及各部分电路设计及参数计算 (5)4.1方波信号输入 (5)4．2电源提供电流进入光耦图 (6)4.2.1 光偶的一些参数 (6)4.2.2分析 (9)4.2.3放大电路的选择及计算 (9)4.2.4 光耦简图 (11)4.2.5 CTR的计算 (11)R的计算 (11)4.344.4 电压跟随器的设计图 (12)4.5 方波仿真信号输出 (12)4.6.注意的问题 (13)5.电路元件清单 (14)6.主要元器件介绍 (15)6.1光耦数据单 (15)6.2 TLO84的数据单 (17)7.小结 (19)8.参考文献 (21)9.附录 (22)1.设计任务描述1.1 设计题目:1.2 设计要求：1.2.1 设计目的：（1）掌握隔离放大电路的构成，原理与设计方法；（2）熟悉模拟元件的选择，使用方法。
1.2.2 基本要求：（1）输入信号为方波，幅度1V，频率100Hz～40kHz；（2）采用适当的隔离设备不影响信号提供者;（3）输出信号上升及下降时间占有方波周期的5%以下；（4）输出信号幅度不低于3V。
1.2.3发挥部分：<100μs；（1）tpd（2）幅度分段可调；（3）其他。
2.设计思路光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器，简称光耦。
光耦合器以光为媒介传输电信号。
它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，所以，它在各种电路中得到广泛的应用。
目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。
光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。
输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。
这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入和输出隔离的作用。
光耦合器的主要优点是：信号单向传输，输入端与输出端完全实现了电气隔离隔离；输出信号对输入端无影响，抗干扰能力强；由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件，因而具有很强的共模抑制能力；另外，它还有工作稳定，无触点，使用寿命长，传输效率高等优点。
而我的电路图设计步骤：（1）确定目标：设计整个系统是由哪些模块组成及明确他们的各自功能，通过各个模块之间的信号传输，实现信号的比例放大、光-电-光转化以及电压跟随等目的。
并画出线性直流稳压电源方框图。
（2）系统分析：根据系统功能，选择各模块所用电路形式。
（3）功能分析：分析各模块在此部分所起到的作用。
（4）参数选择：根据系统指标的要求，确定各模块电路中元件的参数。
（5）总电路图：连接各模块电路，整体分析。
基本设计思路为：1．利用放大电路提供光耦所需的电流2．通过光耦对输入信号进行隔离放大3．通过电压跟随器，使输出信号稳定3.基本框架→基本原理：1.通过电压提供电流，利用放大器改变电流的大小，从而使输入电流在所选光耦的线性区，使光耦起到隔离放大的作用。
2. 在光电耦合器输入端加的电流信号使发光源发光，光的强度取决于激励电流的大小，此光照射到封装在一起的受光器上后，因光电效应而产生了光电流，由受光器输出端引出，这样就实现了电一光一电的转换。
3. 在电路中加入电压跟随器使其在电路中不至于消耗电压。
4.模块细节及各部分电路设计及参数计算4.1方波信号输入输入信号仿真图4．2电源提供电流进入光耦图图4.2.14.2.1 光偶的一些参数Maximum Ratings T =25°CAEmitterReverse V oltage..........................................................................................6.0 V Forward Current ........................................................................................60 mA Surge Current (t≤10 μs)...............................................................................2.5 A Power Dissipation...................................................................................100 mW DetectorCollector-Emitter Breakdown V oltage...........................................................70 VEmitter-Base Breakdown V oltage................................................................7.0 V Collector Current.......................................................................................50 mA Collector Current(t <1.0 ms)....................................................................100 mA Power Dissipation...................................................................................150 mW PackageIsolation Test V oltage..........................................................................5300 V RMS Creepage.............................................................................................. ≥7.0 mm Clearance ............................................................................................. ≥7.0 mm Isolation Thickness between Emitter and Detector............................... ≥0.4 mm Comparative Tracking Index per DIN IEC 112/VDE0303, part 1 (175)Isolation Resistance12V=500 V, T =25°C...............................................................................10 ?IO A11V =500 V, T =100°C............................................................................ 10 ?IO AStorage Temperature................................................................–55°C to +150°C Operating Temperature............................................................–55°C to +100°C Junction Temperature................................................................................ 100°C Soldering Temperature (max. 10 s, dip soldering:distance to seating plane ≥1.5 mm)...................................................... 260°C4.2.2分析1.由上面的数据单可知，发光二极管的工作区域的电流为mA mA I F 60~5=为了使其工作在最佳状态只有加一个放大器。