：(poly)&(active)&(nplus)&(psub)：(poly)&(active)&(pplus)&(nwell) s G D S G D
N+
HV
N+
DIFF
DRAIN GATESOURCE
DRAIN GATE SOURCE
CONTACT
PDD HV
MT1
DIFF
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7
PMOS
NMOS
DRAIN
GATE
SOURCE
DIFF POLY
HPF+BL
P+
HV CO
NWELL+BL
NWELL+HPF
POLY
DIFF
DRAIN
GATE SOURCE
L
L
CONTACT DIFF POLY1
NWELL
Ndiff
NWELL P+
P1-P2 LAYOUT STRUCTURE
MOS LAYOUT STRUCTURE CO
TOPMETAL-1之間加-MINLAYER
MIM
METAL POLY STRUCTURE
BOTTOM=POLY1+M2
TOP=M1+M3
林正松 /
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STYLE -3STYLE-1STYLE-2METAL FUSE POLY1 FUSE
POLY1 FUSE
POLY1
CONTACT PASS
CONTACT M1POL
Y1
（1）
OUT P
OUT N
>>Unit Capacitor
DUMMY
poly
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>>Unit Capacitor –Input Stage Matching
林正松
CONTACT
STYLE -1STYLE -2
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P+DIFF
NDIFF
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NW OD P+ N+ P1 P2 CO M1 M2 VIA
CMOS LAYOUT CASE STUDY >>OP2
65 56
442
43 34
1
77
88
IN
林正松 /
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STYLE-1STYLE-2
IR SP
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STYLE-2
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矩型工字型
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增加EMIT的周長，提昇趨動能力
梯型
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P+
NWELL N+
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增加Driver 趨動能力，節省面積
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