LE D 陶瓷散热基板一. 引言LED 产品具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期长、具有环保效益等优点，是近年来最受瞩目的产业之一，图1为2006-2009年高亮度LED 市场增长趋势图。
销售收入/亿美元图1 2006-2009年高亮度LED 市场增长随着LED 照明的需求日趋迫切，高功率LED 的散热问题益发受到重视，因为过高的温度会导致LED 发光效率衰减，通常LED 高功率产品输入功率约为15%能转换成光，剩下85%的电能均转换为热能。
LED 运作所产生的废热若无法有效散出，将会使LED 结面温度过高，进而影响产品生命周期、发光效率、稳定性，对LED 的寿命造成致命性的影响。
图2为LED 结面温度与发光效率的关系图，当结面温度由25℃上升至100℃时，其发光效率将会衰退20%到75%不等，其中又以黄色光衰退75%最为严重。
此外，当操作温度由63℃升到74℃时，LED 平均寿命将会减少3/4。
因此，散热问题是LED 产业永远无法逃避的重要课题，要提升LED 的发光效率，必须要解决散热问题。
-40-20020406080100120结温/℃图2 LED 结面温度与发光效率关系图二. LED散热途径在了解LED散热问题之前，必须先了解其散热途径，进而针对散热瓶颈进行改善。
依据不同的封装技术，其散热方法亦有所不同，而LED各种散热途径方法如图3所示：图3 LED各种散热途径散热途径说明：①从空气中散热②热能直接由System circuit board导出③经由金线将热能导出④若为共晶及Flip chip制程，热能将经由通孔至系统电路板而导出一般而言，LED颗粒(Die)以打金线、共晶或覆晶方式连结于其基板上(Substrate of LED Die)而形成LED芯片(chip)，而后LED芯片固定于系统的电路板上(System circuit board)。
因此，LED可能的散热途径为直接从空气中散热(如图3途径①所示)，或经由LED颗粒基板至系统电路板再到大气环境。
而散热由系统电路板至大气环境的速率取决于整个发光灯具或系统的设计。
然而，现阶段的整个系统的散热瓶颈，多数发生在将热量从LED颗粒传导至其基板再到系统电路板为主。
此部分的可能散热途径：其一为直接由晶粒基板散热至系统电路板(如图3途径②所示)，在此散热途径里，其LED颗粒基板材料的热散能力是很重要的参数。
另一方面，LED所产生的热也会经由电极金属导线至系统电路板，一般而言，利用金线方式做电极接合下，散热受金属线本身较细长的几何形状而受限(如图3途径③所示)；因此，近来有共晶 (Eutect ic) 或覆晶(Flip chip)接合方式，这种设计大幅减少导线长度，并大幅增加导线截面积，如此一来，由LED电极导线至系统电路板的散热效率将有效提升(如图3途径④所示)。
经由以上散热途径解释，可得知散热基板材料的选择与其LED颗粒的封装方式在LED 热散管理上占了极重要的一环。
三. LED散热基板LED散热基板主要是利用其散热基板材料本身具有较佳的热传导性，将热源从LED晶粒导出。
因此，我们从LED散热途径叙述中，可将LED散热基板分为两大类别，分别为LED晶粒基板与系统电路板，此两种不同的散热基板分别承载着LED晶粒与LED晶片将LED晶粒发光时所产生的热能，经由 LED晶粒散热基板至系统电路板，而后由大气环境吸收，以达到热散的效果。
系统电路板系统电路板主要是作为LED散热系统中，最后将热能传导至散热鳍片、外壳或大气中的材料。
近年来印刷电路板(PCB)的生产技术已非常纯熟，早期LED产品的系统电路板多以PCB 为主，但随着高功率LED的需求增加，PCB材料散热能力有限，使其无法应用于高功率产品，为了改善高功率LED散热问题，近期已发展出高热导系数铝基板(MCPCB)，利用金属材料散热特性较佳的特色，以达到高功率产品散热的目的。
然而随着LED亮度与效能要求的持续发展，尽管系统电路板能将LED 晶片所产生的热有效的散热到大气环境，但是LED晶粒所产生的热能却无法有效的从晶粒传导至系统电路板，当LED功率往更高效提升时，整个LED的散热瓶颈将出现在LED晶粒散热基板。
LED晶粒基板LED晶粒基板主要是作为LED 晶粒与系统电路板之间热能导出的媒介，以打线、共晶或覆晶的制程与LED 晶粒结合。
而基于散热考虑，目前市面上LED晶粒基板主要以陶瓷基板为主，以线路制备方法不同可分为：厚膜陶瓷基板、低温共烧多层陶瓷、以及薄膜陶瓷基板三种，传统高功率LED元件，多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基板，再以打金线方式将LED晶粒与陶瓷基板结合。
如前言所述，此金线连结限制了热量沿电极接点散失的能力。
因此，近年来，国内外大厂无不朝向解决此问题而努力。
其解决方式有二种，其一为寻找高散热系数的基板材料，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基板，其中矽及碳化矽基板材料的半导体特性，使其现阶段遇到较严苛的考验，而阳极化铝基板则因其阳极化氧化层强度不足而容易因碎裂导致导通，使其在实际应用上受限，因而，现阶段较成熟且普通接受度较高的为以氮化铝作为散热基板；然而，目前受限于氮化铝基板不适用传统厚膜制程(材料在银胶印刷后须经850℃大气热处理，使其出现材料信赖性问题)，因此，氮化铝基板线路需以薄膜制程制备。
以薄膜制程制备的氮化铝基板大幅加速了热量从LED晶粒经由基板材料至系统电路板的效能，因此大幅降低热量由LED晶粒经由金属线至系统电路板的负担，进而达到高热散的效果。
另一种热散的解决方案为将LED晶粒与其基板以共晶或覆晶的方式连结，如此一来，大幅增加经由电极导线至系统电路板的散热效率。
然而此制程对于基板的布线精确度与基板线路表面平整度要求极高，这使得厚膜及低温共烧陶瓷基板的精准度受制程网板张网问题及烧结收缩比例问题而不易使用。
现阶段多以导入薄膜陶瓷基板，以解决此问题。
薄膜陶瓷基板以黄光微影方式制备电路，辅以电镀或化学镀方式增加线路厚度，使得其产品具有高线路精准度与高平整度的特性。
共晶/覆晶制程辅以薄膜陶瓷散热基板势必将大幅提升LED的发光功率与产品寿命。
四. LED陶瓷散热基板及差异分析基本上，LED散热基板主要分为金属与陶瓷基板。
金属基板以铝或铜为材料，由于技术成熟，且具成本优势，目前为一般LED产品所采用。
而陶瓷基板线路对位精确度高，为业界公认导热与散热性能极佳材料，是目前高功率LED散热最适方案，虽然成本比金属基板来得高，但照明要求的散热性及稳定性高于笔记本电脑、电视等电子产品，因此，包括Cree、欧司朗、飞利浦及日亚化等国际大厂，都使用陶瓷基板作为LED晶粒散热材质。
如今生产上通用的大功率LED散热基板结构如图4所示，其一般为铝质基板：最下层为铝金属层，其厚度约为1.3mm；铝层之上为高分子绝缘层，厚约0.1mm；最上层为铜线路以及焊接电路。
虽然铝的导热系数比较高，但是绝缘层导热系数极低，因此绝缘层成为该结构基板的散热瓶颈，影响整个基板的散热效果；同时由于绝缘层的存在，使得其无法承受高温焊接，从而影响了封装工艺的实施，限制了封装结构的优化，因此不利于LED散热。
图 4 铝金属基板截面示意图由于高分子绝缘材料的导热系数较低，同时耐热性能较差，如果要提高铝金属基板的整体导热性能及耐热性能，需要替换掉绝缘材料，但是绝缘材料的启用，使得铜线路无法在铝金属基板之上布置，所以目前直接提高铝金属基板的导热系数还无法实现。
而陶瓷散热基板，其具有新的导热材料和新的内部结构，以消除铝金属基板所具有的缺陷，从而改善基板的整体散热效果。
表1 为陶瓷散热基板与金属散热基板比较。
表1 陶瓷散热基板与金属散热基板比较项目 陶瓷基板（氧化铝、氮化铝） 金属基板（铝、铜及其合金） 热导率W/M*K 2,3-41/150-170 230-450不等(但综合热导率，约为陶瓷基板的1/10.) 绝缘性 好 差，需表面处理出一层绝缘膜 热稳定性 好 一般自身热辐射能力 强 一般 价格 较高 不高 应用领域 大功率小尺寸LED应用较多 小功率大尺寸LED现阶段较普遍的陶瓷散热基板种类共有LTCC、HTCC、DBC、DPC四种，其中HTCC属于较早期发展的技术，但由于其较高的工艺温度(1300~1600℃)，使其电极材料的选择受限，且制作成本相当昂贵，这些因素促使LTCC的发展，LTCC虽然将共烧温度降至约850℃，但其尺寸精确度、产品强度等技术上的问题尚待突破。
而DBC与DPC则为近几年才开发成熟，且能量产化的专业技术，但对于许多人来说，此两项专业的工艺技术仍然很陌生，甚至可能将两者误解为同样的工艺。
DBC是利用高温加热将Al2O3与Cu板结合，其技术瓶颈在于不易解决Al2O3与Cu板间微气孔产生的问题，这使得该产品的产能与良率受到较大的挑战，而DPC 技术则是利用直接披覆技术，将Cu沉积于Al2O3基板之上，该工艺结合了材料与薄膜工艺技术，其产品为近年最普遍使用的陶瓷散热基板。
然而其材料控制与工艺技术整合能力要求较高，这使得跨入DPC产业并能稳定生产的技术门槛相对较高，下文针对四种陶瓷散热基板的生产流程做进一步的说明，进而更加了解四种陶瓷散热基板制造过程的差异。
LTCC (Low-Temperature Co-fired Ceramic)LTCC 又称为低温共烧多层陶瓷基板，此技术须先将无机的氧化铝粉与约30%~50%的玻璃材料加上有机黏结剂，使其混合均匀成为泥状的浆料，接着利用刮刀把浆料刮成片状，再经由一道干燥过程将片状浆料形成一片片薄薄的生胚，然后依各层的设计开导通孔，作为各层讯号的传递，LTCC内部线路则运用网版印刷技术，分别于生胚上做填孔及印制线路，内外电极则可分别使用银、铜、金等金属，最后将各层叠层压制，放置于850~900℃的烧结炉中烧结成型，即可完成。
主要工艺为：配料、制浆、流延、切割、冲孔、丝印填孔、丝印、叠压、脱脂烧结、划片（金刚石和CBN切刀，激光等设备）。
HTCC （High Temperature Co-Fired Ceramic）HTCC又称为高温共烧多层陶瓷，生产制造过程与LTCC极为相似，主要的差异点在于HTCC的陶瓷粉没有加入玻璃材质，因此，HTCC的必须再高温1300~1600℃环境下烧结成胚，接着同样钻上导通孔，以网版印刷技术填孔与印制线路，因其共烧温度较高，使得金属导体材料的选择受限，其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼、锰等金属，最后再叠层烧结成型。
DBC （Direct Bonded Copper）DBC直接接合铜基板，将高绝缘性的Al2O3或AlN陶瓷基板的单面或双面覆上铜金属后，经由高温1065~1085℃的环境加热，使铜金属因高温氧化、扩散与Al2O3材质产生共晶熔体，使铜与陶瓷基板粘合，形成陶瓷复合金属基板，烧结形成铝酸铜界面，最后依据线路设计，以蚀刻方式制备线路。