FC1405 hFE 规格
分档 标号 hFE 60-100 90-140 A B C FCB 130-180 170-250 250-300 D E
电学特性 (TA=25℃)
参数 集电极基极击穿电压 集电极基极漏电流 发射极基极漏电流 直流增益 增益带宽乘积 输出反馈电容 插入功率增益 噪声因子 符号 VCBO ICBO IEBO hFE fT Cre | S21e |2 NF 60 7 150 9 0.65 13.5 14 1.6 2.5 1.0 最小 典型 最大 15 0.1 0.1 300 GHz pF dB dB dB 单位 V µA µA 测试条件 IC=1.0µA VCB=10V VEB=1V VCE=5V，IC=20mA VCE=5V，IC=20mA VCB=10V,IE=0mA, f=1MHz VCE=5V,IC=5mA, f=0.9GHz VCE=5V,IC=20mA,f=0.9GHz VCE=5V, IC=5mA, f=0.9GHz
C 3* 100 nf Q FC14 0 5 R 10 0K C 10 0nf R 1K C? 10 u C 10 n R 47 K Q N PN -P HO TO R 10 K 10 n R 1M C
1 2 3 4
JT850
R 10 0K
OP2in OP1out OP1in VC
VCC VDD TD Vout GND
极限工作条件范围 (TA=25℃)
参数 集电极基极击穿电压 集电极发射极击穿电 压 发射极基极击穿电压 集电极电流 功耗 结温度 存储温 度 符号 VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg 极值 15 9 2 50 100 150 -65 ~ +150 单位 V V V mA mW ℃ ℃
FC1405 描述
FC1405 是一款超高频低噪声晶体管，采用平面 NPN 硅外延双极型工艺，具有高功 率增益、低噪声特性和大动态范围。由于采用了超小型的 SOT-323 封装，特别适用于 高密度表面贴片安装，主要用于微波感应模块放大器。
典型应用线路图
6--12V
C 2.2u C 2.2u R 2M C 10 u LE D
8 7 6 5
R 2K Q N PNLeabharlann C LE D 10 nR 1K
C 10 0p
Sensor
主要特性
高增益:︱S21e︱2 典型值为 14dB 低噪声: NF 典型值为 1.6dB 增益带宽乘积: fT 典型值为 9.5GHz @ VCE=5V，IC=20mA，f=0.9GHz @ VCE=5V，IC=5mA， f=0.9GHz @ VCE=5V ，IC=20mA ，f=0.9GHz
封装形式
SOT-323 管脚定义：1：发射极（Emitter） 2：基极（Base） 3：集电极（Collector）
符号 A B C D G H K L M
最小值（mm ）最大值（mm） 0.200 1.150 2.150 0.650 1.200 2.000 0.900 0.525 0.080 0.150 1.400 2.200 1.100 0.400 1.350 2.450