34.6 46.9 38.6 27.4 38.6 90 38.6 34.6 45 46.9 46.9
27.4
27.4
2002 East West
2003 North
2002 East
2003 West North
2002

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1-2
설립배경
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4-3
회사의 투자 포인트
투자 포인트 ?
국제엘렉트릭코리아는?
• 초기 투자비용이 크고 높은 기술장벽으로 경쟁사 출현 가능성 희박 • 국내에서 경쟁하고 있는 회사는 일본 TEL사로 경쟁회사가 적음
경쟁자수가 적은 회사
유가증권제출일 효력발생일 수요예측일 일반공모청약일 코스닥등록 및 매매개시일
2003년 2월 5일 2003년 2월 21일 2003년 3월 5일 2003년 3월 12일 ~ 13일 2003년 3월 21일
유통가능물량 2,613,224주(31.8%) 보호예수등 현황
구 분 의 무 비의무 주주명 최대주주 등 벤처투자(*1) 히타치 국제전기(*2) 주식수(비율) 2,355,776주(28.7%) 830,000주(10.1%) 2,190,000주(26.7%) 사용내역 시설자금 연구개발비 등 운영자금 기타 (발행제비용) 총 계 사용금액 2,200백만원 4,286백만원 365백만원 6,851백만원
• 소자업체의 노후장비 성능개선, 기능변경 및 이설 • 매출비중 : 9 % • 히타치국제전기 장비 Set-up용역 및 A/S 대행 • 반도체소자업체 생산라인의 보수 용역 • 매출비중 : 13 %
(2002년 3분기말 기준)

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• 열 및 플라즈마 분위기 속에서 Source Gas간의 화학반응으로 형성된 입자들을 Wafer 표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정

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18
1-5
사업영역
반도체 장비제조 및 판매부터 A/S, 개조까지 Total Service
남과 다른점을 갖고 있는 회사
• 핵심기술력 보유 (히타치와의 합작으로 10년간 핵심기술이전) • 미국, 중국등 해외시장으로의 적극적인 진출 추진 • 히타치 국제전기의 장비설치 ·A/S용역 및 부품판매 독점권 확보
재무구조가 견실한 회사
• 200mm/300mm용 Diffusion Furnace & LP-CVD, LP-OXIDATION, ALD 장비 제조 및 판매 • 매출비중 : 63 %
반도체장비 제조 및 판매 부품 판매
• 반도체소자업체의 장비 유지보수에 필요한 부품 • 매출비중 : 15 %
장비개조 서비스
‘93년 설립당시 국내 반도체 수준 ’92년 DRAM 세계 1위 ’93년 Memory 세계 1위 반도체 재료 및 장비시장 95% 이상 외국에서 조달
‘93년 정부 및 반도체업체의 적극적인 지원
일본 히타치국제전기
• 세계적인 반도체장비
천안에 공단 지정
’93. 5. 24
합작
제조회사 • Furnace 및 CVD장비 기술의 선두
(공모희망최저가액 기준)
공모자금 사용계획
우리사주조합 배정(*3)
합 계
221,000주( 2.7%)
5,596,776주(68.2%)
(*1) 벤처투자 지분 : 1,200,000주(의무 보호예수 830,000주) (*2) 히타치국제전기 : 최대주주와 동일하게 의무보호예수 실시 (*3) 우리사주조합 : 274,174주(1년 예탁 : 221,000주)
• 첨단의 고도기술이 요구되는 반도체 전공정 장비제조로 높은
높은 부가가치를 창출하는 회사
부가가치 창출 • 1999년에서 2001년까지 12%이상의 높은 당기순이익율 유지 ( 설립이후 9년 연속 흑자 경영 )
시장을 선점하고 있는 회사
• 국내 Furnace & CVD시장에서 합작사와 함께 60%이상 M/S 유지 • Device Maker와의 차세대 장비 공동개발을 통하여 기회를 선점하고 지속적인 성장 가능
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국제엘렉트릭코리아 설립
외국인 투자유치

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17
1-3
반도체 산업구조
참여 반도체공정의 분야
반도체 장비산업 중 고부가가치인 전 공정에 참여
반도체소자산업
반도체장비산업
반도체원재료산업
전공정 반도체 공정
Wafer 제조 및 회로설계 Wafer가공 (Fabrication)
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후공정
조립 (Packaging) 검사 (Test)
전공정 프로세스
산화공정 (Oxidation)
감광액 (PR)
노광 현상 (Exposure) (Development)
식각 (Etching)
이온주입
화학기상 증착공정 (CVD)
금속배선
• 열 산화 분위기속에서 실리콘 Wafer 표면에 산화막을 형성시키는 공정
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2-3
경쟁사 및 시장점유율
경쟁사 및 시장점유율 현황
200mm Furnace & CVD
기타 T사 37% 3% 히타치국제전기 49%
300mm Furnace & CVD
기타 T사 39% 9% 히타치국제전기 35%