2、光刻机
3、刻蚀机
4、离子注入机
5、清洗机
6、划片机
同一功能有 不同型号设 备选择
7、芯片分选机
LED芯片的制造
从以上的的仪器设备可以看出， LED 芯片的制 造依靠大量的设备，而且有些设备价格昂贵。 LED 芯片质量依赖于这些设备和操作这些设备 的人员。 设备本身的制造也是 LED 生产的上游产业，一 定程度上反映国家的光电子的发展水平。
LED芯片制造的工艺流程
LED芯片制造的工艺流程 属LED上游产业 靠设备
内容
一、LED芯片制造设备 二、LED芯片衬底材料的选用
三、LED外延片的制作
四、LED对外延片的技术要求
五、LED芯片电极P极和N极的制作
六、LED外延片的切割成芯片
一、LED芯片制造用设备
外延片的制备：
• MOCVD：是制作LED芯片的最重要技术。
• MOCVD外延炉：是制造LED最重要的设备。
一台外延炉要 100 多万美元，投资最大
的环节。
电极制作设备：光刻机、刻蚀机、离子 注入机等。
衬底加工设备：减薄机、划片机、检测 设备等。
1、MOCVD设备
MOCVD——金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）
MOCVD反应系统的技术要求
提供洁静的环境。 反应物抵达衬底之前应充分混合，以确保外延 层的成分均匀。 反应物气流需在衬底的上方保持稳定的流动， 以确保外延层厚度均匀。 反应物提供系统应切换迅速，以长出上下层接 口分明的多层结构。
MOCVD参数实例
南京大学省光电信息功能材料重点实验室使用
4、蓝宝石衬底与碳化硅衬底的LED芯片
4、三种衬底的性能比较
三、LED外延片的制作
外延片制作技术分类 1、液相外延：红色、绿色LED外延片。 2、气相外延：黄色、橙色LED外延片。 3、分子束外延 4、金属有机化学气相沉积外延MOCVD
1、MOCVD设备工作原理
反应通气装置 反应腔
国产MOCVD设备
中国电子科技集团公司第四十八研究所

上游产业
2、国产MOCVD设备指标
产品描述：GaN-MOCVD设备是集精密机械、电子、 物理、光学、计算机多学科为一体，是一种自动化程 度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端电子专用设备， 用于GaN系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫 色LED芯片的制造，是国家半导体照明（白光LED） 工程实施中最为关键的芯片制造设备，也是光电子行 业最有发展前景的专用设备。
2、硅衬底
应用：目前有部分LED芯片采用硅衬底 ，如上面提到 的GaN材料的蓝光LED
3、碳化硅衬底
美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底
3、碳化硅衬底特点
电极： L 型电极设计，电流是纵向流动的，两个 电极分布在器件的表面和底部，所产生的热量可 以通过电极直接导出；同时这种衬底不需要电流 扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收， 这样又提高了出光效率。 导热：碳化硅衬底的导热性能（碳化硅的导热系 数为 490W/(m· K) ）要比蓝宝石衬底高出 10 倍以 上。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能 都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。 成本：但是相对于蓝宝石衬底而言，碳化硅制造 成本较高，实现其商业化还需要降低相应的成本。
结论： LED 芯片的 pn 结电极直接影响 LED 器 件的质量。
2、pn结电极的制作工艺
光刻 真空电子束蒸发
湿法腐蚀
剥离
3、pn结电极材料
p型电极：镍/铜（Ni/Au）——良好的透光性和 电学特性。
n型电极：进行合金化——目的减小电极之间的 影响。
但进行进行合金化的过程也会对 p型电极产生影 响，保持 p型电极在对 n型电极进行合金化的过 程中保持不变非常重要。
2、MOCVD设备操作培训与就业
2008 年 7 月 24 日，中国（深圳）国际半导体照明展览 会期间， “MOCVD技术国际短期培训班”。最新的 MOCVD技术。 “GaN基发光二极管结构表征方法” “基于MOCVD生产的高功率光电子器” “MOCVD硬件及维护” “用于产品监测的光学在位测量技术发展近况”
固态生长物的沉积
气态产物的扩散脱离
MOCVD方法
反应气体在衬底的吸附 表面扩散
化学反应
固态生成物的成核和生长 气态生成物的脱附过程等 注意：反应速率最慢的过程是控制反应速率的步骤， 也是决定沉积膜组织形态与各种性质的关键。
MOCVD反应系统结构
进料区 反应室
废气处理系统
1、蓝宝石作为衬底存的一些问题
（ 4 ）导热性能不是很好（在 100℃ 约为 25W/ （m· K））。 为了克服以上困难，很多人试图将GaN光电器件 直接生长在硅衬底上，从而改善导热和导电性 能。
2、硅衬底
硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善， 从而延长了器件的寿命。 电极制作：硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式， 分别是L接触（Laterial-contact ,水平接触）和V接触 （Vertical-contact，垂直接触），以下简称为L型电 极和 V 型电极。通过这两种接触方式， LED芯片内部 的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由 于电流可以纵向流动，因此增大了 LED的发光面积， 从而提高了LED的出光效率。
Eg由材料性质决定，可以通过调节外延材料的 组分调整Eg。
2、外延材料Biblioteka 发光复合几率大 LED的发光原理： pn 结处的空穴和电子的复合 发光，同时伴有热产生，复合几率大，则发光 效率高。 InGaAlP 材料，调整 Ga-Al 组分，改变 Eg ，得 到黄绿到深红的 LED 波长。但改变组分的同时 使得直接跃迁半导体材料变为间接跃迁，影响 发光效率。
影响蒸镀层的生长速率和性质的因素：
• 温度
• 压力 • 反应物种类 • 反应物浓度 • 反应时间
• 衬底种类
• 衬底表面性质等
参数由 MOCVD 软件计算，自动控制完成，同时要实 验修正摸索。
MOCVD方法
外延片生长中不可忽视的微观动力学问题 反应物扩散到衬底表面
衬底表面的化学反应
MOCVD参数实例
该设备承担并完成国家“863”、国防“973” 计划项目和江苏省自然科学基金等多项研究任 务。首次用 MOCVD 方法在 LiAlO2 衬底上实现 非极化 GaN/InGaN 量子阱生长和 LED 器件制备， 成果达到同期国际水平；研制的新型半导体 InN 材料其相关技术达到国际先进水平；制备高质 量的用于紫外探测器结构材料性能指标达到国 际先水平。
5、外延片检测
表面平整度
厚度的均匀性
径向电阻分布
5、外延片检测
外延片（晶圆） 抽取九个点做参数测试
5、SSP3112-W LED外延片光色电参数测试仪
杭州星谱光电科技有限公司
5、SSP3112-W LED外延片光色电参数测试仪
五、LED芯片电极P极和N极制作
1.1引脚封装结构中，看到LED结构有内部电极 和外部电极。 更一般的情况，任何半导体器件最终都要通过 电极引线与外部电路相连接。
二、LED芯片衬底材料的选用
LED芯片首要考虑的问题：衬底材料的选用。
选择衬底依据：根据设备和 LED 器件的要求进 行选择。
三种衬底材料
目前市面上一般有三种材料可作为衬底 蓝宝石（Al2O3） 硅 (Si) 碳化硅（SiC） 除了以上三种常用的衬底材料之外，还有GaAs、AlN、 ZnO等材料。
3、 p型n型两种外延材料的电导率要高
影响电导率的因素：掺杂浓度、温度、均匀性。
• 掺杂浓度：不应小于1×1017/cm3 • 参杂温度：MOCVD反应腔温度及材料特性
• 参杂均匀型： MOCVD气流平稳、气压
4、外延层的完整性
外延层的完整性：晶体的错位和空位缺陷，氧 气等杂质。 影响完整性的因素：不同的外延技术、同一外 延技术不同的设备，同一设备不同的操作人员。
MOCVD参数实例
设备参数和配置： 外延片3×2 英寸/炉
反应腔温度控制：1200℃ 压力控制：0～800Torr（1 Torr≈133.32Pa ） 激光干涉在位生长监测系统 反应气体：氨气，硅烷（纯度：6N=99.9999% ）
载气：氢气，氮气；（纯度：6N）
MOCVD 源 ： 三 甲 基 镓 (TMGa) ， 三 甲 基 铟 (TMIn), 三甲基铝(TMAl)，二茂基镁(Cp2Mg)
MOCVD参数实例
系统简介 本系统为英国Thomas Swan公司制造，具有世界 先进水平的商用金属有机源气相外延 (MOCVD) 材料 生长系统，可用于制备以GaN为代表的第三代半导体 材料。在高亮度的蓝光发光二极管 (LED) 、激光器 (LD)、日盲紫外光电探测器、高效率太阳能电池、高 频大功率电子器件领域中具有广泛的应用。
1、欧姆接触电阻
定义：电极金属与半导体接触部分——电极， 电流-电压（I-V）呈现线性关系，线性关系比 值 R=U/I，因此相当于一个阻值很小的电阻， 称为欧姆接触电阻。
欧姆电阻对LED器件的影响：欧姆电阻与内部 pn 结串联 → 如果欧姆电阻大，则 LED 正向工 作电压大，注入效率低→器件发热、亮度下降， 寿命缩短。
下面分别介绍三种材料的特点
1、蓝宝石衬底
蓝宝石衬底的优点：
生产技术成熟、器件质量好；
稳定性很好，能够运用在高温生长过程；
机械强度高，易于处理和清洗。
1、蓝宝石衬底
蓝宝石衬底应用
GaN基材料和器件的外延层。 对应LED：蓝光（材料决定波长）