实 验 报 告

实验名称： 二极管V—I特性曲线

课程名称： 电子技术实验（模拟）

一、实验目的

1、学习multisim 2001软件的使用方法。

2、学会使用Multisim中直流扫描分析方法来验证二极管的V-I特性曲线。

3、学习如何改变元器件的模型参数。

4、学习如何使用Multisim 2001 中的后处理程序对输出波形进行必要的数学处理。

二、实验步骤

1. 电路原理图

（图一 二极管V—I特性曲线电路图）

实验电路图如上图一所示。

直流电压源Vi与1N4148型二极管VD1串联，电流从电压源正极流出经过二极管回到电源。。

二极管两端电压降 = 电源电压V1。

关联方向流经VD1的电流 = 流经电源的电流的负值。

2.实验结果

（图二 二极管V—I特性曲线）

（1）DC sweep分析：

横坐标为V1，纵坐标为流经电源的电流。

输入值：初始值-120V，结束值20V，步长0.01。

结果如上图二所示。

得出结果若以Voltage（V）=0为对称轴翻折，即为二极管V—I特性曲线。

（图三 二极管V—I特性曲线）

后处理在变量vvi#branch（流经电源的电流）前取负号，即得关联方向流经VD1的电流。

电流如图三所示为经过后处理后得到的二极管V—I特性曲线。

横坐标为V1，纵坐标为流经二极管VD1的电流。

上图中，（1）部分为反向击穿，（2）部分为反向截止，（3）部分为正向导通。

（2）调整XY轴数据显示范围，观察门坎电压值

（图四 二极管V—I特性曲线） 1 2 3 调整输入范围纵横坐标0—2V，纵坐标-0.01V—1A。

观察图四，移动游标，读出门槛电压0.666V。

（3）调整XY轴数据显示范围，观察雪崩电压值

（图五 二极管V—I特性曲线）

调整输入范围横坐标-102—-98V，纵坐标-1—0.01A。

观察图五，移动游标，读出门槛电压-100.65V。 三、讨论与结论

1. 改变元器件模型参数的方法

选择菜单项“Edit-Component Properties”或者按Ctrl+M或者双击元件符号，弹出编辑对话框，然后就可以选择想要改变的参数进行修改了（打*的不能改）。

2.如何对输出波形进行必要的数学处理

点击“Simulate——Prostprocessor”启动后处理程序，选择“Analysis Results”区：用来存放已经进行过的仿真结果。双击要处理的Analysis Variables然后选择需要的Available

functions进行数学处理，确认即可！