n C2 l+ -
C l -
P d
S n 2 + Cl -
Cl -
S
C
n
l
2
-
+
C
l-
S
n
2
C
+
l
-
S
Cl
n
-
2
+ C
l-
C l-
Sn
C
2+
l
-
Cl Sn 2 + Cl -
Sn
C
2+
l-
C l -
C
l
-
Cl
-
Sn
2+
C l-
Sn 2 C+ l-
C l -
P d
Sn 2+
Cl -
Cl -
S
C
n
l
2
-
+
整孔 水洗 微蝕 水洗 預浸 活化 水洗 速化 水洗 化學銅 水洗
四、電鍍 ：
4-3-1 清潔整孔
清潔整孔Conditioner : 目的：清潔孔壁﹐並調整孔壁電性由負改正.
方法：利用可溶於微鹼性溶液之特殊表面潤濕劑 ( 親水端帶正電，疏水端帶負電 ) , 在清除孔壁上油污的同時,將孔璧之電性變更為正電性.
度 : 58 - 62℃
作 用 時 間 : 4 - 6 mins
清潔劑濃度 : 8 -12﹪v/v
整孔劑濃度 : 4 - 6﹪ v/v
攪
拌 : 過濾攪拌及機械攪拌
震 蘯 器 : 需要
注 意 事 項:
பைடு நூலகம்
1.連續的過濾能減少槽低的於淤泥﹐ 提高清潔整孔的效果﹒
2.玻纖處背光不良可適量加入整孔劑
3.建浴或補加液位必須用純水﹐因水中
Cl-
ClSn2+
Cl-
Sn2+
Cl-
ClSn2+
Cl-
Cl-
Pd Sn2+
Cl-
Sn2+
ClCl-
Sn2+ Cl-
Cl-
Cl-
ClSn2+
Cl-
Sn2+
Cl-
ClSn2+
Cl-
Cl-
Pd Sn2+
Cl-
Sn2+
ClCl-
Sn2+
Cl-
Cl-
ClCl-
Sn2+
Cl-
Sn2+
Cl-
ClPd
Sn2+ Cl-
操 作 條 件： 溫
度 : 30 – 34 ℃
作 用 時 間 : 1 – 2 mins
SPS 濃 度 : 40 - 80 g / l
H2SO4 濃度 : 3 - 5﹪ v/v 銅含量(Cu2+): < 20 g/l
微 蝕 速 率 : 30 - 70 microinch
攪
拌 : 循環泵(每小時循環3-4倍槽體積),
Sn
Cl
Sn
Sn
Sn
Sn
Pd
Pd
Sn
Sn
Sn
Sn
1.當吸附發生時,由於Cl會產生架橋作用，如果 孔內的Roughness不適當更可能造成問題。
2.當孔壁吸附了負離子團，即中和形成中和電性
四、電鍍 ：
孔璧吸附鈀膠體之過程
4-3-4 活化
Cl-
ClSn2+
Cl-
Sn2+
Cl-
ClCl-
Sn2+
ClPd
2
+ Cl
-
C
l
Cl
-
-
Sn
2
+
C
l
P
-S
d
n
C2
l+
-
C
Sn
l-
2
+
C l-
C l-
S
C
n
l
2
-
+
C
l
Sn
-
2+
C l-
S
C
n
l-
2
+ Cl
-
C
l
-
Cl -
Sn 2
+
C
l-
P
S
d
n
C2
l- +
Cl -
Sn 2 +
Cl -
Cl -
Sn
C
2+
l
-
C
l
S
-
n
2
C
+
l
-
S
C
n
l-
2
+ C
l-
C l-
Cl -
C
l
S
-
n
2
Cl
+
-
S
C
n
l-
2
+ Cl
-
C
l
Cl -
Sn 2
+
C
l-
P
Sn
d
2
C+
l-
Cl
Sn
-
2
+
Cl -
Cl -
S
C
n
l-
2
+
C
l
S
-
n
2
C
+
l-
Sn
C
2+
l-
Cl -
C l-
C l -
Sn 2 +
Cl
-
P
Sn
d
2+
Cl
-
Cl
S
-
n
2
+
C
l-
Cl -
Sn
C
2
l-
+
Cl
-
S
n
2
Cl
+
-
S
C
n
l-
四、電鍍 ：
4-3-3 預浸
預浸 ( pre-Activation )： 目的 : 1.保護昂貴的鈀槽﹐不受板子帶入雜質的污染﹒ 2.補充活化槽氯離子﹒ 3.防水帶入活化槽過多﹐造成活化槽局部水解﹒
操 作 條 件：
溫
度 : 22 - 28 ℃
作 用 時 間 : 0.5 – 1 min
氯化物 : 2–3 N
Cross links Sites
Entrapped Solvent Molecules 膨鬆劑攻入環氧樹脂分子架構中之示意圖
四、電鍍 ：
4-2-2 除膠渣
除膠劑(KMnO4): 利用七價紫色的高錳酸鹽( MnO4 )再高溫鹼液中會對樹脂表面產生一種類似 “ 微
蝕” 4的M氧n化O4反- 應﹢,而樹自脂身﹢卻4O降H為- 綠→色4 的Mn六O價4²-錳﹢( MCnOO2 4↑² ﹢)的2原H理2O , 其反應式如下所示 : 槽液需攪拌,溫度約 : 70 ~ 80℃ . 濃度: 180 ~ 220 g / l , 鹼度: 0.4 ~ 0.6 N
PCB各製程介紹
四、 電 鍍
教材編號:M-0006 REV:OO1
四、電鍍 ：
4-1 Deburr
1.目 的：鑽完孔後,孔內易殘有PP粉屑,及孔邊緣易留有斷銅絲或未切斷的玻纖,因其要斷不斷, 而且粗糙,若不將之去除,可能造成通孔不良及孔小,因此電鍍前會有〝 de-burr 〞製程 。
2.方 法：一般de-burr是用機器刷磨,當中會加入超音波及高壓沖洗之作業段以加強清潔效果.
Sn 2+
C l-
S n C2 l- +
C l-
P d
Sn 2 + C l-
速化 (Accelerator )： 目的:剝掉鈀膠體的外殼﹐露出膠體中心的鈀核﹒而使孔壁上的鈀具有催化作用,能 夠推動化銅槽的反應﹒
＊反應式：
PdSnCl4+4HBF4→Pd+4HCl+Sn(BF4)4
Cl -
C l-
S n
2
+
C
l-
P
Sn
d
2+
C
l-
Sn
Cl
2+
-
Cl -
C l-
C l-
Sn 2+
Cl-
注 意 事 項： 1.不可使用空氣攪拌﹒ 2. 不可用純水補加液位﹐當液位偏低時,用預浸槽液補充. 3. 當活化槽中氯化物N值低時,應從預浸槽補加,活化槽不作氯化物的補加 4. Activate濃度太低或溫度太低或處理時間太短可能造成鈀層太鬆散、太薄 而造成背光不良.
四、電鍍 ：
4-3-5 速化
KMnO4能將孔璧咬蝕成Micro-rough的原因:
當膨鬆劑軟化膨鬆樹脂時，因膨鬆劑攻擊樹脂之程度不同,造成各聚合物間之鍵結力 有強弱之分，如此使KMnO4咬蝕時產生選擇性，而形成所謂的Micro-rough(蜂窩狀) ,目的:增加鍍銅之結合力.
鑽孔後之孔璧情形
Desmear後之孔璧情形
四、電鍍 ：
3.電鍍前處理設備示意圖：
入料
磨刷
玻纖絲 銅面氧化
水 高壓 超音波 水 洗 水洗 水洗 洗
PP粉屑殘留
水洗
熱水 烘 乾 出料 洗
處理完成後之板面狀況
銅絲殘留
四、電鍍 ：
4 –2 Desmear 除膠渣製程介紹
1.目 的：當電路板在進行鑽孔制程時,其鑽頭與板材要快速切削摩擦中,會產生高溫高熱,而將板材 中的樹脂(如環氧樹脂板)予以軟化甚至液化,以致隨著鑽頭旋轉塗滿了孔壁,冷卻後即成為 一層膠渣.若此膠渣生於內層銅邊緣及孔壁區，則會造成P.I.(Poor lnterconnection) 。故為 確保內層板之銅孔環與孔銅壁之完全密接性,務必將裸孔壁上的膠渣予以清除,此動作 稱為：“除膠渣”Smear Removal 或 Desmear.