工作温度： -20~+85 储存温度： -55~+150 工作温度： -20~+70 储存温度： -55~+150
Android
FLASH
优
优
有
标准I2C
2.8~3.6V
Android
FLASH
优
优
有
标准I2C USB
2.8~3.6V
独立IOVCC
Android Win8
FLASH
优
优
－－
标准I2C USB
20*12
FT5402DQT
互容
推荐7-10.1寸
27*16
FT5206GE1
互容
推荐2.8-5寸
Sito：金属架桥，OGS Dito：G+G，G+F+F Sito：金属架桥，OGS Dito：G+G，G+F+F Sito：金属架桥，OGS Dito：G+G，G+F+F Sito：金属架桥，OGS Dito：G+G，G+F+F Sito：金属架桥，OGS Dito：G+G，G+F+F Sito：金属架桥，OGS Dito：G+G，G+F+F Sito：金属架桥，OGS Dito：G+G，G+F+F Sito：金属架桥，OGS Dito：G+G，G+F+F Sito：金属架桥，OGS Dito：G+G，G+F+F 横三角图案： GF,GG,OGS,GP,PF 横三角图案： GF,GG,OGS,GP,PF 横三角图案： GF,GG,OGS,GP,PF 竖三角2点图案： GF,GG,OGS,GP,PF 横三角图案： GF,GG,OGS,GP,PF 竖三角2点图案： GF,GG,OGS,GP,PF G1M – OGS结构单层互容 GFM – GF结构单层互容 GGM – GG结构单层互容 G1M – OGS 结构单层互容 GFM – GF结构单层互容 GGM – GG结构单层互容
互容
推荐5-7寸
建议RX≤12K，最大 不超过20K； QFN48/6*6mm 建议TX≤12K 建议RX≤12K，最大 不超过20K； QFN56/7*7mm 建议TX≤12K 建议RX≤12K，最大 QFN56/6*6mm 不超过20K； /0.35mm 建议TX≤12K pitch 建议RX≤12K，最大 不超过20K； QFN40/5*5mm 建议TX≤12K 建议RX≤12K，最大 不超过20K； 建议TX≤12K 建议RX≤12K，最大 不超过20K； 建议TX≤12K 建议RX≤12K，最大 不超过20K； 建议TX≤12K 建议RX≤12K，最大 不超过20K； 建议TX≤12K 建议RX≤12K，最大 不超过20K； 建议TX≤12K 建议RX≤12K，最大 不超过20K； 建议TX≤12K 建议RX≤12K，最大 不超过20K； 建议TX≤12K 建议RX≤12K，最大 不超过20K； 建议TX≤12K S≤20K S≤20K QFN48/6*6mm
FT5B26QSN
互容
推荐≤14.1寸
Sito：金属架桥，OGS Dito：G+G，G+F+F
建议RX≤12K，最大 BGA160L/10* 不超过20K； 5*0.6mm 建议TX≤12K
44*66
FT5C26QSP
互容
推荐≤15.6寸
Sito：金属架桥，OGS Dito：G+G，G+F+F
建议RX≤12K，最大 BGA160L/10* 不超过20K； 5*0.6mm 建议TX≤12K
FT5436iGQQ
单层多点
≤7”
RX+TX≤100K，支持 QFN48/5*5mm 全ITO设计 /0.35pitch （RX≤65K）
12*24
FT5336iGMR
单层多点
≤4.5”
G1M – OGS 结构单层互容 GFM – GF结构单层互容 GGM – GG结构单层互容 Sito：金属架桥，OGS Dito：G+G，G+F+F
优
优
－－
接近 悬浮 感应 触控
－－ －－
支持 多点
5
外围元件 数量
9C1R+1pcs磁 珠+1pcs esd 9C1R+1pcs磁 珠+1pcs esd 4C1R+1pcs磁 珠+1pcs esd
FPC外形 尺寸
13*9mm
全贴合 框贴
≥0.1mm ≥0.3mm ≥0.1mm ≥0.3mm ≥0.1mm ≥0.3mm
2.8~3.6V
独立IOVCC
Android Win8 工作温度： -20~+85 储存温度： -55~+150 Android Win8
FLASH
优
优
－－
标准I2C USB
2.8~3.6V
独立IOVCC
FLASH
优
优
－－
标准I2C USB
2.8~3.6V
独立IOVCC
Android Win8
FLASH
功能亮点
竞争对手 芯片
－－
－－
5
13*14mm
1、支持通道阻抗为20K的全ITO设计 2、高压制程工艺，抗干扰能力强 3、主要应用在MID COB设计，成本低
－－
－－
10
11*10mm
传统互容驱动芯片，精度、线性度高 、无边缘死区
－－
－－
5
4C1R+1pcs磁 珠+1pcs esd 4C1R+1pcs磁 珠+1pcs esd 4C1R+1pcs磁 珠+1pcs esd 4C1R+1pcs磁 珠+1pcs esd 4C1R+1pcs磁 珠+1pcs esd 4C1R+1pcs磁 珠+1pcs esd 4C1R+1pcs磁 珠+1pcs esd 4C1R+1pcs磁 珠+1pcs esd 6C1R+1pcs磁 珠+1pcs esd
48*72
注：FT6336与FT6306 Pin对Pin，FT6236与FT6206 Pin对Pin
通讯接口
供电电源
接口驱动 电压
与供电电压 一致 与供电电压 一致 程序可调 （1.8-供电 电压） 程序可调 （1.8-供电 电压） 程序可调 （1.8V-供电 电压） 独立IOVCC
电流
温度(℃ )
Android
OTP
常规
常规
－－
标准I2C
2.8~3.6V
工作电流：6mA 待机电流：4mA 睡眠电流：30uA
Android
OTP
常规
常规
－－
标准I2C
2.8~3.6V
工作电流：6mA 待机电流：4mA 睡眠电流：30uA
Android
FLASH
常规
常规
－－
标准I2C
2.8~3.6V
Android 工作温度： -20~+85 储存温度： -55~+150
FLASH
常规
常规
－－
标准I2C
2.8~3.6V
Android
FLASH
常规
常规
－－
标准I2C
2.8~3.6V
独立IOVCC 程序可调 （1.8-供电 电压） 程序可调 （1.8-供电 电压） 独立IOVCC 工作电流：15mA 待机电流：8mA 睡眠电流：30uA
Android
FLASH
常规
常规
－－
48*36 22CH 28CH
FT6336DMB 自容 自容 FT6436DQf 自容
S≤20K
QFN48/6*6mm
36CH
S≤20K
QFN56/6*6mm /0.35mm pitch
46CH
FT5306iGMJ
单层多点
≤4.5”
RX+TX≤80K，支持 全ITO设计
QFN40/5*5mm
11*16
15*10
FT5306DE4
互容
推荐5-7寸
20*12
FT5216GM7
互容
推荐2.8-5寸
QFN40/5*5mm
16*10
FT5316DME
互容
推荐5-7寸
QFN48/6*6mm
21*12
FT5406EE8
互容
推荐7-10.1寸
QFN68/8*8mm QFN56/6*6mm /0.35mm pitch QFN68/8*8mm QFN88/10*10 mm BGA116L QFN32/4*4mm QFN40/5*5mm
建议RX≤12K，最大 BGA160L/10* 不超过20K； 5*0.6mm 建议TX≤12K
36*48
FT5926QSM
互容
推荐≤12.5寸
Sito：金属架桥，OGS Dito：G+G，G+F+F
建议RX≤12K，最大 BGA160L/10* 不超过20K； 5*0.6mm 建议TX≤12K
40*58
标准I2C
2.8~3.6V
标准I2C
2.8~3.6V
工作电流：6mA 待机电流：4mA 睡眠电流：30uA
Android
FLASH
常规
常规
－－
Android
FLASH
常规
常规
－－
标准I2C
2.8~3.6V
Android 工作温度： -20~+85 储存温度： -55~+150