基极-发射极电压
fT
Transitionfrequency
特征频率
C
Collectoroutputcapacitance
共基极输出电容
C
Collectorinputcapacitance
共基极输入电容
F
Noisefigure
噪声系数
t
Turn-ontime
开通时间
t
Turn-offtime
关断时间
tr
工作结温
T
StorageTemperatureRange
存储温度
R
ThermalResistancefromJunctiontoAmbient
结到环境的热阻
PIN二极管
VR
Continuousreversevoltage
反向直流电压
IF
Continuousforwardcurrent
正向直流电流
VF
结温
T
storagetemperaturerange
存储温度
普通晶体管
V
Collector-Basevoltage
发射极开路,集电极-基极电压
V
Collector-emittervoltage
基极开路,集电极-发射极电压
V
Emitter-basevoltage
集电极开路,发射极-基极电压
IC
Collectorcurrent
工作结温
Tstg
storagetemperaturerange
存储温度
稳压管
VI
inputvoltage
输入电压
Vo
outputvoltage
输出电压
ΔVo
Loadregulation
输出调整率
ΔVo
Lineregulation
输入调整率
Iq
quiescentcurrent
偏置电流
ΔIq
quiescentcurrentchange
关断状态阴极电流
|ZKA|
Dynamicimpedance
动态阻抗
数字晶体管
V
Supplyvoltage
直流电压
V
inputvoltage
输入电压
IO
outputcurrent
输出电流
PD
Powerdissipation
功率损耗
V
Input-offvoltage
输入截止电压
V
Input-onvoltage
偏置电流变化量
VN
Outputnoisevoltage
输出噪声电压
RR
Ripplerejection
纹波抑制比
Vd
dropoutvoltage
降落电压
Isc
shortcircuitcurrent
短路输出电流
Ipk
peakcurrent
峰值输出电流
T
operatingjunctiontemperaturerange
Forwardvoltage
正向电压
IR
Reversecurrent
反向电流
Cd
diodecapacitance
二极管电容
rd
diodeforwardresistance
二极管正向电阻
P
totalpowerdissipation
总的功率损耗
Tj
JunctionTemperature
结温
T
storagetemperature
控制极触发电压
IH
Holdingcurrent
维持电流
I
Peakrepetitiveoff-statecurrent
断态重复峰值电流
I
Peakrepetitivereversecurrent
反向重复峰值电流
P
Averagegatepowerdissipation
控制极平均功率
Tj
operatingjunctiontemperaturerange
正向平均电流
IR
ReverseCurrent
反向电流
I
Non-RepetitivePeakForwardSurgeCurrent
正向浪涌电流
VF
ForwardVoltage
正向直流电压
Cj
TypicalJunctionCapactiance
结电容
PD
PowerDissipation
耗散功率
Tj
OperatingJunctionTemperature
栅-源短路的漏极电流
r
Drain-sourceon-resistance
漏源通态电阻
g
Forwardtrrwardvoltage
漏源间体内反并联二极管正向压降
C
Inputcapacitance
栅-源电容
C
Outputcapacitance
漏-源电容
C
Reversetransfercapacitance
反向传输电容
Rg
Gateresistance
栅极电阻
t
Turn-ondelaytime
开通延迟时间
tr
Risetime
上升时间
t
Turn-offdelaytime
关断延迟时间
tf
Falltime
下降时间
I
Pulseddraincurrent
最大脉冲漏电流
PD
Powerdissipation
耗散功率
Tj
基极开路,集电极-发射极反向电压
V
Emitter-basebreakdownvoltage
集电极开路,发射极-基极反向电压
I
Collectorcut-offcurrent
发射极开路,集电极-基极截止电流
I
Emittercut-offcurrent
集电极开路,发射极-基极截止电流
I
Collectorcut-offcurrent
Tj
junctiontemperature
结温
T
storagetemperaturerange
存储温度
V
Collector-basevoltage
发射极开路,集电极-基极反向击穿电压
V
Collector-emittervoltage
基极开路,集电极-发射极反向击穿电压
V
Emitter-basevoltage
基极开路,集电极-发射极截止电流
h
DCcurrentgain
共发射极正向电流传输比的静态值
V
Collector-emittersaturationvoltage
集电极-发射极饱和电压
V
Base-emittersaturationvoltage
基极-发射极饱和电压
V
Base-emittervoltage
集电极开路,发射极-基极反向击穿电压
MOS管
ID
Continousdraincurrent
漏极直流电流
V
Gate-sourcevoltage
栅-源电压
V
Drain-sourcevoltage
漏-源电压
E
singlepulseavalchaneenergy
单脉冲雪崩击穿能量
R
Thermalresistancefromjunctiontoambient
反向工作峰值电压
VF
Forwardvoltage
正向电压
IF
Forwardcurrent
正向电流
IT
Testcurrent
测试电流
可控硅
V
Peakrepetitiveoff-statevoltage
断态重复峰值电压
V
Peakrepetitivereversevoltage
反向重复峰值电压
I
RMSOn-statecurrent
结到环境的热阻
R
Thermalresistancefromjunctiontocase
结到管壳的热阻
V
Drain-sourcebreakdownvoltage
漏源击穿电压
V
Gatethresholdvoltage
栅源阈值电压
I
Gate-bodyleakagecurrent
漏-源短路的栅极电流
I
Zerogatevoltagedraincurent
存储温度
TVS二极管
I
Maximumreversepeakpulsecurrent
峰值脉冲电流
VC
Clamplingvoltage
钳位电压
IR
Maximumreverseleakagecurrent
最大反向漏电流
V
Breakdownvoltage
击穿电压
V
Workingpeakreversevoltage
额定通态电流
I
Nonrepetitivesurgepeakon-statecurrent
通态非重复浪涌电流
I
Forwardpeakgatecurrent
控制极重复峰值电流
V
peakforwardon-statevoltage
通态峰值电压
I
Gatetriggercurrent
控制极触发直流电流
V
Gatetriggervoltage
基准输入电流
PD
Powerdissipation
耗散功率