第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的_五_价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为—自由电子_,少数载流子为_空穴—，不能移动的杂质离子带 _正_电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的_三_价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为—空穴_，少数载流子为_自由电子_，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由—发射一区、_基_区、—集电区_区及—发射一结和—集电一结组成的。

三极管对外引出的电极分别是—发射—极、_基_极和—集电—极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向—相反_，有利于—多数载流子—的_扩散—运动而不利于—少数载流子_的_漂移_; PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向—一致_，有利于—少子—的_漂移_运动而不利于 _多子_的_扩散—，这种情况下的电流称为—反向饱和—电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由_P_向—N_区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由_N_向—P_区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个—空间电荷区_，其方向由_N 区指向_P_区。

—空间电荷区_的建立，对多数载流子的—扩散一起削弱作用，对少子的_漂移一起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，_PN结_形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的_R X 1K_档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的_阴_极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 _阳_极。

检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被—击穿两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经_绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为 _场效应（MOS） _管。

其导电沟道分有_N_沟道和_P_沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的_面_接触型_硅晶体_二极管，正常工作应在特性曲线的 _反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免_栅_极悬空，务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

（对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R X10K档位。

（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。

（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。

（错）6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。

（对）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。

（错）&当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。

（错）9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。

（错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。

（错）三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（ C ）。

A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A ）元素构成的。

A 、三价；B 、四价；C 、五价；D 、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是（C ）。

A 、导通状态；B 、截止状态；C 、反向击穿状态；D 、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K Q ，说明该二极管（ C ）。

A 、已经击穿；B 、完好状态；C 、内部老化不通；D 、无法判断。

5、 PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。

A 、多子扩散；B 、少子扩散；C 、少子漂移；D 、多子漂移。

6、 测得NPN 型三极管上各电极对地电位分别为 V E = 2.1V , V B = 2.8V , V C = 4.4V ，说明此三极管 处在（A ）。

A 、放大区；B 、饱和区；C 、截止区；D 、反向击穿区。

D 、无法判断。

C ）。

C 、正弦半波；D 、仍为正弦波。

极 管 超 过C ）所示极限参数时，必定被损坏。

A 、集电极最大允许电流 I CM ；B 、集一射极间反向击穿电压 U （BR ） CEO ；C 、集电极最大允许耗散功率P CM ； D 、管子的电流放大倍数 -o10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C ）A 、发射结正偏、集电结正偏；B 、发射结反偏、集电结反偏；C 、发射结正偏、集电结反偏；D 、发射结反偏、集电结正偏。

四、简述题：（每小题4分，共28分）1、 N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P 型半导体中的多子是带正电的空穴载流子， 因此说N 型半导体带负电，P 型半导体带正电。

上述说法对吗？为什么？答：这种说法是错误的。

因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获 得了 N 型半导体或P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。

2、 某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚① 12V 、管脚②3V 、管脚③3.7V ,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

答：管脚③和管脚②电压相差 0.7V ，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和 ③的电位都高，所以一定是一个 NPN 型硅管。

再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极， 管脚③是基极，管脚①是集电极。

3、图1-29所示电路中，已知 E=5V , u i =10sin t V , 元件（即认为正向导通时电阻 R=0 ,反向阻断时电阻 R=s ）, 波形。

答:分析：根据电路可知，当U i >E 时，二极管导通U 0=U i , 极管截止时，u °=E 。

所以U 0的波形图如下图所示：7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C ）A 、较大；B 、较小；C 、为零； &正弦电流经过二极管整流后的波形为（A 、矩形方波；B 、等腰三角波；9、三二极管为理想 试画出 u 0的当U i <E 时，二 u/V23 t4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。

单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。

5、图1-34所示电路中，硅稳压管D zi的稳定电压为8V, D Z2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，求各电路的输出电压U o。

答：（a）图：两稳压管串联，总稳压值为14V，所以U o=l4V ；（b）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此U°=6V ；（c）图：两稳压管反向串联，U o=8.7V ；（d）图：两稳压管反向并联，可认为DZ1截止不通，则U°=0.7V。

6、半导体二极管由一个PN结构成，三极管则由两个PN结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。

因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。

R--------20 V□ ---------(a)图1-307、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。

因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。

五、计算分析题：（共17分）1、图1-31所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。

分）(1)U CE=3V , I B=60A , I C=？(2)I c=4mA , U CE=4V , I CB=？(3)U CE=3V , I B由40~60 JJ A时，3 = ？R+20 VO+(d)(8图 1-31解：A 区是饱和区，B 区是放大区，C 区是截止区。

(1) 观察图6-25，对应I B =60^ A 、U CE =3V 处，集电极电流I C 约为3.5mA ; (2) 观察图6-25，对应I c =4mA 、U CE =4V 处，I B 约小于80卩A 和大于70卩A ; (3) 对应△I B =20 卩 A 、U CE =3V 处，A I C ~ 1mA ，所以 鹫 1000/20~ 50。

2、已知NPN 型三极管的输入一输出特性曲线如图 1-32所示，当(1) U BE =0.7V , U CE =6V , I C =? (2) I B =50 A , U CE =5V , I C = ?(3) U CE =6V , U BE 从0.7V 变到0.75V 时，求I B 和I C 的变化量，此时的1：=? (9分) 解：(1)由(a )曲线查得U BE =0.7V 时，对应I B =30A A ，由(b)曲线查得lc ~ 3.6mA ;(a )输入特性曲线(b )输出特性曲线图 1-32(2 )由(b )曲线可查得此时 lc ~ 5mA ; (3)由输入特性曲线可知，U BE 从0.7V 变到0.75V 的过程中，A I B 沁30 A A ，由输出特性曲线可知,△l C ~ 2.4mA ，所以 N 2400/30〜80。

第2章 检测题(共100分，120分钟)一、填空题：(每空0.5分，共21分)1、 基本放大电路的三种组态分别是： _共发射极 放大电路、_共集电极一放大电路和_共基极一放大 电路。

2、 放大电路应遵循的基本原则是： _发射—结正偏；_集电一结反偏。

3、 将放大器一输出信号一的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 一反馈一信号。

使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为_负_反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为_正_反馈。

放大电路中常用的负反馈类型有_电压串联_负反馈、—电流串联—负反I C (mA)-U CE(V)5 4 3 2 180 g A 60 g AB40 g A 1 2 3 4 5 620 g A I B = 0馈、—电压并联_负反馈和_电流并联_负反馈。

4、射极输出器具有_电压增益_恒小于1、接近于1，—输入信号_和_输出信号—同相，并具有—输入电阻_高和—输出电阻—低的特点。

5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为_上_削顶。

若采用分压式偏置电路，通过_反馈环节_调节—合适的基极电位_，可达到改善输出波形的目的。