《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N 型半导体中，多数载流子是；在P 型半导体中，多数载流子是 。

2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（ ）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。

A 空穴B 三价元素硼C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型D N 沟道耗尽型MOS 型E N 沟道结型F P 沟道结型 图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

+++----D1D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2RcRL C1CeC1C2L15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2UccUccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsRR R 2R Uo1Uo2Uo4++1A1A2A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5+++++-----D1D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2Rc RL C1CeC1C2L15V 8V 50K 2.5K B=50UoUi+5V Rf Re1Re2UccUccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsRRR2RUo1Uo2Uo4++1A1A2A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（）。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U2＝24V，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L的电压值约为21.6V，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况B R L开路C C开路D 一个二极管和C开路E 一个二极管开路F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。

A 电压串联B 电压并联C 电流串联D 电流并联10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（）A D1导通，D2导通B D1导通，D2截止C D1截止，D2导通D D1截止，D2截止三、判断题（）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。

（）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。

（）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。

（）4、用电流源代替R e后电路的差模倍数增加。

（）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。

（）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管时）才能组成复合管。

（）7、RC桥式振荡电路只要Rｆ≤2R１就能产生自激振荡。

（）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。

（）9、电压负反馈可以稳定输出电压。

（）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。

四、分析题电路如图所示：（1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。

（2）电阻R3和二级管D1、D2的作用是什么？（3）静态时T4管射级电位U E4 =？负载电流I L =？（4）动态时，若输出V O出现正负半周衔接不上的现象，为何失真？应调哪个元件？怎样调才能消除失真？（5）判断级间反馈为何种组态?深度负反馈时，电路的闭环增益应为多少?（6）求负载R L上最大输出幅度Vom和最大输出功率Pom。

（设V CES=0V，R L=24Ω）（7）若R f=100kΩ，R b2=2kΩ，求R L上输出幅度最大时，输入V I的有效值为多少？五、计算题1、电路如图所示，晶体管的β＝60，'100bb r =Ω。

（1）求电路的Q 点。

（2）画出微变等效电路，并计算u i oA R R g、、。

（3）设U s ＝10mV （有效值），问U i ＝？U o ＝？若C 3开路，则U i ＝？U o ＝？2、如图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'100bb r =Ω，U BEQ ≈0.7。

试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I EQ ，以及动态参数A d 和R i 。

3、电路如图所示，设集成运放均有理想的特性，写出输出电压uo 与输入电压u I1、u I2的关系式。

《模拟电子技术》复习题一参考答案一、填空题1、自由电子，空穴。

2、绝缘栅型，电压3、共射4、输入5、负反馈6、饱和，放大，截止7、放大电路，选频网络，正反馈网络，稳幅环节二、选择题1、B2、B3、D4、B5、C6、A7、A8、C9、C 10、B三、判断题1、√2、√3、×4、×5、√6、×7、×8、√9、√ 10、√四、分析题答：（1）输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为无输出电容的功率放大电路。

（2）消除交越失真。

（3） U E4 =0， I L =0。

（4）为交越失真。

应调Ｒc3 ，应将阻值调大。

（5）电压串联负反馈。

221b fb I O uf R R R F V V A +=== （6）VV M om 9.=（幅值）或V V om 29=(有效值)WR V P L om om 69.12429222=⨯==(7) 5121002=+=uf AV A V V uf om I 125.05129===五、计算题 1、解：（1）Q 点：（2）画出微变等效电路i iu LR动态分析：（3）设U s ＝10mV （有效值），则若C 3开路，则2、解：R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下：A d和R i分析如下：3、解：由图可知，运放A1、A2组成电压跟随器，运放A4组成反相输入比例运算电路运放A3组成差分比例运算电路以上各式联立求解得：《模拟电子技术》复习题二一、填空题1、当PN结外加正向电压时，P区接电源极，N区接电源极，此时，扩散电流漂移电流。

2、二极管最主要的特性是。

3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。

由图1-3可知，中频放大倍数|A vm |=__ __。

图1-3 图1-74、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __，该放大器的理想效率为__ __，每个管子所承受的最大电压为__ _____。

5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。

6、小功率直流稳压电源由变压、 、__ __、 四部分组成。

7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型，用半导体材料___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和___________。

二、选择题图2-3 图2-8 图2-9 图2-10 1、图2-3所示复合管中，下列答案正确的是( )。

A NPN 型 B PNP 型 C 不正确2、N 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。

A 空穴 B 三价元素 C 五价元素3、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝2Ｖ，V 2＝2.7Ｖ， V 3＝6Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

A 1：e 、2：b 、3：c B 1：c 、2：e 、3：bC 1：c 、2：b 、3：eD 其它情况 4、用万用表直流电压档测得电路中PNP 型晶体管各极的对地电位分别是：V b ＝－12.3Ｖ，V e ＝－12Ｖ，V c ＝－18Ｖ。

则三极管的工作状态为（ ）。

A 放大 B 饱和 C 截止 5、判断图2-5电路中的反馈组态为（ ）。

A 电压并联负反馈 B 电压串联负反馈C 电流串联负反馈D 电流并联负反馈6、已知降压变压器次级绕组电压为12V ，负载两端的输出电压为10.8V ，则这是一个单相图2-2图3.1图2-3图2-4A1A2A3A1+++---R R R R R2R 2RL1L2C UccUgsRLUo1Uo2Uo +-RbRc RbRb1Rb2Re1Re2Rc RLC1Ce C1C2L2.5KB=50Uo+5VRf Re1Re2Ucc Ucc UccC2usRsR R2R 2R Uo4+-Uo A4图2-2图2-6图2-4图2-5( )电路．A 桥式整流B 半波整流C 桥式整流电容滤波D 半波整流电容滤波7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。

A 差B 好C 差不多8、某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为( )。

A P沟道增强型MOS管B P沟道结型场效应管C N沟道增强型MOS管D N沟道耗尽型MOS管9、设图2-9所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（）A D1导通，D2导通B D1导通，D2截止C D1截止，D2导通D D1截止，D2截止10、图2-10所示电路是( ) 。

A差分放大电路B镜像电流源电路C微电流源电路三、判断题( )1、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。

( )2、放大的实质不是对能量的控制作用。

( )3、功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。

( )4、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。

( )5、集成运放是直接耦合的多级放大电路。

( )6、电压串联负反馈有稳定输出电压和降低输入电阻的作用。

( )7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。

( )8、反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。