高温热处理炉操作说明书
1.打开加热系统和插线板电源开关，插入混气系统和真空系统插座。

2.放样品。

打开左侧炉盖的六角螺母，拿掉法兰，勾出2个炉衬，放入氧化铝
坩埚和样品，放回炉衬，重新封装管口，在管口密封圈处涂抹真空脂。

一定避免转动炉管。

3.打开混气系统电源，提前预热10min。

打开氩气瓶，指针为红线位置。

4.洗气步骤：
4.1.开分子泵电源，开工作键，开TV5挡板阀，抽到5×10-1 mbar后，
关闭键以关闭分子泵，按分子泵面板上的键调至309，观察分子泵转动频率（actual spd），等待其转动频率降至150 Hz。

4.2.对TV1混气系统，将流量计set键旋钮调至最小，看面板是否显示0，
否则使用Zero调0，拧开进气阀TV1，打开MFC1的purge，充“P”圆表至
0.04 MPa，打到MFC1的off键，关闭充气。

打开TV3和TV4进气阀，冲
入炉管，洗气。

关闭TV3和TV4。

5.洗气后，打开工作键，继续抽真空至8×10-5 mbar后，按工作键关闭分
子泵，待速度降至300 Hz。

6.打开MFC1的auto，打开TV3和TV4，调节右侧的set键至180 ml/min，向
炉腔充气，待充气系统面板中“P”圆表至0 MPa后，关闭TV5挡板阀。

继续充气，至混气系统面板中“P”圆表至0.04 MPa的正压后。

调节流量计set键旋钮为50-70 ml/min，此时打开TV7出气口
7.加热过程（从0度开始）。

7.1.使用前尽量烘干炉管。

即设置120度保温1 h，300度2 h。

设置步骤
为：按键一秒进入设定状态，0，30，120，60，120，40，300，120，300，60，50，-121（这些数字代表温度，时间，每个输入的数字之间按
键确认，最后使用-121键结束。

键将指针定位至需修改数字位置处，
使用和键调节数字）。

同时按和键返回主界面，然后按绿色“Turn on”，按“R un”键二秒开始运行加热。

7.2.7.2 按照实验所需的热处理过程设置试验参数。

加热速度一般在前期
为5度/min。

升温速率一般不要超过10度/min。

降温速率在500度之前为5度/min，一般设置到300度，然后再时间上设置-121。

50度以下才允许打开炉门。

8.热处理过程结束后，按“S top”键，按红色“Turn off”键，拧回Lock键。

9.关闭TV7，关闭TV3和TV4，关闭TV1，关闭气瓶，关闭真空系统电源
10.待样品完全冷却后取出样品，放回氧化铝炉衬，打开分子泵抽，打开挡板阀
TV5，抽至抽到5×10-1 mbar，关闭挡板阀TV5，关闭分子泵电源，关闭真空系统面板电源。

11.关闭加热系统和插线板电源开关，拔下混气系统和真空系统插座。

注意事项
1.设备最高温度为1700度，使用温度为1200-1300度。

最好不要再400-700度
使用，低温会使MoSi棒很快氧化。

2.禁止在1600度时用石英真空封管封装样品，因为此时将会发生爆炸。

3.加热速度一般在前期为5度/min。

升温速率一般不要超过10度/min。

降温速
率在500度之前为5度/min，一般设置到300度，然后再时间上设置-121。

4.如果要求一边加热，一边用氩气保护，则要等“P”圆表至0.04 MPa，即保持
管内为正压，才能把排气口TV6打开
5.加热时，气体挥发，如果出气口不开，那么有可能爆炸，里面不应该放挥发
性物质
6.拧TV5挡板阀或者开炉盖时，一定要用手护着炉管，防止炉管扭转
7.随时监控a. 炉腔内的气体压力，防止压力过大造成炉管爆炸，还要防止压
力过小外面空气回流进入炉管造成氧化
8.因处理温度过高，实验人员必须随时监控实验进程
9.真空系统面板出现F117时，表明环境温度过高，可打开侧盖散热
10.按分子泵面板上的键调至340可观察真空度
11.混气系统最高正压为0.05 MPa。

purge键为清洗键，瞬间满量程，轻易不要
打开。

每次使用前应打开后面插座预热10 min，看MPC1是否显示0，否则使用Zero调0。

12.每次封装管口法兰时都应该将法兰和波纹管用酒精洗干净，然后用滤纸擦干
后，涂抹真空脂
13.炉管护套应该放置到固定位置，以防止段管，两端露出法兰长度一致，每次
抽完真空，炉管会有一定偏移，应及时校正。

14.做实验时一定不能打开分子泵吸气，否则将会吸入粉尘，损害分子泵
15.如果炉管发生断裂，请按急停OUT键。