1 普通二极管、稳压管
1.1用大于号（>）、小于号（<）或等于号（=）填空：
1.在本征半导体中，电子浓度＿＿空穴浓度；
2.在P型半导体中，电子浓度＿＿空穴浓度；
3.在N型半导体中，电子浓度＿＿空穴浓度。

【答案】1. =；2. <；3. >。

1.2选择括号中的答案填空（只填答案号a、b、c……）1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于＿＿，而
少数载流子的浓度则与＿＿有很大关系。

（a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺陷）
2.当PN结外加正向电压，扩散电流＿＿漂移电流，耗尽层
＿＿。

当PN结外向反向电压时，扩散电流＿＿漂移电流，耗尽层＿＿。

（a.大于，b.小于，c.等于，d.变宽，e.变窄，f.不变）
【答案】1.c,a;
2.a,e,b,d.
未加电压时，二者平衡。

由平衡-PN窄（扩散〉漂移）；由平衡-PN宽（扩散<漂移）
1.3判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。

1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获
得。

（）
2.在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P
型半导体。

（）
3.P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（）
4.PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

（）
5.漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

（）
6.由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两
端短路时就有电流流过。

（）
7.PN结方程可以描述PN结的正向特性，也可以描述PN
结的反向击穿特性。

（）
【答案】题2、5正确，其余都错误。

1.5填空：
1.二极管的最主要特性是＿＿，它的两个主要参数是反映正
向特性的＿＿和反映反向特性的＿＿。

2.在常温下，硅二极管的开启电压约＿＿V，导通后在较大
电流下的正向压降约＿＿V；鍺二极管的开启电压约＿＿V，导通后在较大电流下的正向压降约＿＿V。

【答案】1.单向导电，最大平均整流电流
I,最大反向工作
F
电压
U。

R
2. 0.5，0.7；0.1，0.2。

1.7选择正确的答案填空。

1.在如图1.8所示的电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是＿＿。

（a. I=2mA, b.I<2mA, c.I>2mA）
2.设电路中保持V=5V不变。

当温度为20℃时测得二极管的
电压
U=0.7V.当温度上升到40℃时，则D U的大小将是＿D
＿。

（a. 仍等于0.7V， b.大于0.7V， c.小于0.7V）
【答案】1. c；2. c。

1.8选择正确的答案填空。

电路如图1.9所示。

已知二极管的反向击穿电压为20V，当V=5V、温度为20℃时I=2µA。

1.若电源电压由5V增大到10V，则电流I约为＿＿。

（a.10µA,
b. 4µA,
c. 2µA,
d. 1µA）
2.当电源电压保持5V，温度由20℃下降到10℃时，则电流
I约为＿＿。

（a.10µA, b. 4µA, c. 2µA, d. 1µA）
3.按通常规定，此二极管的最大反向工作电压为＿＿。

（a.
20V, b. 15V, c. 10v, d.5v）
【答案】1.c；2.d；3.c。

解释：3.最大反向工作电压URM：它是指允许加在二极管上的反向电压的最大值，为安全起见，URM约为反向击穿电压UBR的一半。