mur1060二极管参数
MUR1060二极管是一款超快恢复二极管，具有反向恢复时间短、反向耐压高、正向电流大、结电容小等优秀特点。

以下是MUR1060二极管的具体参数：
反向恢复时间（trr）：35 ns。

反向重复峰值电压（VRRM）：600 V。

最大平均整流电流（IO）：10 A。

非重复峰值正向电流（IFSM）：120 A。

正向电压降（VF）：1.45 V【连续正向电流（IF）=10 A】。

反向漏电流（IR）：5 μA【环境温度（Ta）=25 ℃】。

结电容（Cj）：40 pF。

反向方均根电压（VR(RMS)）：420 V。

封装：TO-220AC。

MUR1060二极管采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。

其工作时耐温度范围为-55℃~150℃，具有较高的温度适应性。

同时，该二极管还具有较小的结电容，能够降低电路的损耗和反向恢复电荷，提高电路的稳定性和可靠性。

MUR1060二极管在反向恢复时，能够迅速从反向导通状态恢复到
截止状态，减小了反向恢复电流的连续时间，从而减小了电磁干扰（EMI）和开关损耗。

此外，其较小的结电容也降低了传输延迟和反向恢复电荷，适用于高频和高功率应用。

MUR1060二极管是一款性能优异、可靠性高、适应性强、应用广泛的超快恢复二极管。

其参数全面、特性优良，可满足不同领域的需求。