第一章2. 如图所示,设小面源的面积为∆A s ,辐射亮度为L e ,面源法线与l 0的夹角为θs ;被照面的面积为∆A c ,到面源∆A s 的距离为l 0。
若θc 为辐射在被照面∆A c 的入射角,试计算小面源在∆A c 上产生的辐射照度。
解:亮度定义:r r ee A dI L θ∆cos =强度定义:ΩΦ=d d I e e可得辐射通量:Ω∆=Φd A L d s s e e θcos在给定方向上立体角为:2cos l A d cc θ∆=Ω 则在小面源在∆A c 上辐射照度为:2cos cos l A L dA d E cs s e e e θθ∆=Φ=3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天空背景),其各处的辐亮度L e 均相同,试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。
答:由θcos dA d d L e ΩΦ=得θcos dA d L d e Ω=Φ,且()22cos r l A d d +=Ωθ则辐照度:()e e e L d rlrdrl L E πθπ=+=⎰⎰∞20022227.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射度M 。
试有普朗克的辐射公式导出M 与温度T 的四次方成正比,即 M=常数4T ⨯。
这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律,其中常数为5.6710-8W/m 2K 4解答:教材P9,对公式2151()1e C TC M T eλλλ=-进行积分即可证明。
第二章3.对于3m 晶体LiNbO3,试求外场分别加在x,y 和z 轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟(这里只求外场加在x 方向上)解:铌酸锂晶体是负单轴晶体,即n x =n y =n 0、n z =n e 。
它所属的三方晶系3m 点群电光系数有四个,即γ22、γ13、γ33、γ51。
电光系数矩阵为:L e∆A s∆A cl 0θsθc第1.2题图⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡--=0000000002251513313221322γγγγγγγγγij 由此可得铌酸锂晶体在外加电场后的折射率椭球方程为:12)(2)1()1()1(2251233121322202152220=-++++++++-xy E xz E yz E z E n y E E n x E E n x x z z ez y z y γγγγγγγ (1)通常情况下,铌酸锂晶体采用450-z 切割,沿x 轴或y 轴加压,z 轴方向通光,即有E z =E y =0,且E x ≠0。
晶体主轴x,y 要发生旋转,上式变为:1222251222222=-+++xy E xz E n z n y n x x x zy x γγ (2) 因151〈〈x E γ,且光传播方向平行于z 轴,故对应项可为零。
将坐标轴绕z轴旋转角度α得到新坐标轴,使椭圆方程不含交叉项,新坐标轴取为⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡''cos sin sin cos y x y x αααα,z=z ’ (3) 将上式代入2式,取o 45=α消除交叉项,得新坐标轴下的椭球方程为:1''1'1222222022220=+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-e x x n z y E n x E n γγ (4)可求出三个感应主轴x ’、y ’、z ’(仍在z 方向上)上的主折射率变成:ez x y xx n n E n n n E n n n =-=+='22300'22300'2121γγ (5)可见,在x 方向电场作用下,铌酸锂晶体变为双轴晶体,其折射率椭球z 轴的方向和长度基本保持不变,而x,y 截面由半径为n 0变为椭圆,椭圆的长短轴方向x ’ y ’相对原来的x y 轴旋转了450,转角的大小与外加电场的大小无关,而椭圆的长度n x ,n y 的大小与外加电场E x 成线性关系。
当光沿晶体光轴z 方向传播时,经过长度为l 的晶体后,由于晶体的横向电光效应(x-z ),两个正交的偏振分量将产生位相差:l E n l n n x y x 22302)''(2γλπλπϕ=-=∆ (6)若d 为晶体在x 方向的横向尺寸,d E V x x =为加在晶体x 方向两端面间的电压。
通过晶体使光波两分量产生相位差π(光程差λ/2)所需的电压x V ,称为“半波电压”,以πV 表示。
由上式可得出铌酸锂晶体在以(x-z )方式运用时的半波电压表示式:l dn V 22302γλπ=(7) 由(7)式可以看出,铌酸锂晶体横向电光效应产生的位相差不仅与外加电压称正比,还与晶体长度比l /d 有关系。
因此,实际运用中,为了减小外加电压,通常使l /d 有较大值,即晶体通常被加工成细长的扁长方体。
6.在电光晶体的纵向应用中,如果光波偏离z 轴一个远小于1的角度传播,证明由于自然双折射引起的相位延迟为2220012θωϕ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=∆e n n n c L,式中L 为晶体长度。
解:()22222sin cos 1e o e n n n θθθ+=,得()⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--=222001211θθe e n n n n 自然双折射引起的相位延迟:()[]222000122θωλπϕθ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=-=∆e e n n n c LL n n 7. 若取v s =616m/s ,n =2.35, f s =10MHz ,λ0=0.6328μm ,试估算发生拉曼-纳斯衍射所允许的最大晶体长度L max =?解:由公式0204λλsn L L ≈<计算。
9 考虑熔岩石英中的声光布喇格衍射,若取00.6238m λμ=,n=1.46,35.9710/s v m s =⨯,100s f MHz =,计算布喇格角B θ。
解: ss sv f λ= 代入公式得: sin 22B s s sf n nv λλθλ==代入数据得: sin 0.00363B θ=由于B θ很小,故可近似为: 0.00363B θ=10. 一束线偏振光经过长L =25cm ,直径D =1cm 的实心玻璃,玻璃外绕N =250匝导线,通有电流I =5A 。
取韦尔德常数为V =0.25⨯10-5(')/cm •T ,’ 3.为了降低电光调制器的半波电压,用4块z 切割的KD*P 晶体连接(光路串联,电路并联)成纵向串联式结构,为了使4块晶体的光电效应逐块叠加,各晶体的x 轴和y 轴应如何取向?并计算其半波电压。
应使4块晶体成纵向排列,且相邻晶体的光轴应互成90°排列,即一块晶体的'y 和z 轴分别与另一块晶体的z 和'y 轴平行,这样排列后第一块和第三块晶体的光轴平行,第二块和第四块晶体的光轴平行。
经过第一块晶体后,亮光束的相位差31'006321()2x z e z n n n E L πϕϕϕγλ∆=-=-+ 经过第二块后,其相位差32'006321()2z x e z n n n E L πϕϕϕγλ∆=-=-+ 于是,通过两块晶体之后的相位差为3120632Ln Vdπϕϕϕγλ∆=∆+∆=由于第一块和第三块晶体的光轴平行,第二块和第四块晶体的光轴平行,故总的相位差为3120634'22()Ln Vdπϕϕϕϕγλ∆=∆=∆+∆=3063()4dV n Lπλλ= 4 如果一个纵向电光调制器没有起偏器,入射的自然光能否得到光强度调制?为什么?解答:不能得到强度调制。
因为自然光偏振方向是任意的。
自然光通过电光调制器后,不能形成固定相位差。
5 一个PbMoO 4声光调制器,对He-Ne 激光进行调制。
已知声功率P s =1W ,声光相互作用长度L=1.8mm ,换能器宽度H=0.8mm ,M 2=36.310-15s 3/kg ,试求PbMoO 4声光调制器的布喇格衍射效率? 解答:⎥⎦⎤⎢⎣⎡==s s P M H LLI I 222sin 1λπη 计算可得71.1%6 一个驻波超声场会对布喇格衍射光场产生什么影响?给出造成的频移和衍射方向。
解答: 新的光子沿着光的散射方向传播。
根据动量守恒和能量守恒定律:()d i s k k k =+ ,即 ()d i s k k k =+ (动量守恒)i s d ωωω+= (能量守恒)(能量守恒)——衍射级相对于入射光发生频率移动,根据光波矢量的定义,可以用矢量图来表示上述关系,如图所示图中ss k λπ2=为声波矢量,'22ck ii πυλπ==为入射光波矢量。
()'22c f dk s d +==υπλπ为衍射光波矢量。
因为s f >>υ,f s 在1010Hz 以下,υ在1013Hz 以上,所以衍射光的频率偏移可以忽略不计。
则 i i s d ωωωω≈+=在上面的等腰三角形中 B i s k k θsin 2= 布拉格条件: siB λλθ2sin =和书中推导的布拉格条件相同。
入射光的布拉格角只由光波长,声波长决定。
7. 用PbMoO 4晶体做成一个声光扫描器,取n =2.48,M 2=37.75⨯10-15s 3/kg ,换能器宽度H =0.5mm 。
声波沿光轴方向传播,声频f s =150MHz ,声速v s =3.99⨯105cm/s ,光束宽度d =0.85cm ,光波长λ=0.5μm 。
⑴ 证明此扫描器只能产生正常布喇格衍射; ⑵ 为获得100%的衍射效率,声功P s 率应为多大? ⑶ 若布喇格带宽∆f =125MHz ,衍射效率降低多少? ⑷ 求可分辨点数N 。
解:⑴ 由公式0204λλsn L L ≈<证明不是拉曼-纳斯衍射。
⑵ 22222cos L M I B s θλ=,⎪⎭⎫⎝⎛==L H M HLI P B s s 2222cos θλ,答案功率为0.195W 。
⑶ 若布喇格带宽∆f =125MHz ,衍射效率降低多少?ssB f nv ∆=∆2λθ,⎪⎭⎫⎝⎛⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=H P v P n f f s B s s θλπρ∆ηcos 2232270 ⑷ 用公式)(λωφφθR N =∆∆∆=和R f v N s s ∆=∆∆=ωφθ计算。
答案:148。
第四章5 如果Si 光电二极管灵敏度为10uA/uW ,结电容为10pF ,光照功率为5uW 时,拐点电压为10V ,偏压40V ,光照信号功率()()W t t P μωcos 25+=,试求: (1)线性最大输出功率条件下的负载电阻;(2)线性最大输出功率; (3)响应截止频率。