第4章 单晶材料制备
Cycle 2 : R1 = 11.28%
Cycle 3 : R1 = 8.49% Cycle 4 : R1 = 7.21% Cycle 5 : R1 = 5.73% (final refined structure)
SC-XRD能得到什么?
小分子
三维结构
活性位点的形 状和化学结构
精确的键长 120° 键角数据 蛋白质的三维结构/ 折叠
——外形
单一颗粒,表面平整光洁 凸多面体
通常建议从同一批晶体中选出三颗晶体,通过 衍射仪初试实验选出衍射能力最好的样品
单晶材料的制备也称为晶体的生长或培养,是将物质的非晶态、 多晶态或能够形成该物质的反应物通过一定的物理或化学的手段 转变为单晶的过程。 单晶的制备方法通常可以分为气相生长、溶液生长、熔体生 长和固相生长等四大类。
结晶物质 A 的晶体和溶液在温度 T 下达到固-液平衡时, 其平衡常数为
K = [A]晶体/[A]溶液
注意晶体的平衡浓度 [A]晶体 在一定的温度下为常数,因此 [A]溶液 在一定的温度下也是一个常数,即该温度下的饱和浓度。
在一定温度下,只有溶液的浓度大于该温度下的平衡浓度 (即饱 和浓度) 时,晶体才会生长。这是溶液法制备单晶体的必要条件。
随着生产和科学技术的发展,天然单晶已经不能满足人们的需要
钟表业提出了对红宝石的大量需求 机械加工业提出了对金刚石的需求 光学工业提出了对冰州石的需求 电子工业提出了对半导体单晶的需求 超声和压电技术需要大量的压电水晶
于是单晶材料的历史就进入了人工制备的阶段。
现在,凡是自然界存在的天然矿物单晶几乎都可以用人 工方法制备,而且其质量大大超过天然晶体 目前工业使用的金刚石将近一半是人工合成的
分支学科——生物大分子晶体学
生物大分子晶体学 Macromolecular Crystallography
• • 结构生物学 基于结构的药物分子设计 蛋白质分子的三维结构,折叠模式 为药物分子设计提供蛋白质分子的结构 模型
活性中心结构 (构效关系)
蛋白质3D结构/ 三维折叠结构
Protein
蛋白质晶体结构
分支学科——化学晶体学
化学晶体学 Chemical Crystallography
• • • • • • • • 确定分子立体结构 确定新的无机和金属有机化合物结构的主要技术 广泛应用于有机物的结构尤其是立体结构的确定 有机物/天然产物/药物分子的绝对构型确定 确定分子结构参数 键长 +/- 0.001 Å 键角 better than 0.1 度 扭曲角 0.1 度 研究化学键性质 理解固体化合物性质 建立构效关系 变温/变压实验理解相变/热膨胀和其他物理性质的分子基础
度,恒温,这样生长槽的晶体不断生长,饱和槽的溶质不断减少,在生长过
程中,饱和槽还可以随时补充固态溶质。
流动法的优点是恒温生长,晶体均匀性好,并可以生长特大尺寸晶 体,适用于溶解度及温度系数都较大的物质晶体生长,也可以生长 溶解度温度系数小于零的物质晶体。例如用于高功率激光核技术的
非线性光学晶体磷酸二氢钾KH2PO4(简称KDP),即用此法生长。
但事实是。。。 均匀成核是在非常理想的情况下才能发生,实际成核过程都是非均匀 成核,即体系里总是存在杂质、热流不均、容器壁不平等不均匀的情 况,这些不均匀性有效地降低了成核时的表面能位垒,核就先在这些 部位形成。所以人工合成晶体总是人为地制造不均匀性使成核容易发 生,如放入籽晶、成核剂等。
非均匀成核 熔体过冷或者溶液过饱和后不能立即成核的主要障碍是生成晶核时 要出现液-固界面,为此需要提供界面能。如果成核依附于已有的界 面上(如容器壁、杂质颗粒、结构缺陷、气泡、成核剂等)形成, 则高能量的液-固界面能就被低能量的晶核与成核基体之间的界面所 取代。显然,这种界面代换比界面的生成所需要的能量要少得多。 因此,成核基体的存在可大大降低成核位垒,使成核能在较小的过 冷度下进行。这种情况下,成核过程将不再均匀地分布在整个系统 内,故常被称为非均匀成核。
目前国际上已将该晶体尺寸生长至米级单位。
蒸发法
• 对于溶解度较大、溶解度温度系数很小的物质,不能用降
温法或流动法生长其晶体,可使用蒸发法。
• 该方法的原理是将溶剂不断蒸发,使体系保持溶液的过饱
和状态。其关键步骤是控制溶剂的蒸发速度,使体系处于
亚稳定区内,以实现晶体稳定生长。例如在水溶液中生长 光学晶体氯化钠多采用蒸发法。
由于降温法设备简单,所以是从溶液中培养晶体的一种最常用方法。 其中的降温程序是根据结晶物质的溶解度曲线、溶液体积和晶体生 长习性等制定的,只有溶解度较大、溶解度温度系数也较大的物质 才适用本方法生长。如压电和光电晶体NH4H2PO4、热释电晶体TGS等 可用此法生长。
常温溶液法-流动法
流动法生长设备由三部分组成,即生长槽、饱和槽和过热槽,它们之间以泵和管道相通,
溶液在其间循环流动,每个槽都有独立的控温系统,由饱和槽和生长槽的温差及溶液流速
来控制溶液处于过饱和状态,晶体不断生长。
(1)同时在三个槽内加入一定温度的饱 和溶液,并在饱和槽中加入固态溶质,生 长槽和饱和槽均控制在饱和温度,过热槽 控制在过热温度,开泵使溶液循环流动。
(2)平衡后,生长槽升温至比饱和温度略高,下籽晶(事先预热处理), 待其微溶,生长槽降温至饱和温度(即生长温度),及饱和槽升温至既定温
衍射实验
在晶体不同的取向上收集一系列的衍射照片 通过数据还原获得衍射点的位置(hkl)和强度 (intensity :I) 。例如: H K L ; I
-1 2 4 ; 3678 -2 0 2 ; 2354 1 2 -4 ; 3496 衍射
X-rays
晶体大小<0.5 mm
数据处理与结构精修
已收到的衍射点: H K L ; I -1 2 4 ; 3678 -2 0 2 ; 2354 1 2 -4 ; 3496 结构解析
4.2 固相—固相平衡的晶体生长
优点:生长温度低; 晶体形状可预先固定。 缺点:难以控制成核以形成大晶粒。
固相-固平衡-应变退火生长
• 应变退火法常用来制备铝单晶,也就是先产生临界应变量,然后 再进行退火,使晶粒长大以产生单晶。若初始的晶粒尺寸在 0.1mm时,效果特别好。 • 退火期间,有时在试样表面优先成核,这就影响了单晶的生长, 通常认为铝晶核是在靠着表面氧化膜的位错堆积处开始的,在产 生临界应变后腐蚀掉约100um厚的表面层,有助于阻止表面成核。
常温溶液法-降温法
靠不断降温维持溶液过饱和,使晶体不断生长的方法.
配制溶液,必要时进行过滤。测定精确饱和温度,并过热处理。预热籽晶,同时 溶液降温至比饱和温度略高。种下籽晶,待其微溶时溶液降温至饱和温度,按降 温程序降温,使晶体正常生长。生长结束,抽取溶液使晶体与溶液分离,将温度 降至室温,取出晶体。
第4章 单晶材料及其制备
单晶是指由结构基元 (原子、原子团、离子等) 在三维空 间按长程有序排列而成的固态物质,或者说是由结构基元 在三维空间内呈周期性排列而成的固态物质。
单晶的有序排列结构决定了它们具有一些特性,包括: 均匀性、各向异性、自限性、对称性、最小内能性等。
从天然晶体到人工晶体
自然界的晶体 (矿物) 以其美丽、规则的外形,早就引起了人们 的注意。人类很早就利用某些天然矿物晶体具有瑰丽多彩的颜色等 特性来制作饰物。
如何收集(好的)衍射数据
从挑选“好”的单晶样品开始……
挑选晶体
块状?片状?针状?… 都可以! 晶体形状不重要
单晶 Singularity
一定要是“单”晶!
不能是多晶,避免孪晶。
挑选晶体
——大小
受吸收和光斑大小的限制,不一定是越大越好 晶体不大于准直器直径,一般0.2-0.5 mm,取 决于晶体的组分和光源强度 含有金属的化合物或使用铜光源时,晶体可以 小些;有机化合物晶体或使用钼光源时,可以 大些
溶液浓度大于饱和浓度的现象称为过饱和,过饱和的程度称为过 饱和度。过饱和度是溶液法生长单晶的驱动力。 饱和浓度与温度有关,因此通过改变温度可以使饱和溶液变为过 饱和溶液。一般情况下,饱和浓度随温度的升高而增大,但是在 个别情况下,饱和浓度也可能随温度的升高而降低 (如LiIO3)。
溶液法生长晶体的关键在于把溶液状态控制在亚稳定区内, 避免其进入不稳定区和稳定区。
X射线源-产生X射线
CCD检测器 -特殊设计的数码相机 - 拍摄X射线照片
测角仪-晶体定位平台
CCD相机图解
Converts To Green light
Berillium window
Scintillator
Fibre-optic taper
CCD
Peltier cooling
Converts to Electronics Electronic signal
蒸发法
电解溶剂法
• 对于溶解度较大、溶解度温度系数较小的强电解质,若对电解稳
定,可采用电解溶剂法生长其晶体。
• 该方法的原理是靠电解不断将溶剂从体系除去,以维持溶液过饱
和状态,晶体不断生长。因此,该方法关键是控制电解电流的大
小,即溶剂的电解速度,使体系处于亚稳区内,以实现晶体的稳 定生长。
• • • • • • • • 结晶固体 熔体 吸收热量 (加热)——熔化潜热 熔体 结晶固体 释放热量,降低系统的自由能 固液两相之间自由能的差值G是结晶过程的驱动力。 吉布斯自由能可表示为:G = H -T S 固液平衡时,T = Te, 两相之间自由能的差值为零,即 G = (Hs -Te Ss) - (Hl -Te Sl) = 0 则, S = H /Te 当温度不是平衡温度时, G = H -T S = H ( Te – T) / Te = H T/ Te= -(L/ Te)* T 过冷度