半导体工艺原理实验附录
姓名：xxx
学号：xxx
指导教师：xxx
目录
实验一.工艺设备模拟--氧化仿真实验 (1)
详细实验步骤 (1)
实验结果 (4)
实验二.工艺设备模拟--离子注入仿真实验 (5)
操作步骤 (5)
实验结果 (5)
第一组 (5)
第二组 (6)
第三组 (7)
第四组 (8)
其他组实验 (10)
实验三.刻蚀仿真实验 (13)
实验步骤 (13)
实验结果 (15)
实验四.超净间参观 (17)
参观过程 (17)
超净间定义 (17)
实验一.工艺设备模拟--氧化仿真实验
详细实验步骤
（1）（2）
（3）（4）
（5）（6）
（7）（8）
（9）（10）
（11）（12）
（13）（14）
（15）（16）
（17）（18）
实验结果
晶片晶向时间（min）温度方式
1 100 1 890 900 880 2,3
表 1 参考参数
晶片号类型晶向氧化时间（min）氧化温度(⁰C)氧化厚度(A) 1Dry1102900180
2Dry11021000924
4Dry1112900183
3Dry11010900173
5Wet10010900669
6Wet10020900449
7Wet10030900660
8Wet110210001136
10Wet11010900902
9Wet11029003536
11Wet11129001310
表 2 实验数据
图 1 各组参数柱状图对比效果实验二.工艺设备模拟--离子注入仿真实验实验时间：2015年12月4日星期五
操作步骤
操作步骤大体与实验一类似，按照提示操作即可。
实验结果
第一组
深度（130）
浓度
（13）
深度
（130）
浓度
（13）
深度
（130）
浓度
（13）
0.0015.450.7013.49 1.408.75 0.0517.080.7513.09 1.458.47 0.1017.680.8012.69 1.508.20 0.1517.790.8512.31 1.557.94 0.2017.630.9011.94 1.607.68 0.2517.330.9511.58 1.657.43 0.3016.95 1.0011.23 1.707.18 0.3516.53 1.0510.89 1.75 6.94 0.4016.10 1.1010.56 1.80 6.71 0.4515.65 1.1510.24 1.85 6.49 0.5015.20 1.209.92 1.90 6.27 0.5514.76 1.259.62 1.95 6.06 0.6014.33 1.309.32 2.00 5.87 0.6513.90 1.359.03
表 3 离子注入第一组数据
图2离子注入第一组数据浓度-衬底深度曲线图第二组
深度（120）
浓度
（12）
深度
（120）
浓度
（12）
深度
（120）
浓度
（12）
0.0014.370.7012.45 1.408.05 0.0516.200.7512.07 1.457.80 0.1016.760.8011.70 1.507.55 0.1516.790.8511.34 1.557.31 0.2016.570.9011.00 1.607.08 0.2516.230.9510.66 1.65 6.85 0.3015.83 1.0010.34 1.70 6.63 0.3515.40 1.0510.02 1.75 6.42 0.4014.96 1.109.72 1.80 6.21 0.4514.52 1.157.42 1.85 6.02 0.5014.08 1.209.13 1.90 5.84 0.5513.66 1.258.85 1.95 5.67 0.6013.24 1.308.57 2.00 5.52 0.6512.84 1.358.31
表4离子注入第二组数据
图3离子注入第二组数据浓度-衬底深度曲线图第三组
深度（110）
浓度
（11）
深度
（110）
浓度
（11）
深度
（110）
浓度
（11）
0.0013.410.7011.41 1.407.43 0.0515.330.7511.06 1.457.21 0.1015.820.8010.72 1.507.00 0.1515.780.85 1.39 1.55 6.79 0.2015.500.9010.08 1.60 6.58 0.2515.120.959.77 1.65 6.39 0.3014.69 1.009.48 1.70 6.20 0.3514.25 1.059.19 1.75 6.02 0.4013.81 1.108.92 1.80 5.86 0.45 1.38 1.158.65 1.85 5.70 0.5012.96 1.208.39 1.90 5.56 0.5512.55 1.258.14 1.95 5.44 0.6012.15 1.307.90 2.00 5.34
表5离子注入第三组数据
图4离子注入第三组数据浓度-衬底深度曲线图第四组
深度（110）
浓度
（12）
深度
（110）
浓度
（12）
深度
（110）
浓度
（12）
0.0014.410.7012.41 1.408.43 0.0516.330.7512.06 1.458.21 0.1016.820.8011.72 1.507.99 0.1516.780.8511.37 1.557.78 0.2016.500.9011.08 1.607.57 0.2516.120.9510.77 1.657.37 0.3015.69 1.0010.48 1.707.17 0.3515.25 1.0510.19 1.75 6.98 0.4014.81 1.109.92 1.80 6.80 0.4514.38 1.159.65 1.85 6.62 0.5013.96 1.209.39 1.90 6.44 0.5513.55 1.259.14 1.95 6.27 0.6013.15 1.308.90 2.00 6.11 0.6512.78 1.358.66
表6离子注入第四组数据
图5离子注入第四组数据浓度-衬底深度曲线图
其他组实验
表7 第5、6组实验数据
表8 第7、8组实验数据
表9 第9、10组数据
实验三.刻蚀仿真实验
实验步骤
图 6 打开文件夹，双击“ACES.exe”，运行仿真软件
图7 选择仿真向导
图8 选择掩膜版高度和宽度
图9 选择晶向
图10 选择腐蚀类型，选择KOH
图11 选择衬底和时间
实验结果
图12 软件自带图标
图13 软件自带图标
图14 中北大学校徽（彩色图片需要用MATLAB作灰度转换）
图15 仪器与电子学院院徽（彩色图片需要用MATLAB作灰度转换）
图16 软件自带图标
图17 斑马（彩色图片需要用MATLAB作灰度转换）
图18软件自带图标
实验四.超净间参观
时间：2016年1月16日星期六
参观过程
换上防护服、去掉尘土、参观前注意事项、小型溅射机、台阶仪、扫描显微镜、深硅刻蚀
烘干机、氧化炉、干燥机、清洗间、光刻机
超净间定义
（取自互联网）
超净间(Clean Room)，亦称为无尘室或清净室。
「超净间」是指将一定空间范围内之空气中的微粒子、有害空气、细菌等之污染物排除，并将室内之温度、洁净度、室内压力、气流速度与气流分布、噪音振动及照明、静电控制在某一需求范围内，而所给予特别设计之房间。
亦即是不论外在之空气条件如何变化，其室内均能俱有维持原先所设定要求之洁净度、温湿度及压力等性能之特性。
超净间最主要之作用在于控制产品(如硅芯片等)所接触之大气的洁净度日及温湿度，使产品能在一个良好之环境空间中生产、制造，此空间我们称之为「超净间」。