（设备技术性能指标及参数、目的、用途、环境要求等）
1.设备用途
1.1.*可实现ITO、SiO2等氧化物薄膜和Al、Ti等金属薄膜的溅射沉积。

1.2.*投标厂家提供多种工艺调试和开发的服务。

2.设备规格
2.1.反应腔体：
2.1.1.真空窗口，可观察腔体内部状况。

2.1.2.反应腔体内部包含防镀衬板组。

2.2.反应腔体抽真空模块：
2.2.1.*采用进口涡轮分子泵（国际知名品牌例如：Ulvac、CTI、Alcatel、
Pfeiffer、Edwards等）或者进口冷凝泵（国际知名品牌例如：Ulvac、CTI、Alcatel、Pfeiffer、Edwards等）。

2.2.2.*采用进口干泵。

（国际知名品牌例如：Edwards、Ulvac、Alcatel、Pfeiffer
等）。

2.2.
3.25min内，反应腔体可从大气抽真空至3E-6 Torr。

2.2.4.本底真空：< 3E-7 Torr。

2.2.5.配备自动压力控制装置(APC)。

2.3.磁控溅射靶枪：
2.3.1.*进口磁控溅射靶枪，靶材尺寸不小于3英寸，磁性靶枪1台，非磁
性靶枪1台。

（采用国际知名品牌例如：Angstron、AJA、US、HHV
等）
2.3.2.进口非磁性靶枪2台，靶材尺寸不小于3英寸。

2.3.3.*DC/RF电源兼容设计，可针对不同材料进行溅射沉积。

2.3.4.可调整靶枪溅射距离。

2.3.5.溅射靶枪具备独立自动开关挡板装置。

2.3.6.靶枪具备独立供气功能。

2.4.直流电源：
2.4.1.*进口直流电源1台，功率不低于1kW，可切换供不同磁控溅射靶枪
使用。

（国际知名品牌例如：ADL、AE、KRI/HHV等）
2.5.射频电源：
2.5.1.*进口射频电源1台，功率不低于600W，频率为1
3.56MHz，可进行
全自动匹配，并可切换供不同磁控溅射靶枪使用。

（采用国际知名品
牌例如：AE、ADTEC、SEREN等）
2.6.芯片基座：
2.6.1.*芯片基座转速可调。

2.6.2.*可承载6"圆形基板或4x4 cm玻璃片。

2.7.加热控制系统：
2.7.1.*载物盘最高温可达250℃，控温精度≦±1 ℃。

2.8.反应气体模块：
2.8.1.*工艺气体：至少配置3路。

2.8.2.*采用进口MFC，精准度<1%。

（国际知名品牌例如：BROOKS、MKS、
BRONKHORST等）
2.8.
3.采用美国Swagelok气动隔离阀或者电磁隔离阀。

2.8.4.采用1/4" SUS316电抛光EP管及VCR接头。

2.9.自动控制系统：
2.9.1.全自动智能化控制软件，并可切换为手动控制，可一键控制真空泵
抽气及排气以及所有挡板及阀门。

2.10.配套附件：
2.10.1.*靶材：ITO（氧化铟锡），SiO2（二氧化硅），铝，钛
3.工艺要求
3.1.*不均匀度≦±5% （6英寸硅片内沉积厚度为200 nm的铝，6英寸硅片
内沉积厚度为200 nm的ITO)。

4.用户培训
4.1.交机安装完成后将免费提供设备操作的训练课程，训练课程包含介绍
系统特色、系统架构与说明、系统联机与保养及实际操作训练。

4.2.将提供中文和英文标准作业流程（SOP）纸本各两份与电子文件。

4.3.提供简易工具箱，以方便未来设备维修使用。

5.交货日期
合同签订后4个月可以完成交货。