输率。DDR内存金手指上只有1个缺口，金手指数184个，两端卡扣圆形，工作电 压降为2.5V。
2 内存的分类
DDR2：第二代DDR内存，也在时钟的上升/下降沿传输数据， DDR2内存拥
有两倍于DDR内存预读取能力（即：4位数据读预取）。换句话说，DDR2 内存每个时钟能够以4倍外部总线的速率读/写数据，并且能够以内部控
芝奇内存
三、认识与选购内存
选购内存
1 2 3 4 5 内存规格 内存品牌 内存做工 内存价格 内存介绍
三、认识与选购内存
内存是计算机中重要部件之一，内存对计算机整体影响很大， 合理配置内存至关重要。选配内存主要考虑类型、容量、工作 频率和通道数。 • 根据主板选择内存类型。 Intel 200 系列、 300 系列、 X99 、 X299 、 AMD300 系列主板，需要选配 DDR4 内存， Intel 100 系 列主板支持DDR4或DDR3L内存，其他主板使用DDR3内存。 • 32位 Windows 7、Windows 8/8.1 、Windows 10操作系统最 多支持内存不到4GB，超出部分将不可用。
CMZ 系列
8G
X3 M2
容量
DDR3 2条套装
A
1600 C9
修订A版
1600MHz 9-9-9-24
R
外观红色
1.5V
海盗船内存
电压
5 内存的标签
DDR3
内存类型
1600
11 8G X16 U-DIMM 电压
1600MHz
11-11-11-28 容量 16颗芯片 内存插槽类型 未标出
威刚内存
5 内存的标签
工作频率 /MHz
2133 2400 2600 3200
数据带宽 （MB/S）
17000 19200 20800 25600
DDR4拥有两个独立的Bank分组，每个Bank分组采用了8位预取，相当 于每次操作16位数据，变相地将内存预取值提高到了16位，从而改进内 存的整体效率和带宽。
5 内存的标签
机存储器）的简称，是十多年前使用的内存，用于Pentium I 、II和III 时期。SDRAM 数据传输频率与系统总线频率相同，也就是与系统时钟同 步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。SDRAM在时钟 脉冲的上升沿传输数据，一个时钟周期内只传输一次数据。同步内存的 外观特征是金手指上有2个缺口，金手指数168个，两端卡扣圆形，工作
是一个八脚的小芯片，实际上是一个EEPROM，可擦写 存储器。内存的容量、组成结构、性能参数和厂家信息就 储存在这个芯片里。
用于标识内存的品牌、品牌标志及内存的参数。 提供给用户验证产品真假的方法，一般通过拨打服务 电话或发短信进行验证。
2 内存的分类
SDRAM：是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随
3 内存的封装
TSOP
在上世纪80年代出现的TSOP封装 （Thin Small Outline Package薄型小尺 寸封装）。TSOP内存是在芯片的周围做出 引脚，采用SMT技术（表面安装技术）直 接附着在PCB板的表面。TSOP封装适合高 频应用，操作比较方便，可靠性也比较高， 同时TSOP具有成品率高，价格便宜等优点， 因此得到了极为广泛的应用。主要缺点： 内存芯片通过引脚向PCB办传热就相对困 难；当频率超过150MHz时，会产生较大的 信号干扰和电磁干扰。 外观特征：芯片两边有引脚。
3 内存的封装
FBGA (CSP)
Fine-Pitch Ball Grid Array：细间 距球栅阵列 ,通常称作CSP （Chip Scale Package芯片级封装）。CSP封 装可以让芯片面积与封装面积之比超 过1∶1.14，接近1∶1的理想情况， 绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普 通的BGA的1/3，相当于TSOP内存颗粒 面积的1/6。这样在相同体积下，内 存条可以装入更多的内存颗粒，从而 增大单条容量。也就是说，与BGA封 装相比，同等空间下CSP封装可以将 存储容量提高3倍。而且，CSP封装的 内存颗粒不仅可以通过PCB板散热还 可以从背面散热，且散热效率良好。
3 内存的封装
BGA
是Ball Grid Array Package的缩写，意思是球 栅阵列封装，它的I/O端子 以圆形或柱状焊点按阵列 形式分布在封装下面采用 BGA技术封装的内存，可以 使内存在体积不变的情况 下内存容量提高两到三倍， BGA与TSOP相比，具有更小 的体积，更好的散热性能 和电性能。
Apacer 4GB 宇瞻 容量 Un buffered 无缓存
UNB PC3
24000 工作频率 CL 电压
DDR3
带宽 3000MHz 12-14-14-35 未标出
宇瞻内存
5 内存的标签
F3
12800 CL9 S 4GB RL 1600 电压
DDR3
带宽 9-9-9-24 单条 容量 系列 1600Hz 1.5V
4 内存的主要性能指标
工作频率：指内存的数据传输频率，单位：MHz。
内存容量：指一条内存存储二进制数据的字节数，单位：MB、GB。
数据带宽：指内存的数据传输速率，也就是内存一秒内传输的数 据量，单位：GB/s，是衡量内存性能的重要标准。
数据带宽=工作频率*内存数据总线位数/8 CAS延迟时间：Column Address Strobe列地址选通信号。CAS延迟 时间就是指内存纵向地址脉冲的反应时间，用CL （CAS Latency）来表示。
533 667 800 900 1000
工作频率 /MHz
1066 1333 1600 1800 2000
数据带宽 （MB/S）
8500 10600 12800 14400 16000
DDR3采用了8位预取设计，这样DRAM内核的频率只有数据传输频率的 1/8，如：DDR3 1600的核心频率只有200MHz。
金士顿KHX DDR3内存
金士顿DDR内存编号规则
5 内存的标签
KVR 1333 D3
N 9 2G 电压
KVR系列 1333MHz DDR3
无ECC检验 9-9-9-24 容量2GB 1.5V
金士顿KVR DDR3内存
5 内存的标签
内存条上都有一张标签，列出了内存品牌、内存类型、 技术参数等信息。不同的厂家标签写法各不相同。
数据带宽 DDR3
规格
DDR3 1066 DDR3 1333 DDR3 1600 DDR3 1800 DDR3 2000
传输标准
PC3 8500 PC3 10600 PC3 12800 PC3 14400 PC3 16000
核心频率 /MHz
133 166 200 225 250
时钟频率 /MHz
DDR4 60.5 mm
133.35mm
3 内存的封装
我们实际看到的内存颗粒并不是真正的内存芯片的大小和面 貌，而是内存芯片经过打包即封装后的产品。内存芯片必须与
外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电学
性能下降。这种内存芯片的打包方式就是我们通常所说的内存 封装方式。内存封装方式主要有TSOP、FBGA(CSP)等。
耗；DDR3L是低电压版的DDR3，工作电压仅1.35V。DDR3内存金手指上也只
有1个缺口，金手指数240个，两端卡扣方形。
方 形
2 内存的分类
DDR4：拥有两个独立的Bank分组，每个Bank分组采用8位预取，相当于每次
操作16位数据，变相地将内存预取值提高到了16位，从而改进内存的整体
效率和带宽。DDR4外观特征：金手指由直线改为弯曲，即中间长，两边短， 金手指数增加到288个，两端卡扣方形，工作电压1.2V 。
三、认识与选购内存
影驰HOF名人堂 DDR4
三、认识与选购内存
认识内存
0 1 2 3 4 5 内存的发展历程 内存的结构 内存的分类 内存的封装 内存的主要性能指标 内存的标签
选购内存
1 2 3 4 5 内存规格 内存品牌 内存做工 内存价格 内存介绍
0 内存的发展历程
1 内存的结构
PCB板
出售日期 防伪标签
制总线4倍的速率运行。DDR2内存金手指上也只有1个缺口，金手指数240
个，两端卡扣圆形，工作电压降为1.8V。
2 内存的分类
DDR3： 第三代DDR内存，也在时钟的上升/下降沿传输数据，拥有8位数据
读预取，因此读写速率是DDR2内存的2倍。DDR3内存在达到高带宽的同时， 其功耗反而可以降低，其核心工作电压降至1.5V，DDR3比DDR2节省30%的功
工作电压：内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压 也不同。
SDRAM:3.3V DDR:2.5V DDR2:1.8V DDR3:1.5V DDR4:1.2V
数据带宽 DDR
规格
DDR200
DDR266 DDR333 DDR400
传输标准
PC1600
PC 2100 PC 2700 PC 3200
3
1 内存的结构
序号 4 5 6 7 8 名称 说明
属于防呆设计，不同类型内存条缺口位置不同，对应 内存缺口 的内存插槽上凸起的位置也不同，以防止插错。DDR、DDR2、 DDR3、DDR4内存只有一个缺口，以前SDRAM内存有两个缺口。 内存卡扣 SPD芯片 品牌标签 防伪标签 内存插到主板上后，主板内存插槽的两个夹子便扣入 该卡扣，固定内存条。
卡 扣
金手指
产品标签
缺口
SPD芯片
内存颗粒
常见 内存颗粒品牌
美国镁光
韩国三星
韩国海力 士/现代
德国奇梦达
日本尔必达
光威
南亚易胜
亚洲龙/华亿