电力电子变流技术试题汇总 （第一章 电力半导体器件）一、填空题1.晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是，阳极、门极和__阴__极。
2.晶闸管额定通态平均电流I VEAR 是在规定条件下定义的，是晶闸管允许连续通过__工频__正弦半波电流的最大平均值。
3.处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且__门极加上正向电压 _时，才能使其开通。
4.晶闸管额定通态平均电流I VEAR 是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为_+400__。
5.对同一只晶闸管，断态不重复电压U DSM 与转折电压U BO 数值大小上有U DSM __小于_U BO 。
6..对同一只晶闸管，维持电流I H 与擎住电流I L 在数值大小上有I L _≈（2～4）_I H 。
7..晶闸管反向重复峰值电压等于反向不重复峰值电压的_90%___。
8.普通逆阻型晶闸管的管芯是一种大功率__四__层结构的半导体元件。
9.可关断晶闸管（GTO ）的电流关断增益βoff 的定义式为minoff G AI I -=β。
10.晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为____擎住电流I L __。
11..晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm 和反向重复峰值电压U RRm 中较_小__的规化值。
12.普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用__有效值_标定。
13.普通晶闸管属于__半控型_器件，在整流电路中，门极的触发信号控制晶闸管的开通，晶闸管的关断由交流电源电压实现。
14.IGBT的功率模块由IGBT和_快速二极管_芯片集成而成。
15.对于同一个晶闸管，其维持电流I H_ 小于_擎住电流I L。
16.2.可用于斩波和高频逆变电路，关断时间为数十微秒的晶闸管派生器件是__快速晶闸管____。
17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是__智能功率集成电路（SPIC）。
18.晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM_＝90% U BO。
19.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_快速__型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
20.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是__解决静态不均压__措施。
21.晶闸管断态不重复峰值电压U DSM与断态重复峰值电压U DRM数值大小上应有U DSM__小于__U DRM。
22.波形系数可以用来衡量具有相同的平均值，而波形不同的电流有效值_的大小程度。
23.当晶闸管_阳极加反向电压_时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在关断状态。
24.逆导型晶闸管是将逆阻型晶闸管和__大功率二极管__集成在一个管芯上组成的。
25.当晶闸管阳极承受__反向电压_时，不论门极加何种极性的触发信号，管子都处于断态。
26.使已导通的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至H_以下。
27.在双向晶闸管的4+_方式的触发灵敏度最低。
28.在晶闸管的两端并联阻容元件，可抑制晶闸管关断______。
29.当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都将工作在_关断_状态。
30.晶闸管工作过程中，管子本身产生的损耗等于流过管子的电流乘以管子_两端的电压_。
31.维持电流I H 是指晶闸管维持通态所需的_最小阳极_电流。
32.对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是正向阳极电压U A 过高，二是__反向阳极电压－U A 过高____。
33.为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过 不触发区。
34.由逆阻型晶闸管和整流管集成的晶闸管称为_逆导型晶闸管__。
35.反向重复峰值电压U RRM 等于反向不重复峰值电压U RSM 的 90% 。
36.按照控制信号的性质来分，晶闸管是属于_电流_驱动型电力电子器件。
37.晶体管开通时间t on =___t d +t r __。
38.擎住电流I L 是指使晶闸管刚刚从断态转入通态，并在移去触发信号之后，能维持通态所需的 最小阳极 电流。
39.晶闸管通态(峰值)电压U Tm 是_ 晶闸管以π倍或规定倍数的额定通态平均电流时的瞬时峰值电压值 __40.IGBT 是一种__MOSSEFE__驱动的电子器件。
41.电力晶体管的安全工作区由___四__条曲线限定。
42.晶闸管的通态平均电流I VEAR 的波形系数K f =VEARVE I I 。
43.波形系数可以用来衡量具有相同电流平均值_，而波形不同的电流有效值的大小程度。
二、选择题。
1.造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素，一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是( C )A.阳极电流上升太快B.阳极电流过大C.阳极电压过高D.电阻过大2.在I VEAR定义条件下的波形系数k fe为( B )πA.πB.23π D.2πC.23.晶闸管的额定电压是这样规定的，即取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并经如下处理( D )A.乘以1.5倍B.乘以2倍C.加100D.规化为标准电压等级4.晶闸管不具有自关断能力，常称为( B)A.全控型器件B.半控型器件C.触发型器件D.自然型器件5.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，晶闸管都将工作在( D )A.导通状态B.不定C.饱和状态D.关断状态6.功率晶体管的安全工作区范围由几条曲线限定( A)A.4条B.3条C.5条D.2条7.晶闸管的伏安特性是指( C ) A.阳极电压与门极电流的关系 B.门极电压与门极电流的关系 C.阳极电压与阳极电流的关系D.门极电压与阳极电流的关系8.晶闸管电流的波形系数定义为( A ) A.VARV f I I K =B.VVARf I I K = C.K f =I VAR ·I VD.K f =I VAR -I V9.取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( D ) A.转折电压 B.反向击穿电压 C.阈值电压D.额定电压10.具有自关断能力的电力半导体器件称为( A ) A.全控型器件 B.半控型器件 C.不控型器件D.触发型器件11.晶闸管的三个引出电极分别是（ A ） A.阳极、阴极、门极 B.阳极、阴极、栅极 C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极12.当晶闸管承受反向阳极电压且门极施加正向脉冲时，正常情况下晶闸管都将工作在（ B ）A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定13.处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极与阴极间加正向电压，且在门极与阴极间作何处理才能使其开通（ C ）A.并联一电容B.串联一电感C.加正向触发电压D.加反向触发电压14.晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（ A ） A.阳极电流B.门极电流C.阳极电流与门极电流之差D.阳极电流与门极电流之和15.功率晶体管（GTR ）的安全工作区由几条曲线所限定（ D ） A.3条 B.2条 C.5条D.4条16.由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号( A )。
A.失去作用 B.需维持原值 C.需降低D.需提高17.逆导晶闸管是一种集成功率器件，将逆阻型晶闸管和( A )反并联在一个管芯上的。
A.二极管 B.晶闸管 C.晶体管D.场效应管18.GTO 的电流关断增益βof =( A )。
A.|I |I min G A-B.|I |I GT A- C.|I |I GD A-D.|I |I GFM A-19.晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（ B ）。
A.维持电流 B.擎住电流 C.浪涌电流D.额定电流20.与普通晶闸管不同，双向晶闸管的额定电流的标定用（ C ）。
A.平均电流值B.通态平均电流值C.有效值D.最大电流值21.双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是（B ）。
A.GTOB.IGBTC.GTRD.MCT22.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( B )A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止23.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( B )A.大功率三极管B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管24.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( A )A.干扰信号B.触发电压信号C.触发电流信号D.干扰信号和触发信号25.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( B )A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定26.按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（ B ）A．全控型器件B．半控型器件C．不控型器件D．电压型器件27.下列4种电力电子器件,哪种是半控型电力电子器件。
( C )A.电力二极管B.门极可关断晶闸管C.晶闸管D.电力晶体管28.功率晶体管的二次击穿现象表现为( A )A.从高电压小电流向低电压大电流跃变B.从低电压大电流向高电压小电流跃变C.从高电压大电流向低电压小电流跃变D.从低电压小电流向高电压大电流跃变29.普通晶闸管不具备自关断能力，常被称为（ B ）A．全控制器件B．半控型器件C．不控制器件D．触发型器件30.决定触发脉冲最小宽度一个重要因素是( B )A. 维持电流I HB. 擎住电流I LC. 浪涌电流I TSmD. 额定电流32.为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过( B )A. 安全区B. 不触发区C. 可靠触发区D. 可触发区33. 要关断GTO，则需( B )A. 在门极加正脉冲信号B. 在门极加负脉冲信号C. 加强迫关断电路D. 加正弦波信号34. 全控型器件是( D )A. 光控晶闸管B. 双向晶闸管C. 逆导晶闸管D. 功率晶体管35.双向晶闸管是三端几层半导体结构?( A )A．五层B．四层C．三层D．二层36.为了减小门极损耗，晶闸管正常导通的方法是阳极加正向电压，门极加（ A ）。
A．正脉冲B．负脉冲C．直流D．正弦波37．在GTR作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（B ）。
A．失控B．二次击穿C．不能控制关断D．不能控制开通38．下列器件中为全控型器件的是（D ）。
A．双向晶闸管B．快速晶闸管C．光控晶闸管D．功率场效应晶体管40.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( B )A.大功率三极管B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管41.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( D )A.一次击穿B.反向截止C.临界饱和D.二次击穿42.下面给出的四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件( C )A.二极管B.晶闸管C.功率晶体管D.逆导晶闸管43.晶闸管的正向不重复峰值电压U Dsm与转折电压U80的关系是( C )A.U Dsm=U B0B.U Dsm>U B0C.U Dsm<U B0D.U Dsm=1.2U B044.晶闸管在正常工作中，触发控制信号应加在( C )A.阳极B.阴极C.门极D.漏极45.晶闸管的伏安特性是指( C )A.阳极电压与门极电流的关系B.门极电压与门极电流的关系C.阳极电压与阳极电流的关系D.门极电压与阳极电流的关系46.晶闸管是( B )A.2端器件B.3端器件C.4端器件D.5端器件47.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( D )A.功率晶体管B.IGBTC.功率MOSFETD.晶闸管48.晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（ A ）A．阳极电流B．门极电流C．阳极电流与门极电流之差D．阳极电流与门极电流之和49．晶闸管过电压保护元器件是（ B ）A．快速熔断器B．RC电路C．快速开关D．电抗器50.下面给出的四个图形符号，哪个是可关断晶闸管的图形符号（ B ）51.IGBT是( B )A.电流驱动型元件B.电压驱动型元件C.半控型元件D.不控型元件三、简答题：1..晶闸管的导通条件是什么?怎样使晶闸管由导通变为关断?答：导通条件：晶闸管阳极与阴极之间加正向电压，并在门极加正向触发电压。