当前位置:文档之家› 电力电子技术第2章器件2SCR

电力电子技术第2章器件2SCR


图1-10 双向晶闸管的电气 图形符号和伏安特性
a) 电气图形符号 b) 伏安特性
电力电子技术第2章器件2SCR
晶闸管的派生器件
3) 逆 导 晶 闸 管 ( Reverse Conducting
Thyristor——RCT)
I
将晶闸管反并联一 个二极管制作在同 一管芯上的功率集 成器件。
K G
A
IG=0
偿、高压变频】。MV·A级性能优。 8kA/4kV,6kA/6kV光触发可得到。 • 无二次击穿问题。 • 导通压降具有负温度系数,不易并联。 • 半控,控制线路复杂。 • 工作频率较低。一般在500Hz内。 • 通态峰值压降较低,平均1V左右,随阳 极电流增大略为增加,一般小于2V。
电力电子技术第2章器件2SCR
图2-7 晶闸管的双晶体管模型
电力电子技术第2章器件2SCR
2.3.1 晶闸管的结构与工作原理
原理可以按照双 晶体管模型来解释, 根据晶体管的工作 原理 ,晶闸管的开 通是一个强烈的正 反馈过程(开通的机 理)。
关断过程。
可以控制其开通,图2-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理
无法控制关断,半
a) 双晶体管模型 b) 工作原理
近于无穷大,实现饱和导通。IA实际由外电路决定。
电力电子技术第2章器件2SCR
2.3.1 晶闸管的结构与工作原理
其他几种可能导通的情况:
阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光触发
光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘 而应用于高压电力设备中,称为光控晶闸管(Light Triggered Thyristor——LTT)。
——在环境温度为40C和规定的冷却状态下,稳定结温不超过额定 结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电 流的参数。
——使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。
维持电流 IH
——使晶闸管维持导通所必需的最小电流。
擎住电流 IL
——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后, 能维持导通所需 的最小电流。对同一晶闸管来说,通常IL约为IH的2~4倍。
——电压上升率过大,使充电电流足够大,就会使晶闸管误导通 。
通态电流临界上升率di/dt
——指在规定条件下,晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流
上升率。 ——如果电流上升太快,可能造成局部过热而使晶闸管损坏。
电力电子技术第2章器件2SCR
2.3.4 晶闸管的派生器件
1)快速晶闸管(Fast Switching Thyristor—— FST)
IRM
关断时间tq以上两者之和
tq=trr+tgr
(1-7)
O
t
普通晶闸管的关断时间约 几百微秒。
trr URRM tgr
图1-9 晶闸管的开通和关断过程波形
电力电子技术第2章器件2SCR
晶闸管的开通特性

注发t心s:入,射门触靠极极发门位电电极于部流流阴先极使增导晶晶大通片体,以中管
的 致
t•r:t建阴流现d阳然耗慢:立极1门I饱后时。+极A耗电极将和扩 。 (电2时 流正趋导趋展 耐 二。 =流脉近到 压 维通近阳 控冲指于全 越 开。于极 制使无体高通I1电极正A阴扩)的穷实流电反极展话大际=流馈的越,,由。0,实外电
电力电子技术第2章器件2SCR
2.3.1 晶闸管的结构与工作原理
常用晶闸管的结构
螺栓型晶闸管
晶闸管模块
平板型晶闸管外形及结构
电力电子技术第2章器件2SCR
2.3.1 晶闸管的结构与工作原理
1、结构:PNPN四层半导体 结构,三个PN结。 2、P1引出阳极A、N2引出阴 极K、P2引出门极K; 3、外加电压,晶闸管工作状 态。
因载流子复合较慢,过早加正压会引起 误导通。管关断后须加足够时间反压,
反向阻断恢复时间trr(与 二极管的关断特性相似)
保证管恢复阻断能力。 iA 100%
90%
正向阻断恢复时间tgr:反
向恢复结束后,由于载流 子复合过程较慢,晶闸管
10% 0 td tr
t
要恢复对正向电压的阻断
uAK
能力还需要一段时间。
• 额定电流为10A的晶闸管能否承受长期通过15A的直流 负载电流而不过热?
• 图中阴影部分为一个2p周期中晶闸管的电流波形。若 最大值为100A,试计算电流的平均值和有效值。若考 虑两倍裕量,应选择多大额定电流的晶闸管?
电力电子技术第2章器件2SCR
1.4 典型全控型器件·引言
门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久 出现。 20世纪80年代以来,电力电子技术进入了一 个崭新时代。 典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体 管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。
是利用一定波长的光
照信号触发导通的晶
G
闸管。
K
光强度


O
U AK
光触发保证了主电路 与控制电路之间的绝 缘,且可避免电磁干 扰的影响。
用于高压大功率的场 合。
a)
b)
图1-12 光控晶闸管的电气 图形符号和伏安特性
a) 电气图形符号 b) 伏安特性
电力电子技术第2章器件2SCR
晶闸管应用特点
• 价低、控制线路成熟、可靠性高。 • 中、大功率应用广泛【HVDC、无功补
电力电子技术第2章器件 2SCR
2020/11/27
电力电子技术第2章器件2SCR
2.3.1 晶闸管的结构与工作原理
图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号
a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
外形有螺栓型和平板型两种封装。 有三个联接端。 螺栓型封装,通常螺栓是其阳极,能与散热器紧 密联接且安装方便。 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。
O
U
具有正向压降小、 关断时间短、高温 特性好、额定结温 高等优点。
a)
b)
图1-11 逆导晶闸管的电气 图形符号和伏安特性
a) 电气图形符号 b) 伏安特性
电力电子技术第2章器件2SCR
晶闸管的派生器件
4) 光控晶闸管(Light Triggered Thyristor— —LTT)
IA
又称光触发晶闸管, A
2)双向晶闸管(Triode AC Switch——TRIAC 或Bidirectional triode thyristor)
可认为是一对反并联联 接的普通晶闸管的集成。 T1
有两个主电极T1和T2,
一个门极G。
G
T2
I O
IG =0 U
在第I和第III象限有对
a)
b)
称的伏安特性。
不用平均值而用有效值 来表示其额定电流值。
浪涌电流ITSM
——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性 最大正向过载电流 。
电力电子技术第2章器件2SCR
例:晶闸管额定电流的选择
• 设正弦电流峰值为Im,则正弦半波电流的平均值为
正弦半波电流的有效值为
即额定电流为100A的晶闸管能承受157A的有效值电流, 对非正弦电流应按实际电流波形计算有效值除以1.57作 为选择晶闸管电流额定值的依据。设计一般应留1.5~2 倍的安全裕量。
有快速晶闸管和高频晶闸管。 开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。 普通晶闸管关断时间数百微秒,快速晶闸管数十微秒, 高频晶闸管10s左右。 高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。 由于工作频率较高,不能忽略其开关损耗的发热效应。
电力电子技术第2章器件2SCR
晶闸管的派生器件
• 关断: ➢ 电流低于维持电
流。
➢ 阳极电压反极性。
电力电子技术第2章器件2SCR
2.3.3 晶闸管的主要参数
1)电压定额
断态重复峰值电压UDRM
——在门极断路而结温为额定值时,允
许重复加在器件上的正向峰值电压。
反向重复峰值电压URRM
——在门极断路而结温为额定值时,允 许重复加在器件上的反向峰值电压。
本节要点
• 晶闸管原理、特性, 导通、关断条件 • 典型工作频率范围 • 典型导通压降 • 晶闸管的选择
电力电子技术第2章器件2SCR
思考题
• 说明晶闸管的基本工作原理。在哪些情况下,晶闸管 可以从断态转变为通态?已导通的晶闸管,撤出门极 驱动电流为什么不能关断?怎样才能关断?
• 晶闸管在关断状态为什么要对器件两端的du/dt进行有 效控制?
当反向电压达到反向 击穿电压后,可能导 致晶闸管发热损坏。
图1-8 晶闸管的伏安特性
IG2>IG1>IG
电力电子技术第2章器件2SCR
晶闸管的基本特性
2) 动态特性
1) 开通过程
iA
延迟时间td (0.5~1.5s)
100% 90%
上升时间tr (0.5~3s)
10%
开 通 时 间 tgt 以 上 两 者 之 和 ,
例:某晶闸管实际承担电流波形有效值为400A,则可选 额定电流为400/1.57=255A,考虑裕量,实际选额定 电流为500A的晶闸管。
电力电子技术第2章器件2SCR
晶闸管的主要参数
3)动态参数
除开通时间tgt和关断时间tq外,还有:
断态电压临界上升率du/dt
——指在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态到通 态转换的外加电压最大上升率。
图2-8 晶闸管的伏安特性
IG2>IG1>IG
随着门极电流幅值的增大,
正向转折电压降低。 晶闸管本身的通态压降很
维持电流IH:通态下若电 流小于此值,管关断。
小,在1V左右。
电力电子技术第2章器件2SCR
相关主题