在图的第3象限与第4象限。

由于PIN型光电二极管在较高的反向偏置电压的作用下耗尽区扩展到整个PN结结区，形成自身保护（具有很强
雪崩光电二极管为具有内增益的一种光生伏特器件。

它利用雪崩效应获得光电流的增益。

电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子数，这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加，其电流倍增系数定义为0
I M =
为倍增输出的电流，I 0为倍增前输出的电流。

（npn）型
n型硅片作为衬底，扩散硼而形成p型，再扩散磷而形
＋层，并涂sio
作为保护层。

在重掺杂n+引出一个电
２
光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。

这是因为光
4.温度特性
硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流I
和光电流
d
度而变化，由于硅光电三极管具有电流放大功能，所以硅它的响应范围为0.4~1.1μm，峰值波长为0.85μ
3.光电位置敏感器件（PSD）小结
光伏探测器可以工作于零偏与反偏两种状态。

零偏工作时，
不会引入偏置电路噪声，还可简化前级电子电路。

反偏工作
时，可以降低器件的热噪声及散粒噪声，并可减小器件电容，
此外可得到较高的探测率和响应频率。

光伏探测器的响应速度比光电导探测器快，它主要取决于负
载电阻和结电容所构成的时间常量。

与光电导探测器一样，光伏探测器的灵敏度与频带宽度之积
为一常量，在使用时要综合考虑。

同时，器件的各种参量基本
上都与温度有关。

降低探测器工作温度会减小暗电流和噪声，
提高电路的稳定性。