电工电子技术基础练习题(1)1、固定偏置放大电路如图所示,已知U CC V =20,U BE .V =07,晶体管的电流放 大系数β=100,欲满足I C mA =2,U CE V =4的要求,试求电阻R B ,R C 的阻值。
oU CC2、电 路 如 图 所 示, 已 知 晶 体 管 的β=60,r be k =1Ω,U BE =0.7 V ,试 求:(1) 静 态 工 作 点 IB ,IC ,UCE 。
V3、电 路 如 图 所 示, 已 知 晶 体管β=100,计 算 电 路 的 静 态 值 I B , I C ,U CE 。
4、如图:若U CC =6V ,R C =2kΩ,R B =200 kΩ, β=50,用估算法计算其静态工作点。
5、晶体管放大电路如下图所示: 已知β =100,r b e =1kΩ,Vcc=24V ,Rc=3kΩ,R b =600kΩ,RL =1.5kΩ,试近似计算:放大电路的输入电阻R i ;输出电阻Ro ;电压放大倍数A u 。
6、放大电路如图所示,晶体管的电流放大系数β=50,U BE .V =06 ,R B1=110 k Ω,R B2=10 k Ω,RC=6k Ω,RE =400Ω,RL =6 k Ω,求:(1) 计算静态工作点;(2)画出微变等效电路;u o 12V7、电 路 如 图所示,已知β=50,r be k =1 Ω,要求:(1) 画出两个电路 的 微 变 等 效 电 路 ;(2) 计算输入电阻,输出电 阻。
8、单相半波整流电路中,U1为变压器原边电压,U2为变压器副边电压,U O 为负载电阻R L 上的电压,若U1是400V ,U1和U2线圈扎数比是20:1,计算U O9、单相桥式整流电路中,U1为变压器原边电压,U2为变压器副边电压,U O 为负载电阻RL上的电压,若U1是400V,U1和U2线圈扎数比是2:1,计算UO10、根据下面的输入波形A、B,分别画出或门输出Y1、或非门输出Y2。
12、根据下面的输入波形A、B,分别画出或门输出Y1、或非门输出Y2。
13、根据下面的输入波形A、B,分别画出或门输出Y1、或非门输出Y2。
14、根据下面的输入波形A、B,画出异或门输出Y。
15、由与非门构成的基本RS触发器的初始状态Q=1,根据下面的输入信号画出Q、Q。
QQ16、由下图给出的CP、J、K波形,画出上升沿触发的JK触发器(初态为 0 )的输出Q的波形。
17、由下图给出的CP、J、K波形,画出下升沿触发的JK触发器(初态为 1 )的输出Q的波形。
18、根据CP和D的波形,画出上升沿触发D触发器的输出信号Q的波形(设初始状态Q=0)。
19、画出下图的直流通路电工电子技术基础练习题(2)1、点接触型二极管的特点?2、三极管具有放大作用的内部条件?外部条件?3、共射极基本放大电路中基极偏置电阻R C的作用?4、硅管和锗管的伏安特性主要区别在哪里?5、图中的1—5分别代表伏安特性曲线的什么?6、指出三极管输出特性图中饱和区、放大区、截至区分别应该在什么位置。
7、直流稳压电源的四个组成部分各自的作用是什么?8、根据电路图和U 2的波形画出R L 的电压波形图。
9、共发射极放大电路元件参数的选择要满足什么条件?10、确定静态值有哪些方法?11、写出下图中Vcc 、Rc 、R B 、C 1、C 2、VT 器件名称。
12、解释什么叫截止失真。
13、根据下面的输入波形A 、B ,分别画出或门输出Y 1、或非门输出Y 2。
14、根据下面的输入波形A、B,分别画出与门输出Y1、与非门输出Y2。
15、根据下面的输入波形A、B,画出异或门输出Y。
16、由下图给出的CP、J、K波形,画出上升沿触发的JK触发器(初态为0 )的输出Q 的波形。
17、画出下图的直流通路 18、画出下图的直流通路19、画出下图的交流通路 20、画出下图的交流通路21、画出下图的交流通路22、由与非门构成的基本RS触发器的初态Q=1,根据下面的输入信号画出Q、Q。
23、由与非门构成的基本RS触发器的初态Q=0,根据下面的输入信号画出Q、Q。
24、根据电路图和U2的波形画出RL的电压波形图。
25、如图当B端为正时电流的通路是什么?26、根据下图所示电路,分析D1正负极接反时所产生的后果?击穿所产生的后果?27、根据下图所示电路,分析V228、根据下图所示电路,分析V3脱焊时所产生的后果?29、已知三极管处在放大状态,判断它的电极、管类型和材料。
30、已知三极管处在放大状态,判断它的电极、管类型和材料。
31、已知三极管三个电极的电位,试分析三极管的工作状态。
32、根据逻辑函数表达式画出相应的逻辑电路。
(1)BY+=ABCA(2)CY+=AABB(3)CBY+=BA(4)=A++BCY B33、根据所示电路写出相应的逻辑函数式。
34、根据表达式填卡诺图,并用卡诺图化简。
Y=A B C+A B C+A B C+A B CY=A B C+A B C+A B CY=A B C+A B C+A B CY=A B C+A B C+A B C+A B CY=A B C+A B C+A B C+A B C+A B C+A B C Y=A B C+A B C+A B C+A B C+A B C+A B CY=A B C+A B C+A B C+A B C电工电子技术基础练习题(3)一、选择题:1、P型半导体是在纯净半导体中掺入( B )。
A.2价元素 B.3价元素 C.4价元素 D.5价元素2、当温度升高时,半导体的导电能力将(A )A.增强 B.减弱 C.不变 D.无法确定3、PN结的特性是 ( B )。
A.正、反向都导通 B.正向导通、反向截止C.正、反向都截止 D.正向截止、反向导通4、半导体二极管的主要特点是具有( C )A.电流放大作用 B.电压放大作用 C.单向导电性 D.双向导电性5、理想二极管的正向电阻为( C )A.无穷大 B.为0 C.约为几千欧 D.约为几十千欧6、如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为1.5V、内阻为零的电池实行正向连接,电路如图所示,则后果是该管(D )。
A.击穿B.电流为零C.电流正常D.电流过大使管子烧坏7、电路如图所示, 所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为(A )。
+A.D1导通,D2、D3截止B.D1、D2截止,D3 导通C.D1、D3截止,D2导通D.D1、D2、D3均截止8、二极管的最大整流电流是指 ( B )。
A.长期使用允许通过的最大反向电流B.长期使用允许通过的最大正向电流C.加最大反向工作电压时的反向电流D.加最大正向工作电压时的正向电流9、二极管的最大反向工作电压一般规定为击穿电压的 ( C )。
A.四分之一 B.二分之一 C.1倍 D.2倍10、稳压二极管工作时的特点是 ( D )。
A.电压在大范围变化,电流变化小 B.电流在大范围变化,电压变化也大 C.电流在小范围变化,电压变化大 D.电流在大范围变化,电压变化小11、稳压管反向击穿后,其后果为(B )。
A.永久性损坏B.只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围,管子无损C.由于击穿而导致性能下降D.不能再使用12、稳压二极管常用( A )。
A.硅管 B.锗管 C.硅、锗管都可以 D.硅、锗管都不可以13、常用来制造发光二极管的材料是 ( D )。
A.硅 B.锗 C.硅、锗 D.砷化镓、磷化镓14、已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为V E = -1.7V,V B= -1.4V ,V C = 5V,则该管类型为(A )。
A.NPN 型锗管B.PNP 型锗管C.NPN 型硅管D.PNP 型硅管15、图示的三极管接在放大电路中,该管工作正常,测得U BE = -0.3V ,则此管的类型为(A )。
CA.PNP 型锗管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.NPN 型硅管16、如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流(B )。
A.反向B.近似等于零C.不变D.增大17、已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为6V、9V 和6.3V,则6V所对应的电极为(A )。
A.发射极B.集电极C.基极D.无法确定18、晶体管的穿透电流ICEO 是表明( A )。
A.该管温度稳定性好坏的参数B.该管允许通过最大电流的极限参数C.该管放大能力的参数D.该管反向击穿的特性参数19、所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指( A )。
A.放大区B.饱和区C.截止区D.反向击穿区20、如果接在电路中某晶体管的基极与发射极短路,则(B )。
A.管子深度饱和B.管子截止C.管子工作在放大状态D.无法确定21、测得某一PNP 硅管三个极的电位是:VB = -3.2V,VE = -2.5V,VC = -7V,则该管工作在(A )。
A.线性放大状态B.饱和工作状态C.截止工作状态D.反向击穿区22、二极管两端加上正向电压时( B )。
A.一定导通 B.超过死区电压才会导通C.超过0.3V才会导通 D.超过0.7V才会导通23、半导体整流电路中使用的整流二极管应选用( D )。
A .变容二极管B .稳压二极管C .点接触二极管D .面接触二极管24、把交流电转换成直流电的过程叫 ( B )。
A .变压 B .整流 C .稳压 D .放大25、放大电路设置静态工作点的目的是 ( B )。
A .提高放大能力B .避免非线性失真C .获得合适的输入、输出电阻D .输出信号电压大、电流小26、多级放大电路总的放大倍数是各级放大倍数的 ( C )。
A .和B .差C .积D .商27、开关三极管的正常工作状态是 ( D )。
A .截止B .放大C .饱和D .截止或饱和28、三极管的开关特性是 ( D )。
A .截止相当于开关的接通B .放大相当于开关的接通C .饱和相当于开关的接通D .截止相当于开关的断开,饱和相当于开关的接通29、在共射极放大电路中,计算静态工作点的常用方法是 ( C )。
A .直接分析法B .图形分析法C .近似估算法D .正交分析法30、阻容耦合放大器是用来放大 ( B )的放大器。
A .直流电压信号B .交流电压信号C .直流电流信号D .交流电流信号31、直流放大器的级间耦合一般采用 ( C )耦合方式。
A .阻容B .变压器C .电容D .直接32、下列关于三极管具有电流放大的内部条件错误的是 ( D )。
A .基区做得很薄,掺杂浓度很低B .发射区掺杂浓度高C .集电区面积大,掺杂浓度低D .发射区掺杂浓度低33、某三极管工作在放大状态,Ib=20μA,Ic=1.4mA,当Ib=40μA 时,Ic=3.4mA,则其β为( B )。