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凝聚态物理-材料表征


PLD过程中产生的典型等离子羽状物。
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PLD的优点
应用PLD非常方便,过程中须要控制的参数只有几个,例如激光 能量通量(laser energy density)与脉冲重复频率(pulse repetition rate)。与其它溅镀技术相比,利用PLD技术的靶体积细小。借着连 续溶化混杂的靶,制造不同物质的多层膜,十分容易。而且,透过 控制脉冲的数量,可以精密调节薄膜厚度至单原子层。PLD最重要 的特色,是沉积膜保留了靶的化学计量成分(stoichiometry)。这 是由于脉冲激光照射(pulsed laser irradiation),使靶表面的加热 速率(heating rate)极高(开尔文∕秒)所致。这个原因导致靶的 组分元素或化合物一致蒸发(congruent evaporation),无须理会 个别的蒸发点。亦由于溶化物质的高加热速率,晶体膜的激光沉积 比其它薄膜生成技术,要求更低的衬底温度。因此,半导体与它下 面的集成电路能够抑制热降解(thermal degradation)。
化合物半导体膜的反应
3SiH4 (g)+4NH3 (g)
Si3N4 (s)+12H2 (g)
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影响沉积质量的因素:
1. 沉积温度 温度增加 沉积速率和膜密度增加 受衬底材料限制 2. 反应气体的比例 实验确定不是理论值 要优化制备条件 BCl3 (g)+NH3 (g) BN (s)+3HCl (g) 2<NH3/BCl3<4 速率低或有中间产物NH4Cl 3.与沉积膜衬底有要求 a)有强的亲和力 b) 相似的晶体结构 c)相近的热膨胀系数
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立式
钟罩式
水平式 CVD反应器的类型
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多晶Al2O3膜的反应
2AlCl3 (g)+3CO2 (g)+3H2 (g)
Al2O3 (s)+6HCl (g)+3CO (g)
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c) 离子镀膜方法
真空蒸发与溅射相结合的新工艺,即用真空蒸发来制作 薄膜,用溅射作用来清洗基片表面。 膜层与衬底的附着性好,膜的硬度高,厚度达几十微米 分子束外延成膜(MBE) 它是将真空蒸发镀膜加以改进和提高形成的新的技术, 在超高真空环境中,通过薄膜诸组分元素的分子束流, 直接喷到温度适宜的衬底表面,在合适的条件就能沉积 出所需的外延层。 优点: 在于能生长极薄的单晶膜层,精确控制膜厚组分与掺杂
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凝聚态物理专题讲座
刘玉学
东北师范大学物理学院
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0702
070201 070202 070203 070204 070205 070206 070207 070208
物理学
理论物理 粒子物理与原子核物理 原子与分子物理 等离子体物理 凝聚态物理 声学 光学 无线电物理
9 I 强关联与超导物理
10 J 磁学
11 K 软凝聚态物理与生物物理
12 M 量子信息
13 N 计算物理
14 O 复杂体系与交叉学科 15 P 电介质物理 16 Q 科学仪器与实验技术
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功能材料会议分会场主题
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成膜的晶粒形状与沉积温度和过饱和度的关系
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CVD的优点:
1. 纯度高、致密、取向好 2. 能在较低的温度下制备难熔的物质如W, Mo, Nb等 3. 便于制备单质,化合物和各种复合材料 同时添加其他物质起到掺杂的作用 例如: WCl3 (g) + H2 (g) W (s) + HCl (g)
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PLD的物理机制
PLD的系统设备简单,相反,它的原理却是非常复杂的物理现象。 它涉及高能量脉冲辐射冲击固体靶时,激光与物质之间的所有物 理相互作用,亦包括等离子羽状物的形成,其后已熔化的物质通 过等离子羽状物到达已加热的基片表面的转移,及最后的膜生成 过程。
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PLD的缺点
其中一个比较严重的问题,就是薄膜被溅污,或有微粒沉积在薄膜上。 引致溅污的物理机制包括:表面下的沸腾(sub-surface boiling)、 冲击波反冲压力(recoil pressure)造成的液态层喷溅,以及层离 (exfoliation)。微粒的体积可能有几微米那么大。这些微粒非常 阻碍随后膜层的形成,亦大大影响薄膜的导电特性。PLD的另一个 问题,是由于激光的绝热膨胀(adiabatic expansion)导致溶化 核素分布角度狭窄,在靶表面形成等离子羽状物及凹痕。这些弊端 削弱了PLD生产大面积均匀薄膜的用处,PLD因此未能在工业上大 展身手。最近有人提出了补救措施,插入障板能够有效阻挡大微粒, 转动靶与底物有助于形成较大的均匀薄膜。
PLD一般可以分为以下四个阶段:
1. 激光辐射与靶的相互作用 2. 熔化物质的动态 3. 熔化物质在基片的沉积 4. 薄膜在基片表面的成核(nucleation)与生成
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PLD的应用前景
自1987年成功制作高温的超导膜开始,用作膜制造技术的脉冲激光 沉积获得普遍赞誉,并吸引了广泛的注意。过去十年,脉冲激光沉 积已用来制作具备外延特性的晶体薄膜。陶瓷氧化物(ceramic oxide)、氮化物膜(nitride films)、金属多层膜(metallic multilayers),以及各种超晶格(superlattices)都可以用 PLD来制作。近来亦有报告指出,利用PLD可合成纳米管 (nanotubes)、纳米粉末(nanopowders),以及量子点(quantum dots)。关于复制能力、大面积递增及多级数的相关生产议题,亦已 经有人开始讨论。因此,薄膜制造在工业上可以说已迈入新纪元。
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分子束外延:这是一种最新的晶体生长技术(图2)。将衬 底置于超高真空腔中,将需要生长的单晶物质按元素不同 分别放在喷射炉中。每种元素加热到适当的温度,使其以分 子流射出,即可生长极薄(甚至是单原子层)的单晶层和几 种物质交替的超晶格结构。
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脉冲激光沉积成膜(PLD)
1960年,激光的示范首次出现。自此以后,激光受到多方面 应用,发展成为强效的工具。激光对物料加工的帮助,效果 尤其显著。激光具有许多独特的性质,例如狭窄的频率带宽 (narrow frequency bandwidth)、相干性(coherence), 以及高能量密度(high power density)。通常,光束的强 度足以汽化最坚硬与最耐热的物料。再加上激光精确、可靠、 具备良好的空间分辨能力(spatial resolution)这些出色 表现,所以得到功能薄膜、物料改造、物料表面加热处理、 熔接,及微型图案等工业广泛使用。除此之外,多组分 (polycomponent)物质能够溶化,并沉积在底物上,形成化 学计量薄膜(stoichiometric thin films)。最后提及的这 个激光应用技术,就是所谓的脉冲激光沉积(简称PLD)。
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中国物理学会秋季学术会议专业分组 1 A 粒子物理、场论与宇宙学
2 B 核物理与加速器物理
3 C 原子分子物理
4 D 光物理
5 E 等离子体物理
6 F 纳米与介观物理
7 G 表面与低维物理 8 H 半导体物理
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薄膜材料的制备及其表征方法 功能材料介绍及新一代信息功能材料 电子陶瓷材料
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薄膜材料的制备及其表征方法
刘玉学
东北师范大学物理学院 2010年9月
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第一节 薄膜材料的制备方法
1.1 化学成膜方法
化学气相沉积方法 (CVD) 电镀 (Plating) 溶胶凝胶方法 (Sol-Gel)
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PLD的概念简单易懂。脉冲激光束聚焦在固体靶的表面上。 固体表面大量吸收电磁辐射(electromagnetic radiation), 导致靶物质快速蒸发。蒸发的物质由容易逃出与电离的物质 (species)组成。如果溶化作用在真空之下进行,蒸发的物 质本身会实时在靶表面上形成光亮的等离子羽状物(plasma plume)。
b) 溅射沉积 (Sputtering)
c) 离子成膜方法
分子束外延成膜(MBE)
脉冲激光沉积成膜(PLD)
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a) 热蒸发和电子束蒸发
基片或工件置于高真空室内,通过加热或电子束轰击靶 材使蒸发材料气化或升华而沉积到某一温度的基片或工 件的表面上,形成一层薄膜,这一过程叫做真空蒸发镀膜。
溶胶凝胶方法
指由溶胶转变为凝胶的过程。 作为溶胶使用的前驱体是金属醇盐,它先在一定的酸度 溶液中水解、聚合形成溶胶,溶胶进一步聚合可形成具 有三维网状结构的凝胶,最后经过干燥、烧结使无定型 的干凝胶转变为晶态的氧化物超细颗粒。
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