激光器主要有：工作物质、谐振腔、泵浦源组成。

工作物质主要提供粒子数反转。

泵浦过程使粒子从基态E1抽运到激发态E3，E3上的粒子通过无辐射跃迁（该过程粒子从高能级跃迁到低能级时能量转变为热能或晶格振动能，但不辐射光子），迅速转移到亚稳态E2。

E2是一个寿命较长的能级，这样处于E2的粒子不断累积，E1上的粒子又由于抽运过程而减少，从而实现E2与E1能级间的粒子数反转。

激光产生必须有能提供光学正反馈的谐振腔。

处于激发态的粒子由于不稳定性而自发辐射到基态，自发辐射产生的光子各个方向都有，偏离轴向的光子很快逸出腔外，只有沿轴向的光子，部分通过输出镜输出，部分被反射回工作物质，在两个反射镜间往返多次被放大，形成受激辐射的光放大即产生激光。

光的倍频是一种最常用的扩展波段的非线性光学方法。

激光倍频是将频率为ω的光，通过晶体中的非线性作用，产生频率为2ω的光。

当光与物质相互作用时，物质中的原子会因感应而产生电偶极矩。

单位体积内的感应电偶极矩叠加起来，形成电极化强度矢量。

电极化强度产生的极化场发射出次级电磁辐射。

当外加光场的电场强度比物质原子的内场强小得多时，物质感生的电极化强度与外界电场强度成正比。

P=ε0χE在激光没有出现前，当有几种不同频率的光波同时与该物质作用时，各种频率的光都线性独立地反射、折射和散射，满足波的叠加原理，不会产生新的频率。

当外界光场的电场强度足够大时（如激光），物质对光场的响应与场强具有非线性关系：P=αE+βE2+γE3+⋯式中α，β，γ，…均为与物质有关的系数，且逐次减小。

考虑电场的平方项E=E0cosωtP(2)=βE2=βE02cos2ωt=βE02(1+cos2ωt)出现直流项和二倍频项cos2ωt,直流项称为光学整流，当激光以一定角度入射到倍频晶体时，在晶体产生倍频光，产生倍频光的入射角称为匹配角。

倍频光的转换效率为倍频光与基频光的光强比，通过非线性光学理论可以得到：η=I2ωω∝βL2Iωsin2(Δkl/2)式中L为晶体长度，Iω、I2ω分别为入射的基频光、输出的倍频光光强。

在正常色散情况下，倍频光的折射率n2ω总是大于基频光的折射率，所以相位失配，双折射晶体中的o光和e光折射率不同，且e光的折射率随着其传播方向与光轴间夹角的变化而改变，可以利用双折射晶体中o光、e光间的折射率差来补偿介质对不同波长光的正常色散，实现相位匹配。

【实验装置】图4 实验装置示意图实验使用808nm LD泵浦晶体得到1.064μm 近红外激光，再利用KTP晶体进行腔内倍频得到0.53μm的绿激光，长度为3x3x1mm掺杂浓度3at% α轴向切割Nd:YVO4晶体作为工作介质，入射到内部的光约95%被吸收，采用ΙΙ类相位匹配2x2x5mmKTP晶体作为倍频晶体，它的通光面同时对1.064μm、0.53μm高透，采用端面泵浦以提高空间耦合效率，用等焦距为3mm 的梯度折射率透镜收集808LD激光聚焦成0.1μm的细光束，使光束束腰在Nd:YVO4晶体内部，谐振腔为平凹型，后腔片受热后弯曲。

输出镜用K9玻璃，R为50mm，对808.5，1.604高反，0.53增透。

用632.8nmHe-Ne激光器作为准直光源。

【操作步骤】1、将808nmLD固定在二维调节架，将He-Ne632.nm红光通过白屏小孔聚到折射率梯度透镜上。

让He-Ne激光和小孔及808nmLD在同一轴线上。

2、将Nd:YVO4晶体安装在二维调节架，将红光通过晶体并将返回的光点通过小孔。

3、将输出镜固定在四维调节架上。

调节输出镜使返回光点通过小孔。

对于有一定曲率的输出镜，会有几个光斑，应区分从球心返回的光斑。

4、在Nd:YVO4晶体和输出镜之间插入KTP晶体，接通电源，调节多圈电位器。

5、产生532nm倍频绿激光。

调节输出镜，LD调节架，使532nm绿光功率最大。

【实验数据记录与分析】表1 光源电流与光功率关系 可调光源电流I/mA 20 40 60 80 100 120 140 160180 200 808nmLD 激光光功率P/mW 0.04 0.10 0.20 1.95 7.03 13.3 20.1 27.5 35.443.1 可调光源电流I/mA 220 240 260 280 300 320 340 360 380 400808nmLD 激光光功率P/mW 49.0 53.7 59.0 63.9 69.5 75.4 82.1 91.2 101.3 110.5将数据导入Origin8.5，并拟合为平滑曲线如下：20406080100120激光功率P /m W 可调电源输出电流I/mA半导体激光LD 的PI 特性曲线图4 实验测得LD 的PI 特性曲线由激光原理可知：工作物质一定时，LD 输出激光频率与谐振腔长度和激励源强度有关，即输出频率取决于PN 结温度和注入电流大小。

一般半导体激光器的发光特性如图5所示。

可以看出在温度一定时，驱动电流低于阈值电流（门限电流）时，激光器输出功率趋近于零，此即为LD 荧光区；只有当驱动电流高于阈值电流时才能产生激光，即为激光区，在这个区域内，输出功率随电流I 的增大而迅速呈似线性式增大。

024681012510152025输出功率P 正向电流I 门限电流荧光区激光区图5 半导体LD 一般PI 特性曲线对比图5，从图4可看出实验测得PI 曲线大致符合理论，一定程度说明数据正确性。

可容易看出实验所用808nmLD的门限电流大致在70mA左右。

在激光区的线性拟合度不是很高，尤其在220mA附近。

这是由于光功率计示数不稳定且波动较大，而且外光源（如台灯，走廊灯等）的影响也较大，但是不改变曲线的整体趋势。

表2激励源电流与532nm绿色激光光功率关系及转换效率激励电流I/mA300 320 340 360 380 400降序绿激光功率P1/mW 0.2360.2450.307 0.380.450.53升序绿激光功率P2/mW 0.2360.2890．307 0.430.480.571绿激光功率平均值0.2360.2670.307 0.4050.4530.551P/mW808nmL D激光功率P’/mW 69.5 75.4 82.1 91.2 101.3110.5转换效率η0.34%0.35%0.37% 0.44%0.45%0.50%注：η=PP×100%由上表数据可看出：随激励电流的增大（或者说LD光功率增大），532nm绿激光的转换效率整体上呈增加趋势。

经查阅资料，实验所得转换效率远小于一般LD泵浦激光器的转换效率。

造成偏低的原因可能有：（1）透镜或出射窗有污渍影响光强输出。

（2）KTP晶体损坏（实验过程确有遇到晶体损坏，更换KTP晶体才明显看到绿色激光光功率增强）。

（3）光路调节不够准直，主要器件的光轴不在同一条水平线上。

（4）激光未能在增益介质膜中多次振荡便出射，光强增益放大不足。

（5）光功率计数值显示不稳定，LD 激光输出本身也不十分稳定，测量读数会有一定误差。

再将升序、降序（对电流而言）测得的功率值以激励电流为横坐标，导入Origin8.5，并拟合为平滑曲线如下图： 0.200.250.300.350.400.450.500.55绿色激光功率P /m W 电源电流I/mA升序降序图6 绿色激光（波长为532nm ）的PI 特性曲线由上图可以看出，当激励电流一定时，不管是升序还是降序，测得的绿激光光功率最大值相差甚小，但整体来说，升序测得的数据略大于降序测得的数据。

因为实际实验中升序降序所取电流值一一对应，而降序过程中由于起始激励电源高，散热慢而导致光路系统（器件）温度会略高于升序时的温度。

因为温度的升高会引起某些方向振动模式增益得到加强，某些方向振动模增益得到减弱。

推测：1、降序系统温度偏高，绿光532nm激光振动模式增益得到削弱所致；2、电流一定的情况下，随着温度升高，半导体激光器LD的阈值电流增大，导致发光功率降低。

【实验总结】本实验大致主要过程步骤为：用波长为808nm的半导体激光光源作为固体增益介质Nd:YVO4晶体的泵浦光源，从而得到波长为1064nm的红外激光，利用He-Ne激光器进行光路准直校准，使激光通过KTP倍频晶体，利用其非线性作用可得波长为532nm的绿色激光，再稍微调整晶体和透镜调节架，使得绿激光光功率为最大值，并测量记录。

最为关键和主要的步骤是光路的准直校准，具体步骤如下：1、将小孔光屏置于轨道上，打开准直He-Ne激光光源。

将光屏从靠近He-Ne光源一端向远端移动，直至准直光能全部透过小孔。

（物镜、输出镜、KTP晶体等独立非固定器件先不放在光轨上）2、将物镜放置在离泵浦光源距离为50mm左右的位置（物镜靠LD侧贴膜Nd:YVO4实为增益介质）。

打开泵浦光源（实验设置为300mA 输出电流），观察光斑是否在物镜正中心，注意中心光斑应为白色或亮黄色，区别于其他的红色反射光点。

可调节物镜四维调节架旋钮使最亮光点严格在透镜中心。

固定物镜关闭LD光源并再打开准直光源，细调物镜使激光反射点与光阑中心重合。

实际实验中反射光点并未能完全与小孔重合。

3、将输出镜放上轨道，打开准直光源进行校准。

根据光点随输出镜旋钮扭动方向的移动，判断物镜与输出镜是否严格平行。

关闭He-Ne准直光源。

4、将倍频晶体KTP放上轨道，尽量靠近物镜（增益介质），也用He-Ne光源进行准直调节。

5、关闭准直光源，打开LD泵浦光源，在输出镜与小孔间放上滤光片（滤红外）；旋动KTP 晶体直至出现绿色激光。

细调KTP、输出镜等的调节架可使绿激光功率尽可能达到最大值。

实际实验中调节良久，测量并读取得到了如表2中的数据。

为了方便可以全程打开着准直He-Ne 激光器，在不需要它的时候只需要在其出射端轨道上加遮挡屏即可。