精简版-半导体物理与器件复习资料
(1).状态密度函数：有效量子态的密度。

它是能量的函数，表示为单位体积单位能量中的量子态数量。

(2).电子的有效质量：该参数将晶体导带中电子的加速度与外加的作用力联系起来，该参数包含了晶体中的内力。

(3).费米-狄拉克概率函数：该函数描述了电子在有效能级中的分布，代表了一个允许能量状态被电子占据的概率。

(4).费米能级：用最简单的话说，该能量在T=0K时高于所有被电子填充的状态的能量，而低于所有空状态能量。

(5).空穴的有效质量：该参数同样将晶体价带中空穴的加速度与外加作用力联系起来，而且包含了晶体中的内力。

(6).k空间能带图：以k为坐标的晶体能连曲线，其中k为与运动常量有关的动量，该运动常量结合了晶体内部的
相互作用。

(7).克龙尼克-潘纳模型：由一系列周期性阶跃函数组成，是代表一维单晶晶格周期性势函数的数学模型。

(8).杂质补偿半导体：同一半导体区域内既含有施主杂质又含有受主杂质的半导体。

(9).完全电离：所有施主杂质原子因失去电子而带正电，所有受主杂质原子因获得电子而带负电的情况。

(10).简并半导体：电子或空穴的浓度大于有效状态密度，费米能级位于导带中（n型）或价带中（p型）的半导体。

(11).有效状态密度：即在导带能量范围内对量子态密度函数gc（E）与费米函数fF（E）的乘积进行积分得到的参
数Nc；在价带能量范围内对量子态密度函数gv（E）与【1-fF（E）】的乘积进行积分得到的参数N。

(12).非本征半导体：进行了定量施主或受主掺杂，从而使电子浓度或空穴浓度偏离本征载流子浓度产生多数载流子
电子（n型）或多数载流子空穴（p型）的半导体。

(13).束缚态：低温下半导体内的施主与受主呈现中性的状态。

此时，半导体内的电子浓度与空穴浓度非常小。

n：本征半导体内导带电子的浓度和价带空穴的浓度（数值相等）。

(14).本征载流子浓度
i
E：本征半导体内的费米能级位置。

(15).本征费米能级
Fi
(16).本征半导体：没有杂质原子且晶体中无晶格缺陷的纯净半导体材料。

(17).非简并半导体：参入相对少量的施主和（或）受主杂质，使得施主和（或）受主能级分立、无相互作用的半导
体。

(18).爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系
(19).电离杂质散射：载流子和电离杂质原子之间的相互作用
(20).晶格散射：载流子和热震动晶格原子之间的相互作用
(21).双极扩散系数：过剩载流子的有效扩散系数
(22).双极迁移率：过剩载流子的有效迁移率
(23).双极输运：具有相同扩散系数，迁移率和寿命的过剩电子和空穴的扩散，迁移和复合过程
(24).双极输运方程：用时间和空间变量描述过剩载流子状态函数的方程
(25).载流子的产生：电子从价带跃入导带，形成电子-空穴对的过程
(26).载流子的复合：电子落入价带中的空能态（空穴）导致电子-空穴对消灭的过程
(27).过剩载流子：过剩电子和空穴的过程
(28).过剩电子：导带中超出热平衡状态浓度的电子浓度
(29).过剩空穴：价带中超出热平衡状态浓度的空穴浓度
(30).过剩少子寿命：过剩少子在复合前存在的平均时间
(31).产生率：电子-空穴对产生的速率（#/cm3-ms）
(32).小注入：过剩载流子浓度远小于热平衡多子浓度的情况
(33).少，其中D和τ分别为少子的扩散系数和寿
命
(34).准费米能级：电子和空穴的准费米能级分别将电子和空穴的非平衡状态浓度与本征载流子浓度以及本征费米能
级联系起来
(35).突变结近似：认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续
(36).内建电势差：热平衡状态下pn结内p区与n区的静电电势差。

(37).当pn结由正偏状态转换到反偏状态时，pn结内存储的过剩少数载流子会被移走，即电容放电。

放电时间称为
存储时间，它是二极管开关速度的一个限制因素
(38).雪崩击穿：电子和空穴穿越空间电荷区时，与空间电荷区内原子的电子发生碰撞产生电子－空穴对，在pn结
内形成一股很大的反偏电流，这个过程就称为雪崩击穿。

(39).肖特基势垒二极管的理想i-v关系与pn结二极管的相同。

然而，电流值的数量级与pn结二极管的不同，肖特
基二极管的开关速度要快一些。

另外，肖特基二极管的反向饱和电流比pn结的大，所以在达到与pn结二极管一样的电流时，肖特基二极管需要的正的偏压要低。

(40).金属-半导体也可能想成欧姆接触，这种接触的接触电阻很低，是的结两边导通时结两边的压降很小。

(41).异质结：两种不同的半导体材料接触形成的结。

(42).同型异质结：参杂剂在冶金结处不变的异质结。

(43).欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。

(44).理查德森常数：肖特基二极管中的I-V关系中的一个参数A*。

(45).共发射极电流增益是三个因子的函数----发射极注入效率系数，基区输运系数和复合系数。

发射极注入效率考虑
了从基区注入到发射区的载流子，基区输运系数反映了载流子在基区的复合，复合系数反映了载流子在正偏发射结内部的复合。

(46).两种击穿机制----齐纳击穿和雪崩击穿。

(47).晶体管的三种等效电路或者数学模型。

E-M模型和等效电路对于晶体管的所有工作模式均适用。

基区为非均匀
掺杂时使用G-P模型很方便。

小信号H-P模型适用于线性放大电路的正向有源晶体管。

(48).晶体管的截止频率是表征晶体管品质的一个重要参数，他是共发射极电流增益的幅值变为1时的频率。

频率响
应是E-B结电容充电时间、基区度越时间、集电结耗尽区度越时间和集电结电容充电时间的函数。

(49).虽然开关应用涉及到电流和电压较大的变化，但晶体管的开关特性和频率上限直接相关，开关特性的一个重要
的参数是点和存储时间，它反映了晶体管有饱和态转变变成截止态的快慢。

(50).截止频率：共基极电流增益幅值变为其低频值的1根号2时的频率，就是截止频率。

(51).禁带变窄：随着发射区中掺杂，禁带的宽度减小。

(52).基区渡越时间：少子通过中性基区所用的时间。

(53).基区输运系数：共基极电流增益中的一个系数，体现了中性基区中载流子的复合。

(54).基区宽度调制效应：随C-E结电压或C-B结电压的变化，中性基区宽度的变化。

(55).B截止效率：共发射极电流增益幅值下降到其频值的1根号2时的频率。

(56).集电结电容充电时间：随发射极电流变化，B-C结空间电荷区和急电区-衬底结空间电荷区宽度发生变化的时间
常数。

(57).集电结耗尽区渡越时间：载流子被扫过B-C结空间电荷区所需的时间。

(58).共基极电流增益：集电极电流与发射极电流之比。

(59).共发射极电流增益：集电极电流与基极电流之比。

(60).电流集边：基极串联电阻的横向压降使得发射结电流为非均匀值。

(61).截止：晶体管两个结均加零偏或反偏时，晶体管电流为零的工作状态。

(62).截止频率：共发射极电流增益的幅值为1时的频率。

(63).E-B结电容充电时间：发射极电流的变化引起B-E结空间电荷区宽度变化所需的时间。

(64).发射极注入效率系数：共基极电流增益的一个系数，描述了载流子从基区向发射区的注入。

(65).耗尽型MOSFET：必须施加栅电压才能关闭的一类MOSFET
(66).增强型MOSFET：必须施加栅电压才能开启的一类MOSFET
(67).等价固定氧化层电荷：与氧化层－半导体界面紧邻的氧化层中的有效固定电荷，用Q'SS表示。

(68).平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空闲电荷区
(69).栅电容充电时间：由于栅极信号变化引起的输入栅电容的充电或放电时间
(70).最大空间电荷区宽度：阈值反型时氧化层下面的空间电荷区宽度金属－半导体功函数差：金属功函数和电子亲
ms表示
和能之差的函数，用
(71).临界反型：当栅压接近或等于阈值电压时空间电荷宽度的微弱改变，并且反型层电荷密度等于掺杂浓度时的情
形
(72).栅氧化层电容：氧化层介电常数与氧化层厚度之比，表示的是单位面积的电容，记为Cox。