习题一：
1. 给出部分补偿p型半导体在饱和区热平衡情况下的空穴浓度 Pp0 。 2. 绘出并简述n型半导体n-T关系的基本特征，并试求出部分 电离区的EF和n的表达式。 3. 给出用本征载流子浓度ni及本征费米能量Ei表示的n型和p型 非本征半导体中的EF表达式. 4. 一个有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度 NA=11015/cm3，室温下EF恰好与施主能级重合，并知平衡 电子密度为n0=5 1015/cm3 。已知室温下硅的本征载流子密 度ni=1.5 1010/cm3，试求： 1）平衡少子密度？ 2）掺入材料中的施主杂质密度？ 3）电离杂质密度和中性杂质密度？
4.推导理想情况，稳态小注入条件下， pn结n型区少子 连续性方程： 2
p n p n p no 0 2 x Dp p
习二：
1. 推导给出热平衡情况下，突变pn结两侧空穴浓度之间 及电子浓度之间的关系。 2. 推导给出热平衡情况下，突变pn结耗尽层宽度W表达 式，并据此给出单边突变结W的表达式。
3. 计算p-n结二极管的理想反向饱和电流，其截面积为 210-4cm2，二极管的参数是NA=5 1016cm-3， ND=1016cm-3, ni=9.65 109cm-3, Dn=21cm2/s， Dp=10cm2/s，p0=n0=5 10-7s .