微电子综合实验报告实验题目：⒚同或门电路仿真
班级：电子科学与技术1201
姓名：XXX
学号：XXX
时间：2015.5—2015.6
一、电路图。
OUT
A B
(IN1) （IN2）
分别给上图中的每个管子和结点标注，如下所述：
P管分别标记为：MP1、MP2、MP3;N管分别标记为：MN1、MN2、MP3;A、B端分别标记为：IN1、IN2;输出端标记为：OUT；N 管之间连接点标记为：1；连接反相器的点标记为：2；如上图所示。
其真值表如下所示：
二、电路仿真表。
*dounand
MN1 1 IN1 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MN2 2 IN2 1 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MN3 OUT 2 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MP1 IN2 IN1 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U
MP2 IN1 IN2 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U
MP3 OUT 2 VDD VDD PMOS L=0.6U W=4.4U
VDD VDD 0 DC 5V
VIN1 IN1 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 5N 10N)
VIN2 IN2 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N)
.TRAN 1N 100N UIC
.LIB './HJ.L' TT
.END
下图为无负载电容，IN1=10ns，IN2=20ns时的波形图。
从图中可以发现，本来输出应该是5v，实际输出只有4.8v，可见输出有阈值损失。
原因是N管传高电平、P管传低电平时，输出半幅，所以存在阈值损失。
三、输出加负载电容。
1、C=0.2p ；IN1=10ns ；IN2=20ns 时波形如下：
电路仿真表如下：
*dounand
MN1 1 IN1 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MN2 2 IN2 1 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MN3 OUT 2 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MP1 IN2 IN1 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U
MP2 IN1 IN2 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U
MP3 OUT 2 VDD VDD PMOS L=0.6U W=4.4U cloadf OUT 0 0.2p
VDD VDD 0 DC 5V
VIN1 IN1 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 5N 10N)
VIN2 IN2 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N) .TRAN 1N 100N UIC
.LIB './HJ.L' TT
.END
2、C=0.2p ；IN1=20ns ；IN2=40ns时波形如下：
电路仿真表如下：
*dounand
MN1 1 IN1 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MN2 2 IN2 1 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MN3 OUT 2 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MP1 IN2 IN1 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U
MP2 IN1 IN2 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U
MP3 OUT 2 VDD VDD PMOS L=0.6U W=4.4U cloadf OUT 0 0.2p
VDD VDD 0 DC 5V
VIN1 IN1 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N)
VIN2 IN2 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 20N 40N)
.TRAN 1N 100N UIC
.LIB './HJ.L' TT
.END
3、C=0.5p ; IN1=10ns ；IN2=20ns时波形如下：
电路仿真表如下：
*dounand
MN1 1 IN1 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MN2 2 IN2 1 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MN3 OUT 2 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MP1 IN2 IN1 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U
MP2 IN1 IN2 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U
MP3 OUT 2 VDD VDD PMOS L=0.6U W=4.4U cloadf OUT 0 0.5p
VDD VDD 0 DC 5V
VIN1 IN1 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 5N 10N)
VIN2 IN2 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N)
.TRAN 1N 100N UIC
.LIB './HJ.L' TT
.END
4、C=0.5p ; IN1=20ns ；IN2=40ns时波形如下：
电路仿真表如下：
*dounand
MN1 1 IN1 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MN2 2 IN2 1 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MN3 OUT 2 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U
MP1 IN2 IN1 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U
MP2 IN1 IN2 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U
MP3 OUT 2 VDD VDD PMOS L=0.6U W=4.4U cloadf OUT 0 0.5p
VDD VDD 0 DC 5V
VIN1 IN1 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N)
VIN2 IN2 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 20N 40N)
.TRAN 1N 100N UIC
.LIB './HJ.L' TT
.END
四、实验结果分析。
从仿真波形图可以看出：1、在无负载电容时，若A、B输入相同电平时，则输出为高电平；若A、B输入不相同的电平时，则输出为低电平。
实验结果与理论（真值表）相符。
2、加负载电容时，当A、B 输入相同电平时，电容充电；当A、B输入不相同电平时，电容放电。
且当电容值较小时，电容充放电时间较短；电容值较大时，电容充放电时间较长。
五、课程总结与体会。
通过本次实验，验证了晶体管的特性，自己也进一步了解了晶体管的特性。
学会了如何使用电子电路仿真软件SPICE、知道如何看电路图、怎么合理的设置器件参数等。
了解了电路仿真表应该按照管子名称、漏极、栅极、源极、衬底、管子特性的顺序来写。
在本次实验中，感觉自己收获了许多课本上没有的东西，扩充了知识面。
物理与电子信息学院-微电子综合实验-成绩评定表
专业：电子科学与技术班级：12电子学号：120803021 姓名：李思思。