简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别：对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。
解：耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。
而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。
氧化层源极(S稠极(G) /涌极(D)甘底WB)(a)随着役逐渐增人，栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到•定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了•个''新的P型区”，它连接源区和漏区。
如果此时在源极和漏极之间加上•个负电压bs，那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为当咲•定，而l，SD持续增人时，则相应的1&；减小，近漏极端的沟道深度进-步减小，直至沟道预夹断，进入饱和区。
电流咕不再随的变化而变化，而是•个恒定值。
考虑•个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。
求下列情况下的漏极电流：(1)Ks = 5V且仏二IV：(2)= 2V 且仏二：(3)Vis = J L =:(4)Ks = ^ = 5Vo(1)根据条件v GS^V；, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。
Z D = K 7；［(V GS _V t)V DS - | V DS =(2)根据条件v GS^V；, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。
(3)根据条件该场效应管工作在截止区，咕=0(4)根据条件匕2«，%>(沧一«)，该场效应管工作在饱和区B =4；学(心 -％)SmA由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确宦夹断电压或开启电压值。
图（a ） P 沟道耗尽型 图（b ） P 沟道增强型•个NMOS 晶体管有K = IV 。
当沧二2V 时，求得电阻氏为lk 。
为了使IDS = 500 , 则吃为多少当晶体管的护为原护的二分之-时，求其相应的电阻值。
解：由题目可知，该晶体管工作在变阻区，则有当Gs=im 时，代入上式可得总岁=1机4//当晶体管的"•为原"•的二分之•时，当沧二2V 时，张=2*0 当晶体管的"•为原伊的二分之•时，当沧二3V 时，仏=g（1）画出P 沟道结型场效应管的基本结构。
（2）漏极和源极之间加上适当的偏置，画出匕=0V 时的耗尽区，并简述工作原理。
解：（1）图题则时,o.5m = ^(v GS -V l ) = 2V^v GS =3V⑵D用欧姆农的两测试棒分别连接JFET的漏极和源极，测得阻值为&然后将红棒（接负电压）同时与柵极相连，发现欧姆农上阻值仍近似为氏，再将黑棒（接正电压）同时与柵极相连, 得欧姆农上阻值为足，且足>> 氏，试确定该场效应管为N沟道还是P沟道。
解:v GS< 0时，低阻抗，匕>0时，高阻抗，即临<0时导通，所以该管为P沟道JFET。
在图题所示电路中，晶体管门\和皿有K = IV,工艺互导参数^=100uA/V\假定=0,求下列情况下％、％和％的值：（1）（妙0 = （*7£）2 = 20：（2）（妙6 = （»7L）z = 20o+5V竹------ --------------- 卩2------- _VT( VT： || ----------------- \\O KHH I A图题（1）解：因为（砂小=WL）z = 20；电路左右完全对称，贝iJI Dl=/D2=5O//^ 则有％ =匕=5V-7ni x20m = 4V^■■V GD=-4V<V I ,可得该电路两管工作在饱和区。
则有：/°=$件（％-乍叫=】.22"・・.匕=匕=-1.22V（2）解：因为（»/£）：=（疗£）,二20,・・.* = 1・5，同时/刖+/小=100“人可求得：/D1 = 60/M, I D2 = 40//A则有％ =5V-/D1x20m = 3.8V, =5V-/D2x20m = 4.2V・・・匕刖=-3・8V <匕，•/ V GD2 = -4.2V < V；可得该电路两管工作在饱和区。
则有: 心=4；=匕s = 1245U•・.匕=匕=一1.245"场效应管放大器如图题所示。
k\（^£）=V2, V；=2V（1）计算静态工作点0;（2）求从、山、凡和爪。
"on（♦阳卄島2tn心（-仞图题解：（1）叫=0,・•・％ =-叫=18-皿=18-2/° 考虑到放人器应用中，场效应管应工作在饱和区，则有:代入上式可得：/；-17/D+64 = 0解得d=ll・35mA, /D2= 5.65mA,当/D1 =11.35mA时场效应管截止。
因止匕， /D =/D2 = 5.65mA , % =18 — 11・3 = 6・7V , = 18-2x5.65 = 6.7V\/^= 6.7-(-6.7) = 13.4V(2)弘三許=脣=2・4〃”，忽略厄尔利效应*ov 4 /心=碁=-几（心//心）=-4.36K = ¥ =他=ioos 宀晟—.96R。
乳= 2kQ.图题所示电路中FET的«=1V,静态时厶二，V （疗Z）用求:（1）源极电阻斤应选多人（2）电压放人倍数凡、输入电阻止、输岀电阻凡:（3）若G虚焊开路，则4、&、丘为多少图题解：(1) ^ = 18x 2rao =+6Vb =#；*(%-X r =>%= 2.6V叫=匕一％ =2・4VR = A = 3.75SIDQ21(2) 弘三严= °・8〃心忽略厄尔利效应*ov4 = J = -gm (R D //RL ) = -4.8vK =丄=&； + (loom|| 2OORG)彩 1OMChR° a R° = 10kQ (3) 人=土 = 一几(“/严)=v l1+g"K = 2 = &；+(ioogi2oogMOMcr iR Q 2 R D = 10kQ共源放人电路如图题所示，己知MOSFET 的P312L = V\ %=2V,心=80kQ ，各电 容对信号可视为短路，试求：(1) 静态屁&和◎(2) 儿、氏和屁解：(1)叫=0, ••・％ =-匕=30-朋• =30-2/° 考虑到放人器应用中，场效应管应工作在饱和区，则有:GIFIWH8V>代入上式可得：水-29山+196 = 0解得/Dl =18.25niA, /D2 = 10.75nV\ ,当 Z DI = 18.25mA 时场效应管截止。
因此，I D = /D2 = 10.75nVk , %=30-2H0・75 = 8・5V , 岭=30-2x10.75 = 8.5V , %=8・5—（一8・5） = 17Uv尽=土 =他=1MGR° ® R° = 2kQ.对于图题所示的固定偏置电路:(1) 用数学方法确定A 和(2) 求％、％、比的值。
图题解：⑴％=-3V假设该JFET 匸作在饱和区，则有/D = /DSS |1-器|*=1.1〃S (2)匕=0V , V p =16-2.2x//? = 13.58V , 匕=-3V对于图题所示的分压偏置电路，％=9V,求：(1) 厶；(2) %和(3) %和心 2/ ⑵弘三許=辱=3琢，忽略厄尔利效应可_ 1 + &討 =0.87I6V'V 7T则匕s =匕 一％ = 2」6 — I• 1 匚=,贝IJ^=1.1/D =3.64V % =匕一匕=（20—2.2/D ）-3.64 =9.07V = 20x 110 110 +%叫一％=2.16 — 1.% => I D =3.3\mA 或8.01m4（舍去）9-1120-V |[j2.2kn 加 —»匚A»s»IOmAp\2-15V|JlJkQ=2.16V ,如图题所示，求该放人器电路的小信号电压增益、输入电阻和最人允许输入信号。
该晶体 管有K = , kg ⑴# K = 50A 。
假定耦合电容足够大使得在所关注的信号频率上相当于短 路。
图题解：等效电路如图所示％=乙=% = 15-10/°=#厝（％_叮 * =1 06曲或1・72机4（舍去） 则 V GS =V D =^4V2/g 刖尹= 0.725林v ovW R G = 10MQ ,其上的交流电流可以忽略，则入=才=一舫（M 心/程）=一3・3为了计算输入电阻，先考虑输入电流（此处也可用密勒定理）,R =2 = ^ = 2・33MG I } 4.3最人允许输入信号需根据场效应管工作在饱和区条件来确定， 即 V DS — V GS —% 9 即 'Wnw = V GS （ma.v ）%_人％=鸟+忙匕=＞岭=0・刖考虑图题所示的FET 放人器，其中，K = 2V, （#；a ）=lmA/V% Ks = 4V, = 10V ＞以 及心。
（1） 求直流分量厶和％：（2） 计算偏置点处的和值：（3） 计算电压增益值乩：（4） 如果该MOSFET 有 二S 求偏置点处的（以及计算源电压增益凡，V O图题解：（1） =#；¥（%-«） =2mA 则“％ 一皿=2・W（3） 代=# = _gm 心=一7・2 （4） /• =^- = 50mX/DR如=7T 汰；人=一几（心〃叮"2图题所示为分压式偏置电路，该晶体管有K = IV, k ； （/!/£） =2mA/V\如果K = 100V,求佥和皿假设对于信号频率所有的电容相当于短路，湎出该放人器完整的小信号等效电路: 求丘、兄、以及vj r 51g o+ I5V5Mtl£图题解：（1）假设该电路工作在饱和区，则有匕是= +5V, %= —5-％则％=冬一叫=5-3心=2卩⑵= 2ms=Ik = loom(2)弘三卜=方必vov(1) (2) (3)(4)I0MI27.5kQo v o乩.L10MQce 坯.—CU - 0_II_o-8 ~~lhlOkflriM⑷ 尺=A = Rm / /心2 =心=3.33MGI-VR 。
"=：//心=100£G//7・5kG = 7Mzt ^=oR\=8人=严=—=—gm （r o //R D ///?L ） = -8.2i "gsGv=^= A=_忌旣 gm 也 / /心 / /他）=2.03设计图题所示P 沟道EM0SFET 电路中的&、屁要求器件工作在饱和区，且厶二，仏二-， 匕=2V 。