高级模拟集成电路设计(Analog Design Essentials)
2009年9月11日
唐长文副教授
zwtang@
/Courses.htm
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MOST与双极性晶体管模型的比较
SIA线路图
在深亚微米工艺下模拟设计的挑战
Ref.: SNUG2004, San Jose
ISSCC 2009论文分布情况
51015202530≥35025018013090654532
Analog/RF Digital
符号说明
MOST版图
MOST版图：C ox D
MOST版图：C ox D
N阱CMOS工艺
多晶硅栅n-well N p-sub，n pmos>n nmos!
栅氧
MOST的I DS GS DS
目录
MOST的V DS DS
MOST的参数、KP、C ox
L
L
BS
目录
MOST I DS GS
MOST的小信号模型：g m DS
DS V
T
m
MOST的小信号模型：r DS
MOST单管增益A V
0.2 V、
高增益设计
用三个单管串联的结构，实现总增益为10,000的三
级放大器。

使用先进的65 nm CMOS 工艺( )，求最小栅长。

例：单管放大器
En 4 V/μm V =GS T 0.2 V V V −=
pMOST的小信号模型
MOST的小信号模型: g m mb
d i
v
BS
目录
I DS m GS
m GS
wi与si转换点电压V GSt
GSt
wi与si的转换点
wi与si转换点的能效比g m/I DS
wi与si平滑过渡的EKV模型
wi与si转换点电流I DSt
V GS -V T 0 mV 80 mV
200 mV
500 mV 0.5
2
850弱反型区
强反型区
中度反型区
10
100
1
0.01
0.1
-1000100200
300400500600700
-200
wi与si之间的跨导g m
0.338
指数
平方根
10
100
1
0.10.01
0.20.30.40.50.60.70.80.9100.1
目录
I DS m GS
饱和区和速度饱和区
m GS
sat
sat S。