模拟电子技术基础课后习题答案童诗白模拟电子技术基础课后习题答案童诗白第一章半导体基础知识一、（1）√（2）×（4）×（5）√二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC三、UO1≈1.3VUO2＝0UO3≈－1.3VUO4≈2VUO5≈2.3V四、UO1＝6VUO2＝5VUO6≈－2V五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
VBB−UBE=26μARbIC=β IB=2.6mAUCE=VCC−ICRC=2VUO＝UCE＝2V。
2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以VCC−UCES=2.86mA=28.6μAβRb=BB≈45.4kΩ七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
1.1（1）AC（2）A（3）C（4）A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3ui和uo的波形如图所示。
1.4ui和uo的波形如图所示。
1.5uo的波形如图所示。
1.6ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。
1.7（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。
1.9（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故⋅UI≈3.33V当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。
当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。
（2）IDZ=(UI−UZ)R=29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10（1）S闭合。
（2）Rmin=(V−UD)IDmax≈233Ω，Rmax=(V−UD)IDmin=700Ω。
1.11波形如图所示。
1.1260℃时ICBO≈32μA。
1.13选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。
1.141.15晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表管号上中下管型材料T1ebcPNPSiT2cbeNPNSiT3ebcNPNSiT4becPNPGeT5cebPNPGeT6becNPNGe1.16当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。
当VBB＝1V时，T处于放大状态。
因为VBB−UBEQRbVBB−UBEQ=60μA，ICQ=β IBQ=3mA，uO=VCC−ICQRC=9V当VBB＝3V时，T处于饱和状态。
因为IBQ==160μA，ICQ=β IBQ=8mA，uO=VCC−ICQRC＜UBE1.17取UCES＝UBE，若管子饱和，则VCC−UBEVCC−UBER=Rb=β RC，所以β≥b=100管子饱和。
1.18当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。
当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。
因为=480μARbIC=βIB=24mAUEC=VCC−ICRC＜VCC1.19（a）可能（b）可能1.20根据方程（c）不能（d）不能，T会损坏。
（e）可能iD=IDSS(1−UGS(th)逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。
在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。
1.22过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。
1.23uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。
1.24（a）可能（b）不能（c）不能（d第二章基本放大电路一、（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√二、（a）不能。
因为输入信号被VBB短路。
（b）可能（c）不能。
因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。
因为输入信号被C2短路。
（f）不能。
因为输出信号被VCC短路，恒为零。
（g）可能。
（h）不合理。
因为G-S 间电压将大于零。
（i）不能。
因为T截止。
三、（1）(VCC−UBEQ)IBQ 565 ； (VCC−UCEQ)β IBQ 3（2）−Uoi -120 ；⋅Uo 0.3（4）ABDE（6）BCE，AD四、（1）A（2）C（3）B（4）B五、（1）C，DE（2）B（3）ACD六、2.2（a）将－VCC改为＋VCC。
（b）在＋VCC与基极之间加Rb。
（c）将VBB反接，且加输入耦合电容。
（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。
2.3图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。
2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。
带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。
2.5（1）×（2）×（3）×（4）√（5）×（6）×（7）×（8）√（9）√（10）×（11）×（12）√2.6（1）6.4V（2）12V（3）0.5V（4）12V2.7VCC−UBEQICQ=β IBQ≈1.76mA空载时：UCEQ=VCC−ICQRc≈6.2V， rbe=rbb'+(1+β)̇=−β Rc≈−308 AuRi=Rb∥rbe≈rbe≈1.3k̇̇≈ Aus≈1.3kΩIEQ̇≈−93⋅Au−ICQ(Rc∥RL)≈2.3VRo=Rc=5kΩRL=3kΩ时：UCEQ='β R L̇=− A≈−115u̇≈−47⋅Au2.8（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。
（b）截止失真，减小Rb。
（c）同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。
2.9（a）截止失真（b）饱和失真（c）同时出现饱和失真和截止失真2.10（1）ICQ=IBQ=Rb=VCC−UCEQVCC−UBEQ̇̇=−β RLR'=1kΩAu=−=−100 AuL11+=1 RL=1.5kΩRcRL2.11空载时，Uom=UCEQ−UCESRL=3kΩ时，Uom=③③①③③2.13（1）静态及动态分析：UBQ≈IBQ=UBQ−UBEQRb1⋅VCC=2V IEQ=≈1mARb1+Rb2Rf+ReIEQ≈10μA UCEQ≈VCC−IEQ(Rc+Rf+Re)=5.7V≈2.73kΩIEQrbe=rbb'+(1+β)̇=−β(Rc∥RL)≈−7.7Aurbe+(1+β)RfRi=Rb1∥Rb2∥[rbe+(1+β)Rf]≈3.7kΩRo=Rc=5kΩ̇减小，Ȧ≈－1.92。
(2)Ri增大，Ri≈4.1kΩ；Auu VCC−UBEQR1+R2+(1+β)RcICQ=β IBQ UCEQ=VCC−(1+β)IBQRċ=−βR2∥R3R=r∥R R=R∥RAuibe1o23rbe2.15Q点：VCC−UBEQ)R2∥R3＋(1＋β)R1]ICQ=β IBQ UCEQ=VCC−ICQRc+UBEQ̇=β R4R=R∥rbeR=RAui1o4VCC−UBEQ1UBEQ1R3ICQ2≈ ICQ1=β IBQ1UCQ2=VCC− ICQ2R4UBQ2≈UCEQ1(VCC−UBEQ1)+UBEQ1=UBQ2－UBEQ2rbe21+β2̇=β21R4Ȧ=ȦȦAu2uu1u2rbe1rbe2UCEQ2=UCQ2－UBQ2+UBEQ2Ri=R2∥R3∥rbe1 Ro=R4̇≈−1 Ȧ≈+1 Au1u22.18（1）求解Q点：VCC−UBEQRb+(1+β)Re≈32.3μAIEQ=(1+β)IBQ≈2.61mAUCEQ=VCC−IEQRe≈7.17V （2）求解电压放大倍数和输入电阻：RL=∞：Ri=Rb∥[rbe+(1+β)Re]≈110kΩ(1+β)Rerbe+(1+β)Re(1+β)(Re∥RL)rbe+(1+β)(Re∥RL)RL=3kΩ：Ri=Rb∥[rbe+(1+β)(Re∥RL)]≈76kΩ（3）求解输出电阻：Ro=Re∥Rs∥Rb+rbe2.19(1)VCC−UBEQRb+(1+β)Re≈31μA ICQ=β IBQ≈1.86mAUCEQ≈VCC−IEQ(Rc+Re)=4.56V rbe=rbb'+(1+β)≈952ΩIEQRi=Rb∥rbe≈952Ωβ(Rc∥RL)Ro=Rc=3kΩ⋅Us≈3.2mV̇≈304mVUo=AuiUi=若Ce开路，则Ri=Rb∥[rbe+(1+β)Re]≈51.3kΩ̇≈−Rc∥RL=−1.5Au⋅Us≈9.6mV̇≈14.4mVUo=AuiUi=2.20（a）源极加电阻RS。
（b）输入端加耦合电容，漏极加电阻RD。
（c）输入端加耦合电容（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD2.21（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。
在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。
∂iD∂uGSUGS(off)IDSSIDQ=1mA/V̇=−gR=−5 R=1MΩ R=R=5kΩAumDioD2.22（1）求Q点：UGSQ＝VGG＝3V从转移特性查得，当UGSQ＝3V时，IDQ＝1mA，UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V（2）求电压放大倍数：UGS(th)IDQIDO=3mAV̇=−gR=−20AumDAu=−gm(RD∥RL)Ri=R3+R1∥R2R0=RD2.24（a）×（b）×（c）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
（d）×（e）×（f）PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电极。
（g）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
第三章多级放大电路一、（1）×（2）√√（3）√×（4）×（5）√二、（1）AA（2）DA（3）BA（4）DB（5）CB三、（1）BD（2）C（3）A（4）AC（5）B（6）C四、（1）IC3＝（UZ－UBEQ3）/Re3＝0.3mAIE1＝IE2＝0.15mA（2）减小RC2。
当uI＝0时uO＝0，ICQ4＝VEE/RC4＝0.6mA。