实验报告
一、实验名称：集成电路版图识别与提取
二、实验学时：4
三、实验原理
本实验重点放在版图识别、电路拓扑提取、电路功能分析三大模块，
1、仔细观察芯片图形总体的布局布线，找出电源线、地线、输入端、
输出端及其对应的压焊点。

2、判定此IC采用P阱还是N阱工艺；进行版图中元器件的辨认，
要求分出MOS管、多晶硅电阻和MOS电容。

3、根据以上的判别依据，提取芯片上图形所表示的电路连接拓扑结
构；复查，加以修正；完成电路的提取，并分析电路功能，应用Visio 或Cadence等软件对电路进行复原。

六、实验仪器设备
（1）工作站或微机终端 1台
（2）芯片显微图片 1张
图1
1、观察芯片布局明确V DD、GND、V in1、V in
2、V out、Test的压焊点。

2、根据V DD连接的有源区可以判断为PMOS管，根据比较环数推测出
此IC采用了P阱工艺。

3、确定P阱工艺后，从输入端开始逐一对元器件及其连线进行辨认。

从输入端出来，直接看到在输入压焊点到输入管之间有一段多晶硅，但又无连线的“交叉”出现，排除了“过桥”的可能，初步判断为电阻，再根据其后的二极管可以判定为是与二极管组成保护电路最终与输入管相接，可断定是输入端起限流作用的电阻。

其中绿色圈标识有大片的多晶硅覆盖扩散区的区域判断为MOS电容。

图2
2、可见，实验图片为一个采用CMOS P阱工艺制造的放大器电路，该电路为典型的差分放大输入级。

由电路图可以看出，器件连接方式正确，逻辑上能完成确定的功能，说明提取结果是正确的。

3、整个实验过程是对IC逆向设计的尝试，IC逆向设计是IC设计的一条关键技术之一，一方面可借鉴并消化吸收先进、富有创意的版图
步提取；
由将二者提取的电路结合所学知识修改、完善，并最终确定电路；
由用Cadence 软件搭建出所提取的电路，并完善布局；
最后，由二者共同完成该实验报告。

报告评分：指导教师签字：。