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一方面：尺寸的缩放 W
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一 要尽量减小这层绝缘栅层的厚度。 二 要尽量减小源漏极之间沟道的长度。 三 要尽量增加栅极和衬底的面积。
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Metal Wire Interconnects
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•
Dot Formation -Film Dewetting, Chemical Synthesis(‘Nano’)
• - Wire/Tube Growth -CVD(‘Nano’)
• - Chemical Mechanical Polishing
• - SIMOX Silicon-on-Insulator via Separation by Implanted Oxygen
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半导体主要工艺过程
• Unit Operations:
• - Bulk Crystal Growth
• - Reactions (e.g. oxidation and silicidation)
• - Lithography: Projection, Beam-Based, Imprint (‘New’), Probe-Based(‘Nano’)
• - Etching: Wet, Dry
• - Diffusion
• - Ion Implantation
• - Film Deposition
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另一方面：纳米材料的组装
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•
CVD - Chemical Vapor Deposition (Epi and Non-Epi)
•
ED - Electrodeposition (Non-Epi) ( ‘New’ )
•
SOD - Spin-On Deposition (Non-Epi) (‘New’)
•
Self-Assembly(‘Nano’)
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具体的工艺
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•
PVD - Physical Vapor Deposition
•
+ Evaporative Deposition (Epitaxial and Non-Epi)
•
+ Sputter Deposition (Non-Epi)
•
LPE - Liquid Phase Epitaxy (Solution Growth) (Epi)
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集成电路工艺过程概述
Overview of Conventional IC Processing
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