3．只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（ F ）
4．在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电 流 。（ F ）
5．直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。（ F ）
二、单选题
1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（ C ）。
A．增大 定
B．减少
C．不变
有路
A．e, b, c
B．b, e, c
C．b, c, e
D．c, b,
e 9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。
A．多数载流子
B．少数载流子
C．扩散
D．少数载流子和多数载流子共同
10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是 6V、12V 和 6.7V，则此三极
管是（ D ）。（发正偏集反偏）
B．抑制差模信号 D．既抑制共模信号又抑制差模信
5． 差动放大电路用恒流源代替 RE 是为了（ C ）。
A．提高差模电压放大倍数
B．提高共模电压放大倍数
C．提高共模抑制比
D．提高差模输出电阻
6． 集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ C ）。
A．可获得较高增益
B．可使温漂变小
输入信号 ui1 = −ui2 = 10 mV 。
D．1.2 倍
14．在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（ B ）。
A．共发射极电路的 Au 最大、 ri 最小、 ro 最小
B．共集电极电路的 Au 最小、 ri 最大、 ro 最小
C．共基极电路的 Au 最小、 ri 最小、 ro 最大
2
书山
D．共发射极电路的 Au 最小、 ri 最大、 ro 最大
5． 多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要 窄 。
6．放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 放大器 耦
合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。
自测题四
一、判断题
3
书山有路
1． 运 放 的 共 模 抑 制 比 KCMR
=
Ad Ac
（T）
2． 当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。（ T ）
8．场效应晶体管属于 电压 控制器件。 9．场效应管的最大优点是 输入电阻高 。
10．U GS = 0 时，不能工作在恒流区的场效应管有 增强型 MOS 管 。
11．开启电压U GS (th) 0 的是 N 沟道增强型 场效应管。
12．开启电压U GS (th) 0 的是 P 沟道增强型 场效应管。4
2
Hz。
自测题三
一、判断题 1 ．测得两共射放大电路空．载．电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电 路，其电压放大倍数应为 10000。（ F ） 2．只有直接耦合放大电路中 晶 体 管 的 参 数 才 随 温 度 而 变 化 。（ F ） 3． 阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。（ T ） 4． 直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。（ F ）
D．输出电
阻小
三、填空题
1． 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载 。
2． 在多级放大电路中，前级的输出电阻可视为后级的 信号源内阻 。
3． 为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用 直接
耦合方式。
4．集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路，因此低频性能 好 。
有路
二、单选题
1． 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ C ）。
A．电阻阻值有误差
B．晶体管参数的分散性
C．晶体管参数受温度影响
D．受输入信号变化的影响
2． 组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（ D ）。
A．电压放大倍数高
B．输出电流小
C．输出电阻增大
D．带负载能力强
3． 多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益和通频带（ D ）。
3． 互 补 输 出 级 应 采 用 共 集 或 共 漏 接 法 。（ T ） 4．对于长尾式差动放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路
中，射极电阻 RE 一概可视为短路。（ T ）
二、单选题
1． 放大电路产生零点漂移的主要原因是（ D ）。
A．放大倍数太大
B．采用了直接耦合方式
C．晶体管的噪声太大
1
书山有路
C．发射结反偏，集电结正偏
D．发射结反偏，集电结反偏
自测题二
7．组合放大电路的输出级采用射极输出（共集）方式是为了使（ D ）。
A．电压放大倍数高
B．输出电流小
一、判断题
1．晶体管的输入电阻 rbe 是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（ F ）
2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（ T ）
D．漏极电压为零
三、填空题
1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。
2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。
3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为 PN 结的 单向导电性 性能。 4．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 。 5．PN 结正向偏置时，PN 结的内电场被 削弱 。 6．三极管最重要的特性是 电流放大作用 。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将 增大 。
D．环境温度变化引起参数变化
2． 为更好的抑制零漂，集成运放的输入级大多采用（ C ）。
A．直接耦合电路
B．阻容耦合电路
C．差动放大电路
D．反馈放大电路
C．在集成工艺中难于制造大电容
D．可以增大输入电阻
7． 集成电路中所使用的电容都是由什么来实现的（ B ）。
A．电解电容
B．PN 结电容
C．寄生电容
自测题一
书山
一、判断题
1．因为 P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ）
2．在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体（。 T ） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ） 二、单选题
1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。
4．互补输出级采用共集形式是为了使 带负载能力强 。（共集输出电阻很小带负载能
力强）
3． 差动放大电路的主要特点是（ A ）。
5． 集成运算放大器是一种直接耦合放大电路，因此低频性能 好 。（直接耦合
A．有效放大差模信号，有力抑制共模信号 B．既放大差模信号，又放大共 模信号
没有电容）
6． 集成运算放大器是一种直接耦合放大电路，因此最常见的问题是 零点漂
A．PNP 型硅管 硅管
B．PNP 型锗管
C．NPN 型锗管
D．NPN 型
11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。
A．非饱和区
B．饱和区
C．截止区
D．击穿区
12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极 g 与源极 s 之间电压为零时（ B ）。
A．能够形成导电沟道
B．不能形成导电沟道
C．漏极电流不为零
A．右移
B．左移
C．上移
D．下移
4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。
A．增大
B．减小
C．不变
D．不确定
5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压 B．电流控制电流 C．电压控制电流 D．电流控制 电压
6．温度升高时，三极管的 值将（ A ）。
A．增大 定
B．减少
C．不变
D．不能确
7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。
A．电流放大系数 C．集电极最大允许电流
B．最大整流电流 D．集电极最大允许耗散功率
8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为 U1 = 6V ， U2 = 5.4V ， U 3 = 12V ，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。
2．在三极管放大电路中，静态工作点过高会产生 饱和 失真。
3．若放大电路静态工作点选的过低，信号容易产生 截止 失真。
4．基本共射放大电路，当温度升高时，Q 点将向 上 移。
5．若三极管发射结正偏，集电结也正偏则三极管处于 饱和 状态。
6．共集电极放大电路输出电压与输入电压的相位 相同 。（共射相反）
A．电压增益减小，通频带变宽
B．电压增益减小，通频带变窄
C．电压增益提高，通频带变宽
D．电压增益提高，通频带变窄
4． 有两个放大器，空载时的输出电压均为 3V，当它们接入相同的负载时，甲
放大器的输出电压为 2V，乙放大器的输出电压为 1V，则说明甲比乙的（ D ）。
A．输入电阻大
B．输入电阻小
C．输出电阻大
7．放大器的输入电阻越大，表明放大器获取输入电压的能力越 强 。
8．在放大电路中，若负载电阻 RL 越大，则其电压放大倍数 越大 。 9．某放大电路的负载开路时的输出电压为 4V，接入 3K的负载电阻后输出电压
降为 3V，这说明放大电路的输出电阻为 1K 。
H −L
10．放大器的下限角频率L ，上限角频率H ，则带宽为
B．等于 BW
C．大于 BW
D．不能确定
10．射极输出器的特点是（ A ）。
பைடு நூலகம்A．输入电阻高、输出电阻低
B．输入电阻高、输出电阻高
C．输入电阻低、输出电阻低
D．输入电阻低、输出电阻高
11．下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，
应选（ A ）。
A．共射组态
B．共基组态
C．共集组态 D．共漏组态
C．有效放大共模信号，有力抑制差模信号 D．既抑制差模信号，又抑制共 模信号