电子技术基础月考试题
班级 2 7 8 姓名_________
一、填空（40分）
1、半导体是一种电能力介于___________与___________之间的物体。

2、PN结具有_________导电性。

3、制作半导体器件时，使用最多的半导体材料是__________和__________，它们都是__________价元素。

4、硅二极管的死区电压约为_________伏，而锗二极管的死区电压约为________伏
5、在选用二极管时，要求导通电压低时应该选____________材料管；要求反向电流小时应选用_______________材料管。

6、2CP系列晶体二极管是_____材料制成的。

7、整流电路的作用是，滤波电路的作用是。

8、三级管的三个电极分别叫做、和。

9、三极管输出特性曲线可划分为区、区和
区。

10、三极管有两种类型分别为型和型。

二、选择题（20分）
1、硅二极管导通后，它的正向压降约为( )伏。

A、0.2
B、0.5
C、0.6～0.7
2、满足I C=βI B的关系时，三极管工作在（）。

A、饱和区
B、截止区
C、放大区
D、击穿区
3、滤波的主要目的是（）。

A、将交流电变为直流电
B、将高频信号变成低频信号
C、将脉动直流中的交流成分去掉
4、交流电源电压U2=20伏，如果采用半波整流电路，则输出的直流电压Uo约
为( )伏。

A、18
B、8
C、9
5．若把桥式整流电路中的一只二极管虚焊，则电路（）
A、变成半波整流
B、仍为全波整流
C、负载被短路
D、变压器被短路
6、某电路中晶体三极管的符号如题3图，测得各管脚电位标在图上，则该管
处在（）
A．放大状态
B．饱和状态
C．截止状态
D．状态不能确定
7、在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则( )。

A. 输出电压为原来的2倍
B. 变为半波直流
C. 整流管将因电流过大而烧坏
8、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA 变为2mA，那么它的β约为。

A. 83
B. 91
C. 100
9、在本征半导体中掺入( )就成为P型半导体。

A、3价元素
B、4价元素
C、5价元素
D、6价元素
10、对于桥式整流电路，正确的接法是( )
三、判断题（20分）
1、P型半导体带正电，N型半导体带负电。

( )
2、当PN结的P区接电源的负极，而N区接电源的正极，PN结就会导通。

( )
3、一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小。

( )
4、三极管的集电极和发射极可以互换使用。

( )
5、二极管加正向电压时一定导通，加反向电压一定截止。

（）
6、两个二极管按一定方式连接起来可组成一个三极管。

（）
7、少数载流子是自由电子的半导体称Ｐ型半导体。

（）
8、只要将桥式整流电路中变压器次级两端的接线对调，输出直流电压的极性就相反。

( ) 9、单向全波整流电路中，通过整流二极管的电流等于负载中流过的电流。

（）10、晶体三极管的穿透电流I CEO的大小随温度的升高而升高。

（）
四．分析计算题:(共20分)
1．如图电路中二极管是理想二极管，试分析二极管的状态，并求流过电阻R的电流和AB之间的电压（4分）
2．在半波整流电路中，若变压器次级电压有效值V2=20伏,负载电阻RL=1千欧, 求：○1V O、I O，○2I V、V RM（12分）
3、在单相桥式整流电容滤波电路中，变压器次级压V2=120V(如图所示)，则输出端电压V L是多少伏? 输出端电流I
为多少.（4分）
O。