MCP41XXX/42X • • • • • • • • • • • • 每个电位器有 256 个抽头 电位器阻值可以是 10 kΩ、 50 kΩ 和 100 kΩ 有单电位器和双电位器两种形式 SPI 串行接口 （模式 0,0 和 1,1） 最大 INL 和 DNL 误差为 ±1 LSB 采用低功耗 CMOS 技术 静态工作电流最大值为 1 µA 多个器件可以通过菊花链连接在一起 （仅 MCP42XXX） 关断功能可断开所有电阻电路，最大限度节省功耗 有硬件关断引脚 （仅 MCP42XXX） 单电源工作 （2.7V - 5.5V） 工业级温度范围：-40°C 至 +85°C 扩展级温度范围：-40°C 至 +125°C
抽头控制 电阻 寄存器 阵列 1*
PDIP/SOIC/TSSOP
CS SCK SI VSS PB1 PW1 PA1 1 2 14 13 VDD SO SHDN RS PB0 PW0 PA0
MCP42XXX
3 4 5 6 7
12 11 10 9 8
* 只有在双 MCP42XXX 器件上才有电位器 P1。
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2006 Microchip Technology Inc.
MCP41XXX/42XXX
直流特性：50 kΩ 器件
电气特性：除非另外声明，否则 VDD = +2.7V 至 5.5V 且 TA = -40°C 至 +85°C （规定 TSSOP 器件只能在 +25°C 和 +85°C 条件下工作） 。 典型规范值：VDD = 5V、 VSS = 0V、 VB = 0V 且 TA = +25°C。 参数 变阻器模式 标称电阻 变阻器差分非线性度 变阻器积分非线性度 变阻器温度系数 抽头电阻 抽头电流 标称电阻匹配 电位器分压器 分辨率 单调性 差分非线性度 积分非线性度 分压器温度系数 满量程误差 零刻度误差 电阻端子 电压范围 电容 （CA 或 CB） 电容 动态特性 （测试所有动态特性时 VDD = 5V） 带宽 -3dB 稳定时间 电阻噪声电压 串扰 施密特触发器高电平输入电压 施密特触发器低电平输入电压 施密特触发器输入迟滞 低输出电压 高输出电压 输入泄漏电流 引脚电容 （所有输入 / 输出） 电源要求 工作电压范围 输入电流，有源 输入电流，静态 电源灵敏度 注 1： 2： 3： 4： 5： 6： VDD IDDA IDDS PSS PSS 2.7 － － － － － 340 0.01 0.0015 0.0015 5.5 500 1 0.0035 0.0035 V µA µA %/% %/% VDD = 5.5V， CS = VSS， fSCK = 10 MHz， SO = 开路，编码 FFh （注 6） CS， SHDN， RS = VDD = 5.5V， SO = 开路 （注 6） VDD = 4.5V - 5.5V， VA = 4.5V，编码 80h VDD = 2.7V - 3.3V， VA = 2.7V，编码 80h BW tS eNWB CT VIH VIL VHYS VOL VOH ILI CIN， COUT － － － － 0.7VDD － － － VDD - 0.5 -1 － 280 8 20 -95 － － .05VDD － － － 10 － － － － － .3VDD － 0.40 － +1 － V V µA pF IOL = 2.1 mA， VDD = 5V IOH = -400 µA， VDD = 5V CS = VDD， VIN = VSS 或 VDD，包括 VA SHDN=0 VDD = 5.0V， TA = +25°C， fc = 1 MHz MHz µS nV/√Hz dB V V VB = 0V，在编码为 80h，输出负载 = 30 µF 时测 得 VA = VDD， VB = 0V，误差范围为 ±1%，从编码 00h 过渡到 80h，输出负载 = 30 pF VA = 开路，编码 80h， f = 1 kHz VA = VDD， VB = 0V （注 5） CW VA,B,W 0 － － － 11 5.6 VDD － － pF pF 注4 f = 1 MHz，编码 = 80h，请参见图 2-30 f =1 MHz，编码 = 80h，请参见图 2-30 N N DNL INL ∆VW/∆T VWFSE VWFSE VWZSE VWZSE 8 8 -1 -1 － -1 -1 0 0 － － ±1/4 ±1/4 1 -0.25 -0.35 +0.25 +0.35 － － +1 +1 － 0 0 +1 +1 位 位 LSB LSB LSB LSB LSB LSB 注3 注3 编码 FFh， VDD = 5V，请参见图 2-25 编码 FFh， VDD = 3V，请参见图 2-25 编码 00h， VDD = 5V，请参见图 2-25 编码 00h， VDD = 3V，请参见图 2-25 R R-DNL R-INL ∆RAB/∆T RW RW IW ∆R/R 35 -1 -1 － － － -1 － 50 ±1/4 ±1/4 800 125 175 － 0.2 65 +1 +1 － 175 250 +1 1 kΩ LSB LSB ppm/°C Ω Ω mA % 仅 MCP42050， P0 到 P1 ； TA = +25°C VDD = 5.5V， IW = 1 mA，编码 00h VDD = 2.7V， IW = 1 mA，编码 00h TA = +25°C （注 1） 注2 注2 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件
框图
RS VDD VSS 控制 逻辑 抽头控制 寄存器 SHDN PB0 电阻 阵列 0 PA0 PW0 PB1 PA1 PW1
封装类型
PDIP/SOIC
CS SCK SI VSS 1 2 3 4 8 7 6 5 VDD PB0 PW0 PA0 MCP41XXX
CS SI SCK
16 位 移位 寄存器 S0
2006 Microchip Technology Inc.
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MCP41XXX/42XXX
1.0 电气特性 直流特性：10 kΩ 器件
电气特性：除非另外声明，否则 VDD = +2.7V 至 5.5V 且 TA = -40°C 至 +85°C （TSSOP 器件只能在 +25°C 和 +85°C 条件下工作） 。 典型规范值：VDD = 5V、 VSS = 0V、 VB = 0V 且 TA = +25°C。 参数 变阻器模式 标称电阻 变阻器差分非线性度 变阻器积分非线性度 变阻器温度系数 抽头电阻 抽头电流 标称电阻匹配 电位器分压器 分辨率 单调性 差分非线性度 积分非线性度 分压器温度系数 满量程误差 零刻度误差 电阻端子 电压范围 电容 （CA 或 CB） 电容 带宽 -3dB 稳定时间 电阻噪声电压 串扰 施密特触发器高电平输入电压 施密特触发器低电平输入电压 施密特触发器输入迟滞 低输出电压 高输出电压 输入泄漏电流 引脚电容 （所有输入 / 输出） 电源要求 工作电压范围 输入电流，有源 输入电流，静态 电源灵敏度 注 1： 2： 3： 4： 5： 6： VDD IDDA IDDS PSS PSS 2.7 － － － － － 340 0.01 0.0015 0.0015 5.5 500 1 0.0035 0.0035 V µA µA %/% %/% VDD = 5.5V， CS = VSS， fSCK = 10 MHz， SO = 开路，编码 FFh （注 6） CS， SHDN， RS = VDD = 5.5V， SO = 开路 （注 6） VDD = 4.5V - 5.5V， VA = 4.5V，编码 80h VDD = 2.7V -3.3V， VA = 2.7V，编码 80h CW BW tS eNWB CT VIH VIL VHYS VOL VOH ILI CIN 和 COUT 动态特性 （测试所有动态特性时 VDD = 5V） － － － － 0.7VDD － － － VDD - 0.5 -1 － 1 2 9 -95 － － .05VDD － － － 10 － － － － － .3VDD － 0.40 － +1 － V V µA pF IOL = 2.1 mA， VDD = 5V IOH = -400 µA， VDD = 5V CS = VDD， VIN = VSS 或 VDD，包括 VA SHDN=0 VDD = 5.0V， TA = +25°C， fc = 1 MHz MHz µS nV/√Hz dB V V VB = 0V，在编码为 80h，输出负载 = 30 PF 时测得 VA = VDD， VB = 0V，误差范围为 ±1%，编码从 00h 过 渡到 80h，输出负载 = 30 pF VA = 开路，编码 80h， f = 1 kHz VA = VDD， VB = 0V （注 5） VA,B,W 0 － － － 15 5.6 VDD － － pF pF 注4 f = 1 MHz，编码 80h，请参见图 2-30 f = 1 MHz，编码 80h，请参见图 2-30 N N DNL INL ∆VW/∆T VWFSE VWFSE VWZSE VWZSE 8 8 -1 -1 － -2 -2 0 0 － － ±1/4 ±1/4 1 -0.7 -0.7 +0.7 +0.7 － － +1 +1 － 0 0 +2 +2 位 位 LSB LSB LSB LSB LSB LSB 注3 注3 编码 FFh， VDD = 5V，请参见图 2-25 编码 FFh， VDD = 3V，请参见图 2-25 编码 00h， VDD = 5V，请参见图 2-25 编码 00h， VDD = 3V，请参见图 2-25 R R-DNL R-INL ∆RAB/∆T RW RW IW ∆R/R 8 -1 -1 － － － -1 － 10 ±1/4 ±1/4 800 52 73 － 0.2 12 +1 +1 － 100 125 +1 1 kΩ LSB LSB ppm/°C Ω Ω mA % 仅 MCP42010， P0 到 P1 ； TA = +25°C VDD = 5.5V、 IW = 1 mA、编码 00h VDD = 2.7V、 IW = 1 mA、编码 00h TA = +25°C （注 1） 注2 注2 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件