它的每对端子均有两个变量（端口电压和电流），因此 要在平面坐标上表示晶体三极管的伏安特性，就必须采 用两组曲线簇，我们最常采用的是输入特性曲线簇和输 出特性曲线簇。
1
一、输入特性曲线
输入特性是指三极管输入回路中，加在基
极和发射极的电压UBE与由它所产生的基极电 流IB之间的关系。
（1）UCE = 0时相当于集电极与发射极短路，
27
③ 简化电路模型：

前面我们讲到三极管在饱和模式和截止模式下 呈现受控开关特性，那么，它工作在这两种模式 的转换之下就可实现开关电路，现在我们分别来 看一下其饱和模式和截止模式下的等效电路。
以共发射极接法为例：

28
UCES 0.3V
UBES= 0.7V
29
五、三极管的主要参数
三极管的参数是用来表征管子各方面性能及其运 用范围的指标，可以做为电路设计，调整和使用 时的参考。其主要参数有： 1、电流放大系数：
此时，IB和UBE的关系就是发射结和集电结两个 正向二极管并联的伏安特性。
因为此时JE和JC均正偏，IB是发射区和集电
区分别向基区扩散的电子电流之和。
2
输入特性 曲线簇
3
（2）UCE≥1V 即：给集电结加上固定的反向
电压，集电结的吸引力加强！使得从发射区进入 基区的电子绝大部分流向集电极形成Ic。
现在我们所见的是共射输出特性曲线表示以
IB为参变量时，Ic和UCE间的关系：
即 Ic= f(UCE)|IB = 常数 实测的输出特性曲线如图所示：根据外加电
压的不同，整个曲线可划分为四个区： 放大区、截止区、饱和区、击穿区
7
二、输出特性 IC(mA ) 此区域满 4 足IC=IB 3 称为线性 区（放大 区）。 2
2、温度对ICBO的影响：ICBO是集电结的反向饱和电流，
它随温度变化的规律是：温度每升高10℃，ICBO约增大 一倍。
21
3、温度对β的影响：晶体管的电流放大系数β
随温度升高而增大，变化规律是：每升高1℃，β 值增大0.5～1%。
在输出特性曲线上，曲线间的距离随温度升
高而增大。
总之： 温度对UBE、ICBO和 β的影响反映在管
31
2、极间反向电流：
ICEO = (1+β) ICBO
其中:
ICBO 指发射极开路时，集电极与基极
间的反向饱和电流;ICEO 又叫ICEO(pt)，指基极 开路时，集电极与发射极间的穿透电流。
32
3、特征频率fT
fT是反映晶体管中两个PN结电容的影响的
参数
当输入信号的频率增高到一定值后，结电
直流放大系数： I C , I C
IE
IB
（以上系数在讨论大幅度信号变化或涉及直流量时使用）
30


交流放大系数：
I C I C , I E I B

（以上系数在讨论小信号的变化量时使用） 当 , 基本不变（或在IE的一个相当大的范围内） 时，有：
IB(A)
80
UCE 1V
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗 管UBE0.2~0.3V。
60 死区电 压，硅管 0.5V，锗 管0.2V。
40 20
0.4
0.8
UBE(V)
6
二、输出特性曲线
输出特性通常是指在一定的基极电流IB控制
下，三极管的集电极与发射极之间的电压UCE同 集电极电流Ic的关系。
12
1、截止区：
晶体管工作在截止模式下，有： UBE<0.7V，UBC<0 所以： IB ≤ 0，IE = IC = 0 结论： 发射结Je反向偏置时，晶体管是截止的。
13
2、放大区
晶体管工作在放大模式下 : UBE > 0.7V, UBC < 0，此时特性曲线表现为 近似水平的部分，而且变化均匀，它有两个 特点： ① Ic的大小受IB的控制；ΔIc>>ΔIB； ② 随着UCE的增加，曲线有些上翘。 此时 : ΔIc>>ΔIB，管子在放大区具有很强的 电流放大作用。
同时，在相同的UBE值条件下，流向基极的
电流IB减小，即特性曲线右移，
总之，晶体管的输入特性曲线与二极管的正
向特性相似，因为b、e间是正向偏置的PN结 （放大模式下）
4
1.3.4 特性曲线
IB
IC mA
A
RB V UBE V
EC
UCE
EB
实验线路
5
一、输入特性
UCE =0.5V
UCE=0V
当UCE大于一 定的数值时，IC 100A 只与IB有关， IC=IB。 80A
60A
40A 20A IB=0 12 UCE(V)
8
1 3
6 9
4
3
2
IC(mA ) 此区域中UCEUBE, 100A 集电结正偏， IB>IC，UCE0.3V 80A 称为饱和区。 60A
40A 20A IB=0 12 UCE(V)
18

5、晶体管三极管的工作特点如下：
（1）为了在放大模式信号时不产生明显的失真，
三极管应该工作在输入特性的线性部分，而且始 终工作在输出特性的放大区，任何时候都不能工 作在截止区和饱和区。
（2）为了保证三极管工作在放大区，在组成放大
电路时，外加的电源的极性应使三有管的发射结 处于正向偏置状态，集电结则处于反向偏置状态。
容将起到明显的作用，使β下降，因此， fT是
指使β下降到1时输入信号的频率。
33
集-射极反向截止电流ICEO
集电结反 偏有ICBO C
ICEO= IBE+ICBO ICEO受温度影响
很大，当温度上 升时，ICEO增加 很快，所以IC也 相应增加。三极 管的温度特性较 差。 根据放大关系， 由于IBE的存 在，必有电流 IBE。
35
U(BR)CBO：发射极开路时，集-基极间的反向击穿电 压，即集电结所允许的最高反向电压，一般为几 十～几千伏。
U(BR)CEO：基极开路时，集-射极间的反向击穿电
压。 一般地：U(BR)CBO>U(BR)CEO （3）集电极最大允许功率损耗PCM：PCM = Ic〃UCE PCM决定于管子允许的温升，管子在使用时的功 耗不能超过PCM，而且要注意散热，Si管为150℃， Ge管为70℃即为上限温度。
36
集电极最大允许功耗PCM
• 集电极电流IC
IC ICM
安全工作区
流过三极管，
所发出的焦耳 热为：
ICUCE=PCM
PC =ICUCE
• 必定导致结温
上升，所以PC
有限制。
PCPCM
U(BR)CEO
UCE
37
六、晶体三极管的应用

作为三端器件的晶体三极管是伏安特性为非线性的有源 器件，工作在放大区时具有正向受控作用，等效为一个受 控电流源，而工作在饱和区和截止区时具有可控开关特性。 这种非线性和可控性（正向受控和可控开关）是实现众多 功能电路的基础，或者说，众多的应用电路都是以三极管 为核心，配以合适的管外电路组成的。 利用三极管组成的电路可以有：
子上的集电极电流 Ic上，它们都是使 Ic随温度升 高而增大，这样造成的后果将在后面的放大电路 的稳定及反馈中详细讨论。
22
四、三极管的开关工作特性：
（轮流工作在饱和模式和截止模式下） 三极管的开关特性在数字电路中用得非常广
泛，是数电路中最基本的开关元件，通常不是 工作在饱和区就是工作在截止区，而放大区只 是出现在三极管由饱和区变为截止或由截止变 为饱和的过渡过程中，是瞬间即逝的， 因此对开关管，我们要特别注意其开关条件 和它在开关状态下的工作特点。（重点在结论）
19
（3）即使三极管工作在放大区，由于其输入，输
出特性并不完全理想（表现为曲线而非直线）， 因此放大后的波形仍有一定程度的非线性失真。
（4）由于三极管是一个非线性元件，其各项参数
（如β、rbe等）都不是常数，因此在分析三极管组 成的放大电路时，不能简单地采用线性电路的分 析方法。而放大电路的基本分析方法是图解法和 微变等效电路（小信号电路分析）法。
23
VCC

如右图电路中：
Rc 1k
当UI=0时， 晶体 管截止 当UI=3V时，晶 体管饱和导通。

Vi 3v
0 0
Rb 20k
IB
IC
Vo
0
24
① 饱和导通条件及饱和时的特点： 条件：三极管临界饱和时 UCE=UCES , Ic=ICS , 由上面电路知 ： IB=IBS
I CS I BS
26
② 截止条件及截止时的特点：
条件：UBE<UON= 0.5V，VON为硅管发射结的死 区电压。 由三极管的输入特性知道，当UBE < 0.5V时，管 子基本上截止的，所以，在数字电路的分析估算 中，常把UBE< 0.5V作为截止条件。

特点：三极管截止时，IB ≈ 0 , Ic ≈ 0，如同断开 的开关。
9
1 3
6 9
IC(mA )
4 3
2Hale Waihona Puke 1 3 6此区域中 : 100A IB=0,IC=ICEO 80A BE< 死区 ,U 电压，称为 60A 截止区。 40A 20A IB=0 12 UCE(V)
9
10
输出特性曲线簇
11
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=IB , 且 IC = IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCEUBE ， IB>IC，UCE0.3V (3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0