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模拟电子技术基础
1.1.2 PN结的单向导电性 1．PN结正向偏置 2．PN结反向偏置模拟电子技术基础
1．PN结正向偏置 -
+ + + + + +
+ + + + + +
+ + + + + +
+ + + + + +
+ + + + + +
+ + + + + +
P
S
E内
N
R
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PN结呈现高阻、 2．PN结反向偏置 截止状态
PN结变宽 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +
-
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-
-
-
-
+ + + + + + E内
P
不利多子扩散 有利少子漂移
N
内电场增强
S
R
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2．PN结反向偏置 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R + + + + + +
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复习：PN结的形成 -
空间电荷层
+ + + + + + + + + + + + + + + + + +
PN结 + + + + + + + + + + + + + + + + + +
P
形成内电场
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N
内电场方向
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PN结形成过程动画演示
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《模拟电子技术》 微课课件
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复习：PN结的形成
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+ + + +
+ +
+ + + +
+ +
+ + + + + +
+ + + + + +
P
N
在浓度差的作用下，两边多子互相扩散。在 P区和N区 交界面上，留下了一层不能移动的正、负离子
2. PN结反向偏置时，PN结变宽；多子的扩散运动
减弱，少子漂移运动加强；PN呈截止状态。 3. PN结反偏时，反向饱和电流为IS 课后作业： 教材 P23/ 1-1(4)~(7)
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PN结呈现低阻、导通状态 -
PN结变窄
+ + + + + + E内
+ + + + + +
+ + + + + +
+ + + + + +
+ + + + + +
+ + + + + +
P
多子进行扩散 S
N
内电场被削弱 R
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PN结正偏动画演示
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+ + + + + +
P
S
E内
N
因少子浓度主要与温度有关，反向电流与反向电压几 乎无关。此电流称为反向饱和电流，记为IS。
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PN结反偏动画演示
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总结：
1. PN结正向偏置时，PN结变窄；多子的扩散运动
加强，少子漂移运动减弱；PN结呈导通状态。