显影
蚀刻
.
5
TFT Substrate
1) Gate Metal (AlNd \MoN)
镀上MoN(氮化钼),Al+3%Nd (GATE)
2) G I N
(SiNx \a-Si \n+ a-Si)
G: Gate SiNx (氮硅化合物,绝缘层)
I: a-Si (非结晶硅,通道层)
N: N+ (高浓度磷(PH3)的硅)降低界面电位差,使成为奥姆接触(Omic contact)
Equipment:
Plasma CVD ,Sputter-----薄膜 Nikon stepper , Canon scaner----黄光 Dry , Wet Etching----蚀刻
.
4
TFT制作流程说明:
只有单一层次说明:
薄膜沉积 检查
黄光前洗净
循环制程
PR Coating 曝光
去除光阻
IN etch IN 蚀刻
8
TFT制作流程图: Layer-2
Layer-3
Layer-4
PR strip 去除光阻
Marco Inspection 强光检查
Pre-Dep clean 沈积前预洗
S/D sputter S/D薄膜沈积
Marco Inspection 强光检查
S/D photo S/D黄光
TFT制程简介说明
For : NBLCM F.A. Team Author: Jessica _ Lin Date:2009/1/8
.
1
目录:
• TFT制作流程图 • TFT制作过程说明 • TFT五层制程说明 • TFT的制作类型 • TFT的工作原理 • 补充说明:
• 1.实际显微镜下的比对 • 2.TFT-LCD的工作说明 • 其它…
Passivation Layer-4
S/D metal Layer-3
n+ a-Si
S/D metal Layer-3
ITO Layer-5
Passivation Layer-4
Source
Glass Substrate
a-Si
Gate
Drain
Gate metal Layer-1
Insulator (G-SiNx)
金属不透光区
A.R. = 65 %
:
.
11
ITO电极区
能够控制液晶分子排列的区域
说明Cs on common
BM遮进来的区域
Cst
:
显微镜下的DOT 等 效 电 路 图
金属不透光区
A.R. = 61 %
.
12
TFT Device 原件动作原理
:视为一个开关组件
Vgs
Vth
S
D
G
i) 在闸极给予适当之电压 :Vgs> Vth 使信道感应出电子,由源极(S)导通至汲极(D)
TFT制作流程图: Layer-4
Pass.etch 护层蚀刻
PR strip 去除光阻
ITO Sputter ITO薄膜沈积
Layer-5
Test
Marco Inspection 强光检查
ITO.photo ITO黄光
ADI CD 显影后CD量测
ITO.etch ITO蚀刻
PR strip 去除光阻
.
2
TFT制作流程图:
Thin Film Process PreClean
Etching Process Dry or Wet Etching
Thin Film Deposition
Resist stripping
1.Macro-Inspection 2.Monitor
Photo Process
PreClean PR coating Exposure Developing
1.AEI 2.CD measurement 3.Etch rate monitor 4.AOI
Final testing 1.Test key 2.Function test ser repair
1.ADI
2.CD measurement
3.AOI
.
3
TFT制程区域划分:
薄膜区--各层之薄膜成长 黄光区--曝光.显影 蚀刻区--图案成形及去光阻 测试区--array及外部电路之检查
ADI CD 显影后CD量测
S/D etch S/D蚀刻
BAKE 蚀刻前烘烤
N+etch channel蚀刻
PR strip 去除光阻
Surface condition S/D CD Loss量测
Pass.CVD 护层沈积பைடு நூலகம்
Marco Inspection
强光检查
.
Pass.photo 护层黄光
ADI CD 显影后CD量测9
ii) 当闸极之电压Vgs< Vth 则感应不出电子,使得信道形成断路
.
S
G S
G
D
ON
D OFF
13
TFT-LCD剖面图
.
14
整块Panel的动作说明:
Data-Bus-Line
Gate-Bus-Line
ITO 透明导电极
.
CS 储存电容15
S Data Line
G-TAB
P C B A -Y
PR strip 去除光阻
CD Loss 蚀刻后CD Loss量测
ADI CD 显影后CD量测
Pre-dep clean 沈积前预洗
Wet etch Layer 1蚀刻
G-I-N Deposition G-I-N 薄膜沈积
Marco Inspection 强光检查
IN photo IN黄光制程
.
ADI CD 显影后CD量测
ITO space CD Loss ITO CD Loss量测
Final Anneal 回火
TEG 电性量测
Laser Repair
雷射修护
.
Array test Array测试
10
说明 Cs on gate
ITO电极区
BM遮进来的区域
能够控制液晶分子排列的区域
Cst
显微镜下的DOT 等 效 电 路 图
3) S/D Metal (Mo \Al\Mo)
镀上镀上MoN(氮化钼),pure Al(source,drain)
4) Passivation (SiNx)
镀上保护层(把金属部份盖住)
5) ITO
(Indium-Tin-Oxide)
镀上ITO (铟锑氧化物,画素电极)
.
6
TFT Layers 五层结构图
.
Layer-2
7
Initial clean 初始清洗
TFT制作流程图:
Layer-1
Layer-2
Pre-Dep clean 沈积前清洗
Metal 1 Deposition Gate薄膜沈积
Marco Inspection 强光检查
Pre-Photo clean 光阻被覆/曝光/显影
Metal 1 photo Layer 程1黄光制