第一章微电子器件基础·1.1半导体的基础知识随堂练习提交截止时间：2020-06-14 23:59:59当前页有 10 题，你已做 10 题，已提交10 题，其中答对10 题。

1. (单选题)一般而言，自然界中的物质按其导电性能可分为（）A 导体B 绝缘体C 半导体D 以上都是答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：2.(单选题 ) 下列属于半导体的是（）答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：3. (单选题)半导体材料具有的独特性能有（）A 热敏性和光敏性B 光敏性和掺杂性C 热敏性和掺杂性D 热敏性、光敏性和掺杂性答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：4.(单选题 ) 下列各项中（）是本征半导体A P 型半导体B N 型半导体C PN 结D 纯净的半导体答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： D问题解析：5. (单选题)N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（）A电子B空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： D问题解析：6. (单选题)P 型半导体是在本征半导体中加入（）物质后形成的A 电子 B. 空穴 C. 三价硼元素 D. 五价磷元答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： C问题解析：7.(单选题 ) 按掺入杂质的不同，杂质半导体分为（）。

A 电流型和电压型半导体B 电子型和空穴型半导体C 空穴型和电流型半导体D 电压型和电子型半导体答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： B问题解析：8. (单选题)P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P 型半导体呈（）性A 负电B 正电C 电中D 弱负电答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：9. (单选题)在 N 型半导体中，具有的载流子的特性为（）A 电子为多子，空穴为少子B 空穴是多子电子为少子C 电子和空穴同样多D 电子和空穴都比较少答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：A问题解析：10.(单选题 ) PN 结具有（）特性A正偏B反偏C单向D双向答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：11.( 单选题 )半导体受光照，导电性能（）。

A 增强B 减弱C 不变D 先增强后减弱答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： A问题解析：12.( 单选题 )半导体中传导电流的载流子是（）。

A电子B空穴C 电子和空穴D 以上都不对答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： C问题解析：13.( 单选题 )交通信号灯采用的是（）管。

A 发光二极管B 光电二极管C 变容二极管D 整流二极管答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： A问题解析：14.( 单选题 )关于PN结下列说法正确的是：（）。

A PN 结是 P 型， N 型半导体混合制成的B PN 结是 P 型， N 型半导体相接触形成的C PN 结是 P 型半导体中掺入少量N 型半导体形成的D PN 结是 N 型半导体中掺入少量P 型半导体形成的答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： B问题解析：15.( 单选题 )半导体的导电能力（）A 与导体相同B 与绝缘体相同C 介于导体和绝缘体之间D 比导体好答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： C问题解析：16.( 单选题 ) PN 结外加正向电压时，其耗尽层（）。

A不变B变宽C 变窄D 无法确定答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： C问题解析：17.( 单选题 ) PN 结反向偏置时，其内电场被（）A.削弱 B 增强C不变D不确定答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： B问题解析：18.( 单选题 ) PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。

A 、多子扩散；B 、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。

答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： A问题解析：第一章微电子器件基础·1.2半导体二极管随堂练习提交截止时间：2020-06-14 23:59:59当前页有 7 题，你已做7 题，已提交7 题，其中答对 6 题。

1. (单选题)半导体二极管的主要特点是具有（）A 电流放大作用B 单向导电性C 电压放大作用D 双向导电性答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：2. (单选题)二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（）A 正向电压大于二极管的死区电压B 正向电压大于零C 必须加反向电压D 以上都不对答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：3. (单选题)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（）A 正、反向电阻相等B 正向电阻答，反向电阻小C 反向电阻比正向电阻大很多D 正、反向电阻都等于无穷大答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：4. (单选题)二极管反偏时，以下说法正确的是（）A在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流；B在达到死区电压之前，反向电流很小；C二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关。

D电流一直很小答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： A问题解析：5. (单选题)把电动势为 1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。

A 、基本正常B 、将被击穿C、将被烧坏 D、电流为零答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： A问题解析：6. (单选题)当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，是因为此时PN 结内部（）A 多数载流子浓度增大B少数载流子增大C 多数载流子浓度减小D少数载流子减小答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： B问题解析：7. (单选题)用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（）。

A 、已经击穿；B、完好状态； C 、内部老化不通；D、无法判断。

答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：第一章微电子器件基础·1.3双极型晶体管及其开关特性随堂练习提交截止时间：2020-06-14 23:59:59当前页有 10 题，你已做10 题，已提交10 题，其中答对7 题。

1.(单选题 ) 双极型晶体管是一种（）的半导体器件。

A 电压控制B 电流控制C 既是电压控制又是电流控制D 功率控制答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：A问题解析：2. (单选题)双极型晶体管要能正常实现放大功能，必须（）A 发射结正偏，集电结反偏B 发射结反偏，集电结正偏C 发射结和集电结都正偏D 发射结和集电结都反偏答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：A问题解析：3. (单选题)双极型晶体管在制作工艺上的具体要求为（）A发射区掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度最低B发射区掺杂浓度最低，集电区掺杂浓度最高C三个区的掺杂浓度相同D基区掺杂浓度最高，发射区和集电区掺杂浓度相同答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： A问题解析：4. (单选题)三级管工作在截止区，要求（）A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结正偏D 发射结反偏，集电结反偏答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： D问题解析：5. (单选题)三级管工作在截止区，要求（）A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结正偏D 发射结反偏，集电结反偏答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：6. (单选题)在数字电路中，双极型晶体管一般工作在（）状态。

A 截止和饱和B 放大和截止C 放大和饱和D 放大、饱和和截止答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：A问题解析：7. (单选题)测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE ＝ 2.1V ， VB ＝ 2.8V ， VC ＝ 4.4V ，说明此三极管处在（）。

A 放大区CB 饱和区D答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：A问题解析：8.(单选题 ) 三极管超过（）所示极限参数时，必定被损坏。

A 集电极最大允许电流ICM ；B 集―射极间反向击穿电压U （ BR ） CEO ；C 集电极最大允许耗散功率PCM ；D 管子的电流放大倍数。

答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：9. (单选题)下列选项中，不属三极管的参数是（）。

A ．电流放大系数B ．最大整流电流C ．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：10.(单选题 ) 三极管β值是反映（ B ）能力的参数。

（三极管可改为电流控制电流源）A ．电压控制电压B．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：第一章微电子器件基础·1.4场效应管及其开关特性随堂练习提交截止时间：2020-06-14 23:59:59当前页有 7题，你已做7 题，已提交7 题，其中答对 5 题。

1.(单选题 )单极型半导体器件是（）。

A 二极管B 双极型三极管C 场效应管D 稳压管答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： C问题解析：2.(单选题 )绝缘栅型场效应管的输入电流（）。

A 较大B 较小C 为零D 无法判断答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案： C问题解析：3.(单选题 )场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。

A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：4. (单选题)描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

A 漏极电流，压漏-源电压，以栅极电压为参变量B 漏极电流，栅极电压，以楼-源电压为参变量C基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D漏极电流，栅极电流，以漏-源电压为参变量答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：5.(单选题 ) 场效应晶体管的控制方式是（)A 输入电流控制输出电压C 输入电压控制输出电压B 输入电压控制输出电流D 输入电流控制输出电流答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：B问题解析：6. (单选题)场效应晶体管是用( )控制漏极电流的。

A 栅源电流B 栅源电压C 漏源电流D 漏源电压答题： A. B. C. D.（已提交）参考答案：B问题解析：7.(单选题 ) 场效应管靠 ( )导电。