10cm*10cm小型碲化镉薄膜太阳能电池模组
碲化镉薄膜太阳能电池组件
CdTe薄膜太阳能电池的优点
• CdTe是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，为直接带隙半导体。 吸收系数高达104cm-1,电池厚度可做到2~3微米,降低昂贵 的材料成本 • 带隙宽度为1.5eV,CdTe的光谱响应和太阳光谱非常匹配 ——碲化镉薄膜太阳能电池的理论光电转换效率约为28% • Cd-Te化学键的键能为5.7eV——一般的碲化镉薄膜太阳 能电池的设计使用时间为20年 • 单质Cd和Te相遇只能存在固态的CdTe——产品均匀性、 良品率高，非常适合大规模生产 • 真空环境，温度高于4000C， CdTe升华，温度低于 4000C或气压升高，升华减弱，并凝结成固体——真快快 速薄膜制备 • 弱光特性好.对光照不理想的地区犹显其优异性能.
CIGS薄膜太阳能电池的优点
• 材料吸收率高,吸收系数高达105量级,直接带隙,适合薄膜 化,电池厚度可做到2~3微米,降低昂贵的材料成本 • 光学带隙可调.调制Ga/In比,可使带隙在1.0~1.7eV间变化, 可使吸收层带隙与太阳光谱获得最佳匹配 • 抗辐射能力强.通过电子与质子辐照、温度交变、振动、 加速度冲击等试验,光电转换效率几乎不变.在空间电源方 面有很强的竞争力 • 稳定性好,不存在很多电池都有的光致衰退效应 • 电池效率高.小面积可达19.9%,大面积组件可达14.2% • 弱光特性好.对光照不理想的地区犹显其优异性能.

染料敏化太阳能电池（DSSC）
典型染料敏化太阳电池组成： （1）光电极：TCO+多孔二氧 化钛层 （2）敏化剂：染料(N719/N3)+ 溶剂 （3）电解质：I-/I3-(LiI/I2)+溶 剂 （4）对电极：TCO+Pt催化层
DSSC原理示意图：
光电转换机理：
(1)太阳光(hv)照射到电池上，基态染料分子(S)吸收太阳光能 量被激发，染料分子中的电子受激跃迁到激发态 (S*)； (2) 激发态的电子快速注入到TiO2导带中； (3) 电子在 TiO2 膜中迅速的传输，在导电基片上富集，通过外 电路流向对电极； (4)处于氧化态的染料分子(S*)与电解质(I-/I3-)溶液中的电子 供体(I-)发生氧化还原反应而回到基态，染料分子得以再生； (5)在对电极附近，电解质溶液得到电子而还原。
CIGS的晶体结构
CuInSe2复式晶格:a=0.577,c=1.154 直接带隙半导体，其光吸收系数高达105量级 禁带宽度在室温时是 1.04eV ，电子迁移率和 空 穴 迁 移 率 分 3.2X102(cm2/V· s) 和 1X10(cm2/V· s) 通 过 掺 入 适 量 的 Ga 以 替 代 部 分 In ， 形 成 CulnSe2和CuGaSe2的固熔晶体 Ga 的掺入会改变晶体的晶格常数，改变了原 子之间的作用力 , 最终实现了材料禁带宽度的 改变，在 1.04 一 1.7eV 范围内可以根据设计调 整，以达到最高的转化效率 自室温至 810℃保持稳定相 , 使制膜工艺简单 , 可操作性强.
1. D h D ' 2. D ' D e DB （TiO 2） 3. 2 D +3I 2 DI 3 4. I 3- e 3I
其中：D为基态染料分子； D’为激发态染料分子； D+为氧化态染料分子
光的捕获和光生载流子的传输都是有敏化剂和 TiO2半导体分别完成的
CuInSe2黄铜矿晶格结构
CIGS薄膜太阳能电池的结构
金属栅电极 减反射膜(MgF2) 窗口层ZnO 过渡层CdS 光吸收层CIGS 金属背电极Mo 玻璃衬底 高阻ZnO
低阻AZO
CIGS薄膜太阳能电池的结构
结构原理
减反射膜：增加入射率 AZO： 低阻，高透，欧姆接触 i-ZnO：高阻，与CdS构成n区 CdS： 降低带隙的不连续性，缓 冲晶格不匹配问题 CIGS： 吸收区，弱p型，其空间电 荷区为主要工作区 Mo: CIS的晶格失配较小且热膨 胀系数与CIS比较接近
聚光太阳电池的优缺点
聚光电池最大的一个优点就是它的转换效率十分理 想。目前，商业运用的聚光电池转换效率达到25%-30%， 这大大高于前两代太阳能电池的转换效率。据中投顾问 发布的《2010-2015年中国太阳能电池行业投资分析及 前景预测报告》显示，目前，商业运用的晶硅太阳能电 池转换效率最高可达20%左右，薄膜太阳能电池的转换 效率不超过15%。此外，聚光电池另一优点是电池片用 量少，可以节约一定的成本。 但是，聚光电池也有不能忽视的缺点。由于原料稀 缺，生产聚光电池的成本很高，大大高于前两代太阳能 电池的生产成本。成本高企降低了光伏企业的研发和生 产热情，也严重制约聚光电池的普及运用；另外，生产 聚光电池耗能较大，在国家积极推行节能减排的情况下， 制造聚光电池必然会受到国家的一些限制。
61
27.2 10
9.1
7.7 8.7
铜铟镓硒太阳能电池
CIGS电池的发展历史及研究现状
• 70年代Bell实验室Shaly等人系统研究了三元黄铜矿半导体材料CIS 的生长机理、电学性质及在光电探测方面的应用 • 1974年，Wagner利用单晶ClS研制出高效太阳能电池,制备困难制约 了单晶ClS电池发展 • 1976年，Kazmerski等制备出了世界上第一个ClS多晶薄膜太阳能电 池 • 80年代初，Boeing公司研发出转换效率高达9.4%的高效CIS薄膜电 池 • 80年代期间，ARCO公司开发出两步(金属预置层后硒化)工艺，方法 是先溅射沉积Cu、In层，然后再在H２Se中退火反应生成CIS薄膜， 转换效率也超过10% • 1994年，瑞典皇家工学院报道了面积为0.4cm２效率高达17.6%的 ClS太阳能电池 • 90年代后期，美国可再生能源实验室(NREL)一直保持着CIS电池的最 高效率记录，并1999年，将Ga代替部分In的CIGS太阳能电池的效率 达到了18.8%，2008年更提高到19.9%
面积/cm2
开路电压/V
转换效率/%
1.0 0.928 0.27 0.10 0.69 面积/cm2 4540
/ 0.845 0.839 0.778 0.823 功率/W 38.2
16 15.8 13.3 12.9 12.8 转换效率/% 8.4
SCI
GP Matsushita
6728
3528 1200
聚光太阳电池的特征
聚光型太阳能电池主要材料是[砷化镓](GaAs)，也就是 三五族(III-V)材料， 一般硅晶材料只能够吸收太阳光谱中400～1,100nm波 长之能量，而聚光型不同于硅晶圆太阳能技术，透过 多接面化合物半导体可吸收较宽广之太阳光谱能量， 目前以发展出三接面InGaP/GaAs/Ge的聚光型太阳电 池可大幅提高转换效率，三接面聚光型太阳电池可吸 收300～1900nm波长之能量相对其转换效率可大幅提 升，而且聚光型太阳能电池的耐热性比一般低、制备工艺简单 转换效率随温度上升而提升——不同于硅基太阳电池 电池两面均可以吸收光——有利于吸收散射光 制备出半透明或不同颜色的电池——装饰功能强 质量轻以及可制成柔性器件——便于携带 能源回收期较短——小于1年 较高的转换效率——最高转换效率超出12%
常用太阳电池材料的光吸收系数
CdTe薄膜太阳能电池的缺点
• Te是稀缺材料 • Cd本身有毒
Cd
CdTe薄膜太阳能电池的结构
CdTe薄膜的制备工艺
CdTe薄膜： 商业化生产：近空间升华（CSS）、气相输 运沉积（VTD）和磁控溅射
近空间升华（CSS）
小面积单体电池研 究机构
Matsushita USF SCI CSM NREL 大面积单体电池研 究机构 BP Solar
碲化镉太阳能电池
CIGS电池的发展历史及研究现状
结构 1963年 1969年 1991年 2001年 2011年 2011年 Cusano Adirovich T. L. Chu X. Wu First Solar GE N-CdTe/P-Cu2-xTe CdS/CdTe N-CdS/P-CdTe N-CdS/P-CdTe 13.4% 16.5% 17.3% 12.8%（组件） 效率 7%
染料敏化太阳电池制成的“太阳叶”
太阳叶结构
通过调整敏化剂颜色获得的太阳叶
聚光太阳电池
聚光太阳电池
聚光型太阳能电池 (Concentrator Photovoltaic) 高聚光镜面菲涅尔透镜(Fresnel Lenes)] 太阳光追踪器(Sun Tracker)] 其太阳能能量转换效率可达31%～40.7%，虽然转换 效率高，但是由于向阳时间长，过去用于太空产业，现 在搭配太阳光追踪器可用于发电产业，比较不适合用于 一般家庭。
聚光型太阳能电池
追日聚光型太阳能 电池太阳能
太陽能材料對光譜的吸收能力表
矽(Si)與砷化鎵(GaAs)對溫度的發電轉換效率比較