名词解释（a ）弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷；（b ）刃型位错和螺型位错 （c ）类质同象与同质多晶解：（a ）当晶体热振动时，一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中，形成间隙原子，而原来位置上形成空位，这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。

如果正常格点上原子，热起伏后获得能量离开平衡位置，跃迁到晶体的表面，在原正常格点上留下空位，这种缺陷称为肖特基缺陷。

（b ）滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。

位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。

（c ）类质同象：物质结晶时，其晶体结构中部分原有的离子或原子位置被性质相似的其它离子或原子所占有，共同组成均匀的、呈单一相的晶体，不引起键性和晶体结构变化的现象。

同质多晶：同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。

6-3 名词解释（并比较其异同）⑴晶子学说：玻璃内部是由无数“晶子”组成，微晶子是带有晶格变形的有序区域。

它们分散在无定形介中质，晶子向无定形部分过渡是逐渐完成时，二者没有明显界限。

无规则网络学说：凡是成为玻璃态的物质和相应的晶体结构一样，也是由一个三度空间网络所构成。

这种网络是由离子多面体（三角体或四面体）构筑起来的。

晶体结构网是由多面体无数次有规律重复构成，而玻璃中结构多面体的重复没有规律性。

⑵单键强：单键强即为各种化合物分解能与该种化合物配位数的商。

⑶分化过程：架状[SiO 4]断裂称为熔融石英的分化过程。

缩聚过程：分化过程产生的低聚化合物相互发生作用，形成级次较高的聚合物，次过程为缩聚过程。

⑷网络形成剂：正离子是网络形成离子，对应氧化物能单独形成玻璃。

即凡氧化物的单键能/熔点﹥ 者称为网络形成剂。

网络变性剂：这类氧化物不能形成玻璃，但能改变网络结构，从而使玻璃性质改变，即单键强/熔点﹤ 者称为网络变形剂。

试述影响置换型固溶体的固溶度的条件。

解：1.离子尺寸因素 ：从晶体稳定性考虑，相互替代的离子尺寸愈相近，则固溶体愈稳定。

若以r 1和r 2分别代表半径大和半径小的两种离子的半径。

当它们半径差< 15%时，形成连续置换型固溶体。

若此值在15～30%时，可以形成有限置换型固溶体。

而此值>30%时，不能形成固溶体。

2、晶体的结构类型：形成连续固溶体的两个组分必须具有完全相同的晶体结构。

结构不同最多只能生成有限固溶体。

3、离子的电价因素：只有离子价相同或复合替代离子价总和相同时，才可能形成连续置换型固溶体。

4、电负性因素：电负性相近，有利于固溶体的生成。

试述晶体结构中点缺陷的类型。

以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。

试举例写出CaCl2中Ca2+置换KCl 中K+或进入到KCl 间隙中去的两种点缺陷反应表示式。

解：晶体结构中的点缺陷类型共分：间隙原子、空位和杂质原子等三种。

在MX 晶体中，间隙原子的表示符号为MI 或XI ；空位缺陷的表示符号为：VM 或VX 。

如果进入MX 晶体的杂质原子是A ，则其表示符号可写成：AM 或AX （取代式）以及Ai （间隙式）。

当CaCl2中Ca2+置换KCl 中K+而出现点缺陷，其缺陷反应式如下：CaCl 2++2Cl ClCaCl2中Ca2+进入到KCl 间隙中而形成点缺陷的反应式为：CaCl 2+2 +2Cl Cl在缺陷反应方程式中，所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么？解：位置平衡是指在化合物MaXb 中，M 格点数与X 格点数保持正确的比例关系，即M ：X=a ：b 。

电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷。

质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。

（a ）在CaF2晶体中，肖特基缺陷的生成能为，计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。

（b ）如果MgO 晶体中，含有百万分之一mol 的YF3杂质，则在1600℃时，CaF3晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？说明原因。

解：因为n/N=exp （-∆Gf/2kT ）∆Gf=××10-19=×10-19J T=1600+273=1873K所以 n/N=exp （×10-19/2××10-23×1873）= exp （）=×10-8 （5分） 在CaF2晶体中，含有百分之一的YF3 杂质，缺陷方程如下：Fi Ca CaF F F Y YF 2'32++−−→−⋅此时产生的缺陷为'i F ，]['i F =10-6大于热缺陷浓度×10-8，故在1873K 时杂质缺陷占优势或 FCa Ca CaF F V Y YF 622''32++−−→−⋅ ）此时产生的缺陷为''CaV，][''CaV=×10-7大于热缺陷浓度×10-8，故在1873K时杂质缺陷占优势ZnO是六方晶系，a=，c=，每个晶胞中含2个ZnO分子，测得晶体密度分别为， g/cm3，求这两种情况下各产生什么型式的固溶体？解：六方晶系的晶胞体积V===在两种密度下晶胞的重量分别为W1=d1v=××10-23=×10-22(g)W2=d2v=××10-23=×10-22(g)理论上单位晶胞重W==(g)∴密度是d1时为间隙型固溶体，是d2时为置换型固溶体。

试简述硅酸盐熔体聚合物结构形成过程和结构特点？答：聚合物的形成是以硅氧四面体为基础单位，组成大小不同的聚合体。

可分为三个阶段初期：石英的分化；中期：缩聚并伴随变形；后期：在一定时间和一定温度下，聚合和解聚达到平衡。

产物中有低聚物、高聚物、三维晶格碎片以及游离碱、吸附物，最后得到的熔体是不同聚合度的各种聚合物的混合物，构成硅酸盐结构。

聚合物种类、大小和数量随熔体的组成和温度而变化。

对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol，计算该晶体在1000K和1500K时的缺陷浓度。

解：根据热缺陷浓度公式：exp（－）由题意△G=84KJ/mol=84000J/mol则exp（）其中R=mol·K当T1=1000K时， exp（）= exp=×10-3当T2=1500K时， exp（）= exp=×10-2非化学计量化合物FexO中，Fe3+/Fe2+=，求FexO中的空位浓度及x值。

解：非化学计量化合物Fe x O，可认为是α(mol)的Fe2O3溶入FeO中，缺陷反应式为：Fe2O32Fe+ V+3O Oα 2αα此非化学计量化合物的组成为：Fe Fe O已知：Fe3+/Fe2+＝则：∴α＝∴x＝2α+(1－3α)＝1－α＝又：∵[V3+]＝α＝正常格点数N＝1+x＝1+＝∴空位浓度为非化学计量氧化物TiO2-x的制备强烈依赖于氧分压和温度：（a）试列出其缺陷反应式。

（b）求其缺陷浓度表达式。

解：非化学计量氧化物TiO2-x，其晶格缺陷属于负离子缺位而使金属离子过剩的类型。

（a）缺陷反应式为：2Ti Ti?/FONT>O2↑→2++3O OO O→+2e′+O2↑（b）缺陷浓度表达式：[ V]试比较刃型位错和螺型位错的异同点。

刃型位错和螺型位错的异同点刃型位错螺型位错与柏格斯矢量的位置关系柏格斯矢量与刃性位错线垂直柏格斯矢量与螺型位错线平行位错分类刃性位错有正负之分螺形位错分为左旋和右旋位错是否引起晶体畸变和形成应力场引起晶体畸变和形成应力场，且离位错线越远，晶格畸变越小引起晶体畸变和形成应力场，且离位错线越远，晶格畸变越小位错类型只有几个原子间距的线缺陷只有几个原子间距的线缺陷从化学组成、相组成考虑，试比较固溶体与化合物、机械混合物的差别。

解：从化学组成、相组成考虑，固溶体、化合物和机械混合物的区别列下表5-1比较之。

表5-1 固溶体、化合物和机械混合物比较以AO溶质溶解在B2O3溶剂中为例）比较项固溶体化合物机械混合物化学组成B2-x A x O(x =0～2)AB2O4AO+B2O3相组成均匀单相单相两相有界面试阐明固溶体、晶格缺陷和非化学计量化合物三者之间的异同点。

列出简明表格比较。

解：固溶体、晶格缺陷和非化学计量化合物都属晶体结构缺陷，但它们又各有不同，现列表5-2比较之。

表5-2 固溶体、晶格缺陷和非化学计量化合物比较分类形成原因形成条件缺陷反应固溶式溶解度热缺肖特基缺陷晶格0K以上0MX只受温度控制陷弗伦克尔缺陷热振动M M =X X=MX固溶体无限置换型固溶体掺杂溶解< 15% ， A2+电价=B2+电价，AO结构同BO，电负性相近AOB1-x A x O受温度控制x=0～1有限固溶体间隙型间隙离子半径小，晶体结构开放，空隙大YF3掺杂量<固溶度，受温度控制组分缺陷< 30% ，Ca2+电价≠Zr4+电价2CaOCaO掺杂量<固溶度，受温度控制非化学计量化合物阳离子缺位环境中气氛性质和压力变化变价元素氧化物在氧化气氛中O2(g)→2Fe+V+O O[h][P O]阴离子间隙O2(g)→+U(2h)[]阳离子间隙变价元素氧化物在还原气氛中ZnO+2e′+O2(g)[]阴离子缺位O O→+2+O 2(g)[ V]试写出少量MgO掺杂到Al2O3中和少量YF3掺杂到CaF2中的缺陷方程。

（a）判断方程的合理性。

（b）写出每一方程对应的固溶式。

解： 3MgO 2+ +3OO （1）2MgO 2+ +2O O（2）YF 3Y +F+2F F （3）2YF32Y ++6F F （4）（a）书写缺陷方程首先考虑电价平衡，如方程（1）和（4）。

在不等价置换时，3Mg2+→2Al3+；2Y3+→3Ca2+。

这样即可写出一组缺陷方程。

其次考虑不等价离子等量置换，如方程（2）和（3）2Mg2+→2Al3+；Y3+→Ca2+。

这样又可写出一组缺陷方程。

在这两组方程中，从结晶化学的晶体稳定性考虑，在离子晶体中除萤石型晶体结构可以产生间隙型固溶体以外，由于离子晶体中阴离子紧密堆积，间隙阴离子或阳离子都会破坏晶体的稳定性。

因而间隙型缺陷在离子晶体中（除萤石型）较少见。

上述四个方程以（2）和（3）较合理。

当然正确的判断必须用固溶体密度测定法来决定。

（b）(1)(2) (3) (4)一块金黄色的人造黄玉，化学分析结果认为，是在Al2O3中添加了%NiO和% Cr2O3。

试写出缺陷反应方程（置换型）及化学式。

解：NiO和Cr2O3固溶入Al2O3的缺陷反应为：2NiO2+ +2O OCr2O3固溶体分子式为：Cr取1mol试样为基准，则m＝； m＝； m＝1－－＝∵ 2NiO →2Al2 O3Cr2 O3 →Al2 O3∴取代前Al2O3所占晶格为：＋2＋＝ (Al2O3)取代后各组分所占晶格分别为：Al2O3： molNiO： molCr2 O3： mol∴取代后，固溶体的分子式为：Al2O3· NiO · Cr2 O3或∴x=, Y==2－－=2－x－y=3－x对于MgO、Al2O3和Cr2O3，其正、负离子半径比分别为、和。