抗反射膜
衍射效应
曝光剂量
3300 rpm for 30 seconds 200nm，正胶：AZ5206E
光谱的宽度
驻波效应的抑制
抑制驻波效应的方法有 1、采用多波长混合光源进行曝光[3 ] , 这种 工艺虽能明显抑制驻波效应, 但这势必引起 光刻胶过度曝光, 显然不适合亚微米光刻; 2、采用着色光刻胶是另一种方法,即在光刻 胶中添加着色剂(感光机团或吸光剂) 以吸收 反射光, 从而弱化驻波效应及光刻胶多重曝 光现象。但着色剂同样能吸收入射光, 因此 需增加曝光能量, 导致曝光量难以控制。 3、采用ARC (抗反射涂层) 是目前应用较广 泛的工艺, 即在光刻胶上或晶片上涂敷一层 抗反射膜, 分别称作TARC与BARC (图2) , 亦可同时涂敷TARC 与BARC
用驻波效应做结构
消除驻波效应 1、宽频光谱曝光 2、抗反射涂层 3、后烘工艺 4、厚胶工艺
产生驻波效应 1、单色光曝光 2、增反层（镀金属膜、抛光的多晶硅） 3、不后烘 3、胶厚在1um以下（500nm）
其他的方面 1、曝光剂量适当 2、衍射Байду номын сангаас响 3、根切效应 4、吸收率低的光刻胶
基本想法 1、正胶500nm 2、反射膜 3、适当的曝光 4、场发射电镜扫描 问题 1、断面观察（场扫电镜）？ 2、薄胶获得？ 3、衍射效应的影响？（接触光刻） 4、曝光剂量控制。
光刻过程中的驻波效应分析
报告人：谭先华
2010-11-21
驻波效应形成的原因
抗蚀剂在曝光过程中由于其折射率和基 底材料折射率不匹配，在基底表面产生 的反射光和入射光相互干涉而形成驻波。 光强的驻波分布使抗蚀剂内的光敏化合 物(photo active compound，PAC)的浓 度也呈驻波分布，从而使抗蚀剂在显影 后边缘轮廓有一定的起伏。