第五章
高效Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池材料
1
主要内容
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
§5.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物生长技术
§5.3 GaInP、InP、GaAs和Ge太阳电池
§5.4 Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池应用
2
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
3
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
4
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
5
6
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
7
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
8
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
9
10
11
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性 在太阳电池用途上， Ⅲ-Ⅴ族化合物与硅相比，具 有以下特点：
12
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
×
13
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
14
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
15
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
65
Thanks
66
16
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
17
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
18
19
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
20
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
21
22
23
§5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物特性
24
25
§5.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物生长技术
26
§5.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物生长技术
27
（液相磊晶法LPE）
28
（液相磊晶法LPE）
29
（液相磊晶法LPE）
30
（液相磊晶法LPE）
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
§5.3 GaInP、InP、GaAs和Ge太阳电池
44
单结太阳电池
45
单结太阳电池
46

多结太阳电池
47
48
49
50
51
home–made close-spaced sublimation apparatus
52
53
54
55
56
57
58
59
60
§5.4 Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池应用
61
§5.4 Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池应用
62
63
64
思考题
• 简答怎样设计出高效的单结太阳电池？
• 简述设计高效的多结太阳电池应考虑哪些 因素？ • 简述利用LPE技术制备GaAs时的原理、优 缺点。 • MOCVD制备技术的优缺点