模拟电子技术课程
multisim 仿真
一、目的
2.19 利用multisim 分析图P2.5所示电路中b R 、c R 和晶体管参数变化对Q 点、u A •
、i R 、o R 和om U 的影响。

二、仿真电路
晶体管采用虚拟晶体管，12VCC V =。

1、当5c R k =Ω， 510b R k =Ω和1b R M =Ω时电路图如下（图1）：
图 1
2、当510b R k =Ω，5c R k =Ω和10c R k =Ω时电路图如下（图2）
图 2
3、当1b R M =Ω时， 5c R k =Ω和10c R k =Ω时的电路图如下（图3）
图 3
4、当510b R k =Ω，5c R k =Ω时，β=80，和β=100时的电路图如下（图4）
图 4
三、仿真内容
1. 当5c R k =Ω时，分别测量510b R k =Ω和1b R M =Ω时的CEQ U 和u A •。

由于输出电压
很小，为1mV ，输出电压不失真，故可从万用表直流电压（为平均值）档读出静态管压降CEQ U 。

从示波器可读出输出电压的峰值。

2. 当510b R k =Ω时，分别测量5c R k =Ω和10c R k =Ω时的CEQ U 和u A •。

3. 当1b R M =Ω时，分别测量5c R k =Ω和10c R k =Ω时的CEQ U 和u A •。

4. 当510b R k =Ω，5c R k =Ω时，分别测量β=80，和β=100时的CEQ U 和u A •。

四、仿真结果
1、当5c R k =Ω，510b R k =Ω和1b R M =Ω时的CEQ U 和u A •
仿真结果如下表（表1 仿真数据）
表格 1 仿真数据
2、当510b R k =Ω时， 5c R k =Ω和10c R k =Ω时的CEQ U 和u A •
仿真结果如下表（表2 仿真数据）
表格 2 仿真数据
3、当1b R M =Ω时， 5c R k =Ω和10c R k =Ω时的CEQ U 和u A •
仿真结果如下表（表3 仿真数据）
表格 3 仿真数据
4、当510b R k =Ω，5c R k =Ω时，分别测量β=80，和β=100时的CEQ U 和u A •
的仿真结果
如下表（表4 仿真数据）。

表格 4 仿真数据
五、结论及体会
1. 当c R 为定值时，b R 增大，CQ I 减小，CEQ U 增大，u A •
减小。

2. 当b R 为定值时，若b R 的阻值过小，则电路容易产生饱和失真，此时当c R 增大， 电路
的放大倍数不会增大，电路没有放大作用。

3. 当b R 、c R 为定值时，当β增大时，u A •
的值也增大。

4. 实验心得：本次仿真实验用到了以前没有用过的元件，元器件参数复杂，由于以前没有
接触过这些参数，很多都看不懂，这给实验带来了很大困难。

但是通过查阅各种资料，我终于将各参数的意思大致弄清楚了。

通过本次试验，使我的自学能力得到了进一步提高。

同时我也感受到了计算机在科技发展过程中的巨大作用，它使研究的效率得到了大大提高。

这也进一步激发了我对专业学习的兴趣。