电子技术基础习题答案文档编制序号：[KK8UY-LL9IO69-TTO6M3-MTOL89-FTT688]第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。

其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

（对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。

（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。

（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。

（错）6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。

（对）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。

（错）8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I时，该管必被击穿。

CM（错）9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。

（错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。

（错）三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。

A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。

A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。

A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。

A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝，V B＝，V C＝，说明此三极管处在（ A ）。

A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。

A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。

A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。

9、三极管超过（C ）所示极限参数时，必定被损坏。

A 、集电极最大允许电流I CM ；B 、集—射极间反向击穿电压U（BR ）CEO ；C 、集电极最大允许耗散功率P CM ；D 、管子的电流放大倍数β。

10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ）A 、发射结正偏、集电结正偏；B 、发射结反偏、集电结反偏；C 、发射结正偏、集电结反偏；D 、发射结反偏、集电结正偏。

四、简述题：（每小题4分，共28分）1、N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P 型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N 型半导体带负电，P 型半导体带正电。

上述说法对吗为什么答：这种说法是错误的。

因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N 型半导体或P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。

2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V 、管脚②3V 、管脚③，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

答：管脚③和管脚②电压相差，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN 型硅管。

再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。

3、图1-29所示电路中，已知E =5V ，t u ωsin 10i =V ，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0，反向阻断时电阻R =∞），试画出u 0的波形。

答：分析：根据电路可知，当u i >E 时，二极管导通u 0=u i ，当u i <E 时，二极管截止时，u 0=E 。

所以u 0的波形图如下图所示：4电情况又有何不同 答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。

单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。

5、图1-34所示电路中，硅稳压管D Z1的稳定电压为8V ，D Z2的稳定电压为6V ，正向压降均为，求各电路的输出电压U 0。

答：（a ）图：两稳压管串联，总稳压值为14V ，所以U 0=14V ；（b ）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此U 0=6V ；图1-29u/V ωt 0 u i u 0 10 5（c）图：两稳压管反向串联，U0=；（d）图：两稳压管反向并联，可认为DZ1截止不通，则U0=。

6、半导体二极管由一个PN结构成，三极管则由两个PN结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管如不能，说说为什么答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。

因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。

7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用三极管会损坏吗为什么答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。

因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。

五、计算分析题：（共17分）1、图1-31所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。

（8分）（1）U CE=3V，I B=60μA，I C=（2）I C=4mA，U CE=4V，I CB=（3）U CE=3V，I B由40~60μA时，β=图1-30解：A 区是饱和区，B 区是放大区，C 区是截止区。

（1）观察图6-25，对应I B =60μA 、U CE =3V 处，集电极电流I C 约为；（2）观察图6-25，对应I C =4mA 、U CE =4V 处，I B 约小于80μA 和大于70μA ；（3）对应ΔI B =20μA 、U CE =3V 处，ΔI C ≈1mA ，所以β≈1000/20≈50。

2、已知NPN 型三极管的输入—输出特性曲线如图1-32所示，当（1）U BE =，U CE =6V ，I C =（2）I B =50μA ，U CE =5V ，I C =（3）U CE =6V ，U BE 从变到时，求I B 和I C 的变化量，此时的？=β（9分）解：（1）由（a ）曲线查得U BE =时，对应I B =30μA ，由(b)曲线查得I C ≈；（2）由（b ）曲线可查得此时I C ≈5mA ；（3）由输入特性曲线可知，U BE 从变到的过程中，ΔI B ≈30μA ，由输出特性曲线可知，ΔI C ≈，所以β≈2400/30≈80。

第2章 检测题 （共100分，120分钟）一、填空题：（每空分，共21分）图1-32 I CU CE (V) 1 2 3 4 5 6 7 8（b ）输出特性曲线 （a ）输入特性曲线 I 0 0 0 40 20 BE I CU CE (V) 图1-311 2 3 4 5 6 7 81、基本放大电路的三种组态分别是：共发射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。

2、放大电路应遵循的基本原则是：发射结正偏；集电结反偏。

3、将放大器输出信号的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做反馈信号。

使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为负反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为正反馈。

放大电路中常用的负反馈类型有电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈和电流并联负反馈。

4、射极输出器具有电压增益恒小于1、接近于1，输入信号和输出信号同相，并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。

5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为上削顶。

若采用分压式偏置电路，通过反馈环节调节合适的基极电位，可达到改善输出波形的目的。

6、对放大电路来说，人们总是希望电路的输入电阻越大越好，因为这可以减轻信号源的负荷。

人们又希望放大电路的输出电阻越小越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。

7、反馈电阻R E的数值通常为几十至几千欧，它不但能够对直流信号产生负反馈作用，同样可对交流信号产生负反馈作用，从而造成电压增益下降过多。

为了不使交流信号削弱，一般在R E的两端并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容C E。

8、放大电路有两种工作状态，当u i＝0时电路的状态称为静态，有交流信号u i输入时，放大电路的工作状态称为动态。

在动态情况下，晶体管各极电压、电流均包含直流分量和交流分量。

放大器的输入电阻越大，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越小，放大器带负载能力就越强。

9、电压放大器中的三极管通常工作在放大状态下，功率放大器中的三极管通常工作在极限参数情况下。