电子技术基础(二)课程复习题及答案一、填空1、本征半导体中有空穴和两种载流子。

自由电子2、半导体有P型和两种类型。

N型3、PN结具有特性。

单向导电4、二极管按结构分有点接触型和接触型。

面5、差动放大电路的电路参数。

对称6、差动放大电路的目的是抑制。

共模信号7、反馈分有正反馈和反馈。

负8、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和功率放大器。

甲乙类9、复合管的类型与组成该复合管的三极管相同。

第一只10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和组成。

功率输出级11、集成电路按功能分有数字集成电路和集成电路。

模拟12、过零电压比较器具有极高的。

电压放大倍数13、正弦波振荡器由基本放大电路、、反馈网络和稳幅电路四部分组成。

选频网络14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和。

正反馈量要足够大15、在开关稳压电源中调整管工作于状态。

开关16、逻辑代数又叫代数。

二值布尔17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、三种。

逻辑非18、卡诺图所有的最小项之和为。

119、数字集成器件民用品标为系列。

7420、集成逻辑门是最基本的。

数字集成器件21、反相器就是实现的器件。

逻辑非22、编码是的逆过程。

译码23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于。

当前输入24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、等。

集成寄存器25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和。

N进制26、一个触发器可以存放位二进制数。

127、多谐振荡器又称。

方波发生器28、555集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和。

单稳态触发器29、绝大多数的DAC、ADC均采用工艺。

CMOS30、读写存储简称。

RAM31、只读存储器简称。

ROM二、单选选择题1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。

DA、二B、三C、四D、五2、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成P型半导体。

BA、二B、三C、四D、五3、在P型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。

CA、大于B、等于C、小于D、与温度有关4、在本征半导体中，电子浓度（）空穴浓度。

BA、大于B、等于C、小于D、与温度有关5、在N型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。

AA、大于B、等于C、小于D、与温度有关6、锗二极管正向导通的条件是( )。

BA、U b=B、U b =C、U b =D、 U b =7、硅二极管正向导通的条件是( )。

AA、 U b=B、U b =C、 U b =D、U b =8、二极管正向导通时的电阻R D ( )。

AA、很小B、很大C、等于1kD、无法确认9、二极管反向导通时的电阻R D ( )。

BA、很小B、很大C、等于1kD、无法确认10、晶体二极管最显著的特性是( )。

CA、开关特性B、信号放大特性C、单向导通特性D、稳压特性11、稳压管的稳压区是其工作在（）。

CA、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、反向截止或击穿12、测量某放大电路中的一只NPN型晶体三极管，各电极对地的电位是：U1=2V，U2=6V，U3=，则该三极管各管脚的名称是( )。

BA、1脚为c，2脚为b，3脚为eB、1脚为e，2脚为c，3脚为bC、1脚为b，2脚为e，3脚为cD、1脚为b，2脚为c，3脚为e13、若晶体三极管工作在截止状态，则以下符合的条件为( )。

CA、U CE < U BEB、U CE > U BEC、I B=0D、I C=014、晶体三极管有( )种工作状态。

CA、1种B、2种C、3种D、4种15、若测得U CE > U BE，则可以判断三极管处于（）状态。

AA、放大B、饱和C、截止D、短路16、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

BA、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏D、前者反偏、后者正偏17、晶体三极管的重要特性是( )。

AA、电流放大作用B、电压放大作用C、功率放大作用D、电能流放大作用18、晶体三极管由（）构成。

AA、三个半导体区和两个PN结B、两个半导体区和三个PN结C、四个半导体区和三个PN结D、三个半导体区和三个PN结19、在放大电路中，三极管静态工作点用（）表示。

BA、IB、IC、V CE B、 I B、I C、U CE C、 i B、i C、V CED、 i b、i c、u ce20、晶体管三个电极的电流关系为（）。

BA、I C=I E+I BB、I E = I C +I BC、 I B =I E+ I CD、I E =I B21、电力场效应晶体管中主要类型是（）。

BA、P沟道增强型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、N沟道耗尽型22、场效应管三个电极中，用D表示的电极称为（）。

DA、栅极B、源极C、基极D、漏极23、在放大电路中，场效应晶体管应工作在漏极特性的（）。

CA、可变电阻区B、截止区C、饱和区D、击穿区24、集成放大器之间均采用（）耦合。

AA、直接B、电容C、电阻D、变压器25、在放大电路中，要使信号不进入饱和区，UCE的选择应是（）。

DA、U CE≥1VB、U CE=U CCC、U CE＜1VD、U CE>U cem+U CE(sat)26、在固定偏置的共发射极放大电路中，测得三极管的集电极电压U C=U CC，而测得发射极电压U E=0，此管处于（）。

CA、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、不确定27、差动放大电路中发射极公共电阻R e的作用是（）。

AA、使静态工作点稳定B、抑制差模信号C、增强共模信号D、提高差模输入电阻28、要提高电路的负载能力，可采用（）。

CA、串联负反馈B、电流负反馈C、电压负反馈D、并联负反馈29、两个三极管的β值分别是60和80，其组成复合管后的β值是（）。

BA、60B、4800C、80D、14030、复合管的类型由（）决定。

AA、第一只B、第二只C、两只共同D、不一定31、功率放大器的效率是指（）。

BA、输出功率与输入功率之比B、输出功率与电源供给功率之比C、输出功率与管耗之比D、管好与电源功率之比32、在OCL电路中，若要求负载获得的最大不失真功率为10W，则两个功放管的额定管耗只要求大于（）。

DA、20WB、10WC、5WD、2W33、集成功放的输出级一般采用（）。

CA、差动放大电路B、共发射极放大电路C、互补对称电路D、共集电极放大电路34、读图时发现有的运放处于开环状态，那么此运放所在的本级电路可能是（）。

DA、基本运算电路B、信号放大电路C、信号产生电路D、电压比较器35、施密特触发器可将（）变换为方波。

BA、锯齿波B、三角波C、尖波D、正弦波36、反相比例运算和同相比例运算相比较（）。

AA、同相比例运算输入电阻大B、同相比例运算输入电阻小C、两者一样大D、不一定37、在放大电路中插入（）电路就可获得正弦振荡。

DA、正反馈B、负反馈C、正反馈和负反馈D、正反馈选频网络38、石英晶体的化学成分是（）。

CA、二氧化碳B、二氧化硫C、二氧化硅D、二氧化镁39、石英晶体振荡器的频率准确性和稳定性都极高其稳定度可达（）。

DA、10-6B、10-7C、10-8D、10-940、在桥式整流电容滤波电路中，U2=100V，正常时U O=120V，现实测U O=45V，那么电路中可能出现的故障是（）。

AA、滤波电容和一个二极管开路B、有一个整流管烧断C、R L开路D、滤波电容开路41、用三端稳压器组成稳压电路，要求U O=12V，I O=，应选用的稳压器是（）。

AA、CW7812B、CW7912C、CW78M12D、CW78L1242、要使CW7800正常工作，必须使（）。

CA、U I<U OB、因U O稳定，所以 U I大小无所谓C、U I大于U O一定值D、U I<U O43、四位二进制代码可以编出的状态有（）。

CA、4种B、8种C、16种D、32种44、TTL与CMOS电路输入电流相比较，关系为（）。

AA、前者大B、后者大C、一样D、不能相比45、半导体数码管每一段电流约为（）。

BA、几微安到十几微安B、几毫安到十几毫安C、几十毫安到几百毫安D、几安到十几安46、每个发光二极管的工作电压约为（）。

BA、～B、～3VC、3～5VD、5～8V47、液晶显示器的工作电压应（）。

AA、低于3VB、高于5VC、高于10VD、高于15V48、液晶显示器的清晰度与（）有关。

CA、电压B、电流C、环境光D、电功率49、在集成器件不能直接带动负载时，可以通过（）带动。

CA、二极管B、三极管放大电路C、三极管反相器D、变压器50、触发器是由逻辑门组成，所以它的功能特点是（）。

BA、和逻辑门功能相同B、有记忆功能C、没有记忆功能D、都不是51、构成一个五进制计数器最少需要（）个触发器。

CA、一B、二C、三D、四52、集成单稳态触发器的暂稳态维持时间决定于（）。

CA、电源电压值B、触发脉冲宽度C、外接定时电阻电容D、触发脉冲类型53、用555构成的单稳态触发器，在无触发的情况下，其输出稳态是（）。

AA、低电平B、高电平C、高阻状态D、零54、单稳态触发器的输出状态有（）。

AA、一个稳态，一个暂态B、两个稳态C、没有稳态D、没有暂态55、双积分A/D转换器的抗干扰能力比逐次比较型的A/D转换器抗干扰能力（）。

CA、差B、一样C、好D、不具可比性56、双积分A/D转换器的转换速度比逐次比较型的A/D转换器要（）。

AA、慢B、一样C、快D、不具可比性57、一般讲A/D转换器的位数越多，则其能分辨的模拟电压值（）。

AA、越小B、越大C、与位无关D、根据具体情况而定58、信息可随时写入或读出，断后信息立即消失的存储器是（）。

BA、ROMB、RAMC、PROMD、EEPROM59、只能读不能写入，但信息可永久保存的存储器是（）。

AA、ROMB、RAMC、PROMD、EEPROM60、只能一次写入信息的存储器是（）。

CA、ROMB、RAMC、PROMD、EEPROM三、多项选择题1、半导体的导电能力受（）的影响特别大。

A C EA、温度B、电压C、光照D、功率E、掺杂2、用于制造半导体器件的半导体材料是（）。

B DA、磷B、硅C、铟D、锗E、铁3、三极管工作在饱和区时，（）。

A C EA、发射结正偏B、发射结反偏C、集电结正偏D、集电结反偏E、U CE < U BE4、半导体中的载流子有（）。

A BA、自由电子B、空穴C、中子D、质子E、原子5、三极管的输出特性曲线可分为（）区域。

A B CA、放大B、截止C、饱和D、线性E、非线性6、在纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是（）型半导体。

B CA、PB、NC、电子导电D、空穴导电E、质子导电7、三极管工作在放大区时，（）。

A DA、发射结正偏B、发射结反偏C、集电结正偏D、集电结反偏E、I B = 08、三极管其各个电流之间的关系为（）。