电工学第一章习题一、填空题：1.PN结的单向导电性指的是_____________________________ 。

2.硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压U B E分别为_ V和—V。

3.晶体三极管有两个PN结，分别是_______ 和_______ ，分三个区域区、区和_________ 区。

4.一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于_________ 状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于_________ 状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为_________ 状态。

5.物质按导电能力强弱可分为______ 、______ 和 ______ 。

6.本征半导体掺入微量的三价元素形成的是_______ 型半导体，其多子为。

7.某晶体三极管三个电极的电位分别是：V i = 2V, 1.7V，V3= —2.5V，可判断该三极管管脚“ T为________ 极，管脚“2”为极，管脚“3”为____________ 极，且属于材料型三极管。

8.电阻始终是_____ 元件。

电容和电感是元件，它们不消耗电能。

电容可以把电能转换成______ 存储和释放；电感可以把电能转换成_________ 存储和释放。

9.当晶体管处在放大状态时，发射结______ ，集电结______ 。

对于PNP型晶体管来说，集电极C基极B发射级E的电压关系满足_____________ ・对于NPN型晶体管来说，集电极C、基极B、发射级E的电压关系满足10.对于某一元件，关联参考方向下，如果P<0,贝U该元件（吸收或发出）功率，_______ （消耗或提供）电能，起_______ （负载或电源）作用11.电路如图所示，欲使电压源输出功率为零，则电阻R为____ ,所吸收功率为_______ W13电路中某点的电位与参考点的选择 ______ ，两点间的电压与参考点的选择 _____ 。

14. 电路通常有 _____ 、 ________ 和 ______ 三种状态。

15. 电路图上标示的电流、电压方向称为 ___________ ，假定某元件是负载时，该元件两端的电压和通过元件的电流方向应为 ____________ 方向。

】、选择题16. 晶体管能实现放大的内部结构条件是 A. 两个背靠背的PN 结B. 空穴和电子都参与了导电C. 有三个掺杂浓度不一样的域D. 发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度， 17. 已知图1所示电路中 电阻 R1 和 R2 消耗的(a) 电压源(b) 电流源 (c) 电压源和电流源18. 在电感性负载两端并联一定值的电容， ()。

(A) 减少负载的工作电流 (B) 减少负载的有功功率 (C) 减少负载的无功功率 (D) 减少线路的功率损耗19. 关于电位下列说法不正确的是( 并且基区很薄，集电结面积比发射结大的 US =10 V ， IS = 13 A 。

功率由( )供给。

以提高功率因素，下列说法正确的是A 、参考点的电位为零，VX 某点电位为正，说明该点电位比参考点高；B 参考点的电位为零，VX 某点电位为负，说明该点电位比参考点低C 、选取不同的参考点，电路中各点的电位也将随之改变；D 电路中两点间的电压值是固定的，与零电位参考点的选取有关。

20. 图中a 、b 间的等效电阻氓战为：() A) 2Q; B) 6Q; C) 14Q 。

22. 电流源开路时，该电流源内部（）。

A .有电流，有功率损耗 B .无电流，无功率损耗 C .有电流，无功率损耗-_1严]^0*= ------- 80 —121.电路如图所示，US 为独立电压源，会引起 ()A. 端电压U 的变化B. 输出电流I 的变化C. 电阻R 支路电流的变化D.上述三者同时变化若外电路不变，仅电阻R 变化时，将23.稳压二极管工作在伏安特性的（）A、死区B、正向导通区C、反向截止区D反向击穿区24.如图一所示，电源E仁6V E2=12V电阻R仁R2=R3=R4=R5那么电阻R3两端的电压为（）RiI --- 1lb ____ 1A 6V B、4.5V C 、4V D、2V LL1 KtL-rn—R5——三、简答题25.如何判断元件在电路中起负载作用还是电源作用26.简述电压源的特性。

27.简述晶体管处于放大状态时具有的电压电流特性。

28.试总结晶体三极管分别工作在放大、饱和、截止三种工作状态时，三极管中的两个PN结所具有的特点。

四.判断题29. 理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。

()30. 电压是产生电流的根本原因。

因此电路中有电压必有电流。

()31. 绝缘体两端的电压无论再咼，都不可能通过电流。

()32. 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

()33. 二极管两端加上正向电压就•定会导通。

()五、计算题EL1337. 图示为硅三极管在工作时实测的各极对地电压值。

试根据各极对地电压判断35.试用电源等效变换的方法，求下图所示电路中的电流 6JnTAIhrJp ——1^riu —36. 在如图所示电路中，设D 为理想二极管，已知输入电压 ui 的波形。

试画出输出电压uo 的波形图。

1C4-，化简下图所示的各电路(t)（F ）三极管的工作状态。

38.已知电路如图所示，试求a、b两端电阻39.用直流电压表测某电路三只晶体管的三个电极对地的电压分别是如图所示试指出每只晶体管的E、B、C极，以及类型和材料。

"6卩Y QV6卩40.写出下图所示各电路的输出电压值，设图中二极管都是理想的答案：一. 填空题1.PN结正向偏置时导通，反向偏置时阻断的特性2. 0.7 0.33.发射结集电结饱和放大截止4.饱和截止放大5.导体绝缘体半导体6.P空穴7.基发射集电锗PNP8.耗能储能电场能磁二上二•二匚■:■:10.发出提供电源11.6 24 12. 电源（信号源）负载电源与负载之间的连接部分13.有关无关14.通路开路短路15.参考方向关联参考二. 选择题16.D 17.C 18.D 19.D 20.B 21.C 22.C 23.C 24.B三. 简答题25.答：当元件的电压和电流参考方向为关联参考方向时，若P>0，元件吸收功率，在电路中消耗能量，相当于负载；若P<0,元件发出功率，在电路中相当于电源，向外提供能量。

当元件的电压和电流参考方向为非关联参考方向时，若P>0,元件发出功率，向电路提供能量，相当于电源；若P<0,元件吸收功率，在电路中相当于负载，在电路中消耗能量。

26.答：（1）电压源两端的电压不随外接电路的变化而变化；（2）流过电压源的电流取决于电压源外接的电路。

27.答：（1）对于PNP型晶体管来说，集电极C、基极B发射级E的电压关系满足1 1 ，对于NPN型晶体管来说，集电极C基极B发射级E的电压关系满足'幣（2）二，瞎：坨讣甘©…冏％庄趨28.三极管工作在放大工作状态时，集电结反偏，发射结正偏。

三极管工作在饱和工作状态时，发射线和集电结均正偏。

三极管工作在截止工作状态时，发射线和集电结均反偏。

四. 判断题29-33 xxxVx五. 计算题34.35.解：利用电源等效变换解题过程如下:严,<>V卜4「2.86 -1由分流公式可得：1=53 36.解：此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。

首先从（b ）图可以看出，当二极管D 导通时，理想二极管电阻为零，所以 u o 二 U i ;当D 截止时，电阻为无穷大，相当于断路，因此 u °= 5V,即是说，只要判断 出D 导通与否，就可以判断出输出电压的波形。

要判断D 是否导通，可以以接地 为参考点（电位零点），判断出D 两端电位的高低，从而得知是否导通。

37.解：(a) U BE =1.7V - 1V=0.7V>0, L B C =1.7V — 1.3V=0.4V>0， NPN 型硅管，工作在饱和状态。

(b) U BE =0.7V>0，U B C =0.7V - 3V=-2.3V<0，NPN 型硅管，工作在放大状态。

(c) L B E =0.5V-1.5V=-1V<0，L B C =0.5V - 6V=-5.5V<0， NPN 型硅管，工作在截止状[]冶€九Q 1(A)^态0(d) U BE =0.5V-1.5V=-1V<0 , U BC =0.5V - 6V=-5.5V<0 , NPN 型硅管，工作在截止 状态。

38.解：对a 图可耳歳応魁对b 图I.悅吗电塘用化简》力甘址育邯规自丘业話 中：；丘\辽1'iHp «7ft“工芒并二丐阳 吓* 丁吞七：心39. T1 :①C ②B ③E NPN 型硅管T2:①B ②E ③C NPN 型硅管 T3：①E ②B ③C PNP 型锗管 40. (a) 2V (b) 0 V (c) -2 V (d) 2V (e )2 V (f) -2V 严卜aO M 肖—。